"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Ширина линии излучения и alpha-фактор одномодовых вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 850 нм на основе квантовых ям InGaAs/AlGaAs *
Блохин С.А.1, Бобров М.А.1, Блохин А.А.1, Кузьменков А.Г.2,1, Васильев А.П.2,1, Задиранов Ю.М.1, Европейцев Е.А.1, Сахаров А.В.1, Леденцов Н.Н.3, Карачинский Л.Я.4,1, Оспенников А.М.5, Малеев Н.А.1, Устинов В.М.2,1,6
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3VI Systems GmbH, Berlin, Germany,
4ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия
5АО "РИРВ", Санкт-Петербург, Россия
6Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
Email: blokh@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 25 мая 2017 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2017 г.

Проведены исследования ширины линии излучения одномодовых вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 850 нм на основе квантовых ям InGaAs/AlGaAs. Ширина линии излучения лазера с характерным размером оксидной токовой апертуры 2 мкм достигает своего минимума ~110 МГц при выходной мощности 0.8 мВт. При дальнейшем повышении выходной оптической мощности наблюдается аномальное уширение линии излучения, что, по-видимому, обусловлено ростом alpha-фактора вследствие падения дифференциального усиления активной области в условиях повышенной концентрации носителей и высоких внутренних оптических потерь в микрорезонаторе. Проведена оценка величины alpha-фактора двумя независимыми методами. DOI: 10.21883/FTP.2018.01.45326.8657
  • R. Michalzik. VCSELs: Fundamentals, Technology and Applications of Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers (Berlin, Springer-Verlag, 2013)
  • P. Moser, P. Wolf, G. Larisch, H. Li, J.A. Lott, D. Bimberg. Proc. SPIE, 9001, 900103 (2014)
  • E. Haglund, P. Westbergh, J.S. Gustavsson, E.P. Haglund, A. Larsson, M. Geen, A. Joel. Electron. Lett., 51 (14), 1096 (2015)
  • P.D.D. Schwindt, B. Lindseth, S. Knappe, V. Shah. J. Kitching, L.-A. Liew. Appl. Phys. Lett., 90, 081102 (2007)
  • M. Prouty, A. Miniature. Wide Band Atomic Magnetometer, SERDP Project MR-1568, Geometrics (2011)
  • A. Pruijmboom, M. Schemmann, J. Hellmig, J. Schutte, H. Moench, J. Pankert. Proc. SPIE, 6908, 69080I (2008)
  • L. Knappe, V. Shah, P.D.D. Schwindt, L. Hollberg, J. Kitching, L.A. Liew, J. Moreland. Appl. Phys. Lett., 85, 1460 (2004)
  • D.K. Serkland, K.M. Geib, G.M. Peake, R. Lutwak, A. Rashed, M. Varghese, G. Tepolt, M. Prouty. Proc. SPIE, 6484, 648406 (2007)
  • D.K. Serkland, G.A. Keeler, K.M. Geib, G.M. Peake. Proc. SPIE, 7229, 722907 (2009)
  • S.B. Healy, E.P. O'Reilly, J.S. Gustavsson, P. Westbergh, Е. Haglund, A. Larsson, A. Joel. IEEE J. Quant. Electron., 46, 506 (2010)
  • M.A. Bobrov, S.A. Blokhin, N.A. Maleev, A.G. Kuzmenkov, A.A. Blokhin, Yu.M. Zadiranov, S.I. Troshkov, N.N. Ledentsov, V.M. Ustinov. J. Phys.: Conf. Ser., 643, 012044 (2015)
  • K.D. Choquette, K.M. Geib, C.I.H. Ashby, R.D. Twesten, O. Blum, H.Q. Hou, D.M. Follstaedt, B.E. Hammons, D. Mathes, R. Hull. IEEE J. Select. Topics in Quant. Electron., 3, 916 (1997)
  • M.P. van Exter, A.K. Jansen van Doorn, J.P. Woerdman. Phys. Rev. A, 56, 845 (1997)
  • F. Monti di Sopra, M. Brunner, R. Hovel. Photon. Technol. Lett., 14, 1034 (2002)
  • A.L. Schawlow, C.H. Townes. Phys. Rev., 112, 1940 (1958)
  • C.H. Henry. IEEE J. Quant. Electron., 18, 259 (1982)
  • K. Petermann. Laser diode modulation and noise (Kluwer Academic, 1991)
  • N.N. Ledentsov, J.A. Lott, J.-R. Kropp, V.A. Shchukin, D. Bimberg, P. Moser, G. Fiol, A.S. Payusov, D. Molin, G. Kuyt, A. Amezcua, L.Y. Karachinskiy, S.A. Blokhin, I.I. Novikov, N.A. Maleev, C. Caspar, R. Freund. Proc. SPIE, 8276, 82760K (2012)
  • D. Kuksenkov, S. Feld, C. Wilmsen, H. Temkin, S. Swirhun, R. Leibenguth. Appl. Phys. Lett., 66, 277 (1995)
  • L.A. Coldren, S.W. Corzine, M.L. Masanovic. Diode Lasers and Photonic Integrated Circuits (N. Y., Wiley, 2012)
  • G.M. Yang, M.H. Mac Dugal, V. Pudikov, P.D. Dapkus. Photon. Technol. Lett., 7, 1228 (1995)
  • D. Summers, P. Dowd, I.H. White, M.R.T. Tan. Photon. Technol. Lett., 7, 736 (1995)
  • A. Bacou, A. Rissons, J.-C. Mollier. Proc. SPIE, 6908, 69080F (2008)
  • KU. Kruger, K. Petermann. IEEE J. Quant. Electron., 24, 2355 (1988)
  • H. Halbritter, R. Shau, F. Riemenschneider, B. Kogel, M. Ortsiefer, J. Rosskopf, G. Bohm, M. Maute, M.-C. Amann, P. Meissner. Electron. Lett., 40, 1266 (2004)
  • K. Kishino, S. Aoki, Y. Suematsu. J. Quant. Electron., QE-18, 343 (1982)
  • K. Stubkjaer, Y. Suematsu, M. Asada, S. Arai, A.R. Adams. Electron. Lett., 16, 895 (1980)
  • M.H. Moloney, J. Hegarty, L. Buydens, P. Demeester, R. Grey, J. Woodhead. Appl. Phys. Lett., 62, 3327 (1993)
  • A.P. Ongstad, D.J. Gallant, G.C. Dente. Appl. Phys. Lett., 66, 2730 (1995)
  • M. Usami, H. Sakata, Y. Matsushima. Proc. 19-=SUP=-th-=/SUP=- Intern. Symp. Gallium Arsenide and Related Compounds (1992) p. 803
  • C. H. Wu, F. Tan, M. Feng, N. Holonyak, jr. Appl. Phys. Lett., 97, 091103 (2010)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.