Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Сверхбыстрая динамика электронно-дырочной плазмы в полупроводниковых нитевидных нанокристаллах ^*

DOI: 10.21883/FTP.2018.01.45313.40

Переводная версия: 10.1134/S1063782618010244

Трухин В.Н.^1,2, Буравлев А.Д.³, Мустафин И.А.^1,2, Цырлин Г.Э.³, Kakko J.P.⁴, Lipsanen H.⁴

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия ITMO University, St. Petersburg, Russia

³СПбАУ НОЦНТ Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия St. Petersburg Academic University, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

St. Petersburg Academic University, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

⁴Department of Electronics and Nanoengineering, Aalto University, FI Espoo, Finland

Department of Electronics and Nanoengineering, Aalto University, Espoo, Finland

Email: valera.truchin@mail.ioffe.ru

Поступила в редакцию: 27 апреля 2017 г.

Выставление онлайн: 20 декабря 2017 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Представлены экспериментальные результаты исследования влияния электронно-дырочной плазмы на генерацию ТГц-излучения в полупроводниковых нитевидных нанокристаллах на основе GaAs, выращенных методами MOVPE. Было показано, что временная динамика фотовозбужденных носителей заряда в полупроводниковых нитевидных нанокристаллах определяется транспортом носителей заряда, как электронов, так и дырок, временем захвата электронов и дырок на поверхностные уровни. DOI: 10.21883/FTP.2018.01.45313.40

L. Cao et al. Nature Materials, 8, 643 (2009)
K. Tomioka, M. Yoshimura, T. Fukui. Nature, 488, 189--93 (2012)
X.F. Duan, Y. Huang, Y. Cui, J.F. Wang, C.M. Lieber. Nature, 409, 66--9 (2001)
В.Н. Трухин, А.Д. Буравлев, И.А. Мустафин, Г.Э. Цырлин, Д.И. Курицын, В.В. Румянцев, С.В. Морозов, J.P. Kakko, T. Huhtio, H. Lipsanen. ФТП, 50, 1587 (2016)
V.N. Trukhin, A.D. Bouravleuv, I.A. Mustafin, J.P. Kakko, T. Huhtio, C.E. Cirlin, H. Lipsanen. Appl. Phys. Lett., 106, 252104 (2015)
В.Н. Трухин, А.Д. Буравлев, А.И. Елисеев, И.А. Мустафин, А.В. Трухин, J.P. Kakko, T. Huhtio, H. Lipsanen. Опт. и спектр., 119, 728 (2015)
V.N. Trukhin, A.V. Andrianov, A.V. Zinov`ev. Phys. Rev. B, 78, 155325 (2008)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель