"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Эффективная масса и g-фактор электронов в широких квантовых ямах теллурида ртути *
Гудина С.В.1, Неверов В.Н.1, Ильченко Е.В.1, Боголюбский А.С.1, Харус Г.И.1, Шелушинина Н.Г.1, Подгорных С.М.1,2, Якунин М.В.1,2, Михайлов Н.Н.3,4, Дворецкий С.А.3,5
1Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
2Уральский федеральный университет им. Б.Н. Ельцина, Екатеринбург, Россия
3Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
5Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
Email: svpopova@imp.uran.ru
Поступила в редакцию: 27 апреля 2017 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2017 г.

Измерены магнитополевые (0<B<9 Тл) зависимости продольного и холловского сопротивлений при фиксированных температурах (2<T<50 K) для системы HgCdTe/HgTe/HgCdTe с квантовой ямой HgTe шириной 20.3 нм. Активационный анализ кривых магнитосопротивления был использован в качестве инструмента для определения щелей подвижности между соседними уровнями Ландау. Значения энергии активации, полученные из температурных зависимостей продольного сопротивления в областях плато квантового эффекта Холла с факторами заполнения v=1,2,3, позволили сделать оценки эффективной массы и g-фактора электронов в исследуемой системе. Получены указания на возможность больших значений g-фактора (=~80). DOI: 10.21883/FTP.2018.01.45312.39
  • M. Konig, S. Wiedmann, C. Brune, A. Roth, H. Buhmann, L.W. Molenkamp, X.-L. Qi, S.-C. Zhang. Science, 318, 766 (2007)
  • S.S. Krishtopenko, I. Yahniuk, D.B. But, V.I. Gavrilenko, W. Knap, F. Teppe. Phys. Rev. B, 94, 245402 (2016)
  • M.G. Gavrilov, T.V. Kukushkin. Pis'ma v JETF, 43, 79 (1986)
  • D. Weiss, E. Stahl, G. Weiman, K. Ploog, K. von Klitziug. Surf. Sci., 170, 285 (1986)
  • H.P. Wei, A.M. Chang, D.C. Tsui, M. Rozeghi. Phys. Rev. B, 32, 7016 (1985)
  • Yu.G. Arapov, G.I. Harus, V.N. Neverov, N.G. Shelushinina,  M.V. Yakunin, G.A. Alshanskii, O.A. Kuznetsov.  Nanotechnology, 11, 351 (2000)
  • Yu.G. Arapov, G.I. Harus, V.N. Neverov, N.G. Shelushinina, M.V. Yakunin, O.A. Kuznetsov. JETP, 96, 118 (2003)
  • D.A. Kozlov, Z.D. Kvon, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretskii, S. Weishaupl, Y. Krupko, J.-C. Portal. Appl. Phys. Lett., 105, 132102 (2014)
  • T. Khouri, M. Bendias, P. Leubner, C. Brune, H. Buhmann, L.W. Molenkamp, U. Zeitler, N.E. Hussey, S. Wiedmann. Phys. Rev. B, 93, 125308 (2016)
  • Y.G. Arapov, S.V. Gudina, V.N. Neverov, S.M. Podgornykh, M.R. Popov, G.I. Harus, N.G. Shelushinina, M.V. Yakunin, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretsky. Semiconductors, 49, 1593 (2015)
  • Yu.G. Arapov, S.V. Gudina, V.N. Neverov, S.M. Podgornykh, M.R. Popov, N.G. Shelushinina, G.I. Harus, M.V. Yakunin, S.A. Dvoretsky, N.N. Mikhailov. J. Low Temp. Phys., 185, 665 (2016)
