"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
О пространственной локализации свободных электронов в n-канальных МОП-транзисторах на основе 4H-SiC
Иванов П.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: Pavel.Ivanov@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 19 октября 2016 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2017 г.

Теоретически рассматривается вопрос о пространственной локализации свободных электронов в 4H-SiC МОП-транзисторах с обогащенным и инверсным n-каналом. Анализ показал, что в оптимально сконструированных транзисторах с обогащенным каналом среднее расстояние, на котором свободные электроны локализованы от поверхности 4H-SiC, может быть на порядок больше по сравнению с транзисторами с инверсным каналом. Это должно давать транзисторам с обогащенным каналом преимущество по эффективной подвижности электронов в проводящем канале. DOI: 10.21883/FTP.2018.01.45327.8436
  • M. Bhatnagar, B.J. Baliga. IEEE Electron. Dev., 40, 645 (1993)
  • J.W. Palmour, J.A. Edmond, H.S. Kong, C.H. Carter, jr. Proc. 28th Intersociety Energy Conversion Energy Conf. (Atlanta, Georgia, USA (1993)
  • J.N. Shenoy, J.A. Cooper, jr., M.R. Melloch. IEEE Electron. Dev. Lett., 18, 93 (1997)
  • D. Okamoto, H. Yano, T. Hatayama, T. Fuyuki. Mater. Sci. Forum, 717--720, 733 (2012)
  • J. Tan, A. Cooper. M.R. Melloch. IEEE Electron. Dev. Lett., 19, 487 (1998)
  • П.А. Иванов, Т.П. Самсонова, В.Н. Пантелеев, Д.Ю. Поляков. ФТП, 35, 482 (2001)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.