  • M. Konig, H. Buhmann, L. Molenkamp, T. Hughes. J. Phys. Soc. Jpn, 77, 031007 (2008)
  • M.I. D'yakonov, A.V. Khaetskii. JETP, 55, 917 (1982); L.G. Gerchikov, A. Subashiev. Phys. Status Solidi B, 160, 443 (1990)
  • Z.D. Kvon, E.B. Olshanetsky, E.G. Novik, D.A. Kozlov, N.N. Mikhailov, I.O. Parm, S.A. Dvoretsky. Phys. Rev. B, 83, 193304 (2011)
  • E.B. Olshanetsky, S. Sassine, Z.D. Kvon et al. Письма ЖЭТФ, 84, 661 (2006); З.Д. Квон, Е.Б. Ольшанецкий, Н.Н. Михайлов, Д.А. Козлов. ФНТ, 35, 10 (2009)
  • M.V. Yakunin, S.M. Podgornykh, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretsky. Physica E, 42, 948 (2010)
  • E.G. Novik, A. Pfeuffer-Jeschke, T. Jungwirth, V. Latussek, C.R. Becker, G. Landwehr, H. Buhmann, L.W. Molenkamp. Phys. Rev. B, 72, 035321 (2005)
  • M.S. Zholudev, A.V. Ikonnikov, F. Teppe, M. Orlita, K.V. Maremyanin, K.E. Spirin, V.I. Gavrilenko, W. Knap, S.A. Dvoretskiy, N.N. Mihailov. Nanoscale Res. Lett., 7, 534 (2012)
  • Ю.Г. Арапов, Н.А. Городилов, М.В. Якунин, В.Н. Неверов, А.В. Германенко, Г.М. Миньков. Письма ЖЭТФ, 59, 247 (1994)
  • Y. Guldner, C. Rigaux, M. Grynberg, A. Mycielski. Phys. Rev. B, 8, 3875 (1973)
  • C.R. Pidgeon, R.N. Brown. Phys. Rev., 146, 515 (1966)
  • S.S. Krishtopenko, W. Knap, F. Teppe. Sci. Rept., 6, 30755 (2016). Supplementary materials
  • R.W. Martin, R.J. Warburton, R.G. Nicolas, G.J. Rees, S.K. Haywood, N.J. Mason, R.G. Walker, M. Enemy, L.K. Howard. Proc. XX Int. Conf. Phys. Semicond. (Thessaloniki, 1990) p. 909
  • Н.А. Городилов, О.А. Кузнецов, Л.К. Орлов, Р.А. Рубцова, А.Л. Чернов, Н.Г. Шелушинина, Г.Л. Штрапенин. Письма ЖЭТФ, 56, 409 (1992)
  • Ю.Г. Арапов, О.А. Кузнецов, В.Н. Неверов, Г.И. Харус, Н.Г. Шелушинина, М.В. Якунин. ФТП, 36, 550 (2002)
  • T. Wimbauer, K. Oettinger, A.L. Efros, B.K. Meyer, H. Brugger. Phys. Rev. B, 50, 8889 (1994)
  • М.А. Семина, Р.А. Сурис. ФТП, 49, 817 (2015)
  • M. Schultz, U. Merkt, A. Sonntag, U. Rossler, R. Winkler, T. Colin, P. Helgesen, T. Skauli, S. L vold. Phys. Rev. B, 57, 14772 (1998)
  • B. Huckestein. Rev. Mod. Phys., 67, 357 (1995)
  • A. Pfeuffer-Jeschke, F. Goschenhofer, S.J. Cheng, V. Latussek, J. Gerschutz, C.R. Becker, R.R. Gerhardts, G. Landwehr. Physica B, 256-258, 486 (1998)
  • Л.С. Бовкун, С.С. Криштопенко, М.С. Жолудев, А.В. Иконников, К.Е. Спирин, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов, F. Teppe, W. Knap, В.И. Гавриленко. ФТП, 49, 1676 (2015)
  • X.C. Zhang, A. Pfeuffer-Jeschke, K. Ortner, V. Hock, H. Buhmann, C.R. Becker, G. Landwehr. Phys. Rev. B, 63, 245305 (2001)
  • Z.-D. Kvon, S.N. Danilov, N.N. Mikhailov, S. Dvoretsky, W. Prettl, S. Ganichev. cond-mat/0708.2175
  • K.S. Novoselov, A.K. Geim, S.V. Morozov, D. Jiang, M.I. Katsnelson, I.V. Grigorieva, S.V. Dubonos, A.A. Firsov. Nature. 438, 197 (2005)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.