"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
XXI Международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 13-16 марта 2017 г. Нитевидные нанокристаллы GaP/Si (111), синтезированные методом молекулярно-пучковой эпитаксии с переключением гексагональной и кубической фазy *
Штром И.В.1,2, Сибирев Н.В.3,4, Убыйвовк Е.В.3,5, Самсоненко Ю.Б.1,2, Хребтов А.И.1, Резник Р.Р.1,2,5, Буравлев А.Д.1,2, Цырлин Г.Э.1,2,5
1Санкт-Петербургский академический университет Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Институт aналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
4Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
5Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
Email: igorstrohm@mail.ru
Поступила в редакцию: 27 апреля 2017 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2017 г.

Представлено теоретическое и экспериментальное описание синтеза нитевидных нанокристаллов GaP методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках Si (111) с использованием золота в качестве катализатора. Отношение потоков осаждаемых материалов и температура подложки кратковременно изменялись в процессе синтеза нитевидных нанокристаллов с целью исследования возможности создания наноразмерных включений различных политипов. Установлено, что изменения отношений потоков осаждаемых материалов и температуры роста приводят к контролируемому образованию включений толщиной в несколько нанометров, в том числе с кубической кристаллической структурой. DOI: 10.21883/FTP.2018.01.45310.27
  • S. Assali, I. Zardo, S. Plissard, D. Kriegner, M.A. Verheijen, G. Bauer, A. Meijerink, A. Belabbes, F. Bechstedt, J.E.M. Haverkort, E.P.A.M. Bakkers. Nano Lett., 13, 1559 (2013)
  • M.E. Reimer, G. Bulgarini, N. Akopian, M. Hocevar, M. Bouwes Bavinck, M.A. Verheijen, E.P.A.M. Bakkers, L.P. Kouwenhoven, V. Zwiller. Nature Commun., 3, 737 (2012)
  • Г.Э. Цырлин, И.В. Штром, Р.Р. Резник, Ю.Б. Самсоненко, А.И. Хребтов, А.Д. Буравлев, И.П. Сошников. ФТП, 50 (11), 1441 (2016)
  • N. Akopian, G. Patriarche, L. Liu, J.-C. Harmand, V. Zwiller. Nano Lett., 10 (4), 1198 (2010)
  • F. Glas, J.C. Harmand, J. Patriarche. Phys. Rev. Lett., 99, 146101 (2007)
  • И.П. Сошников, Г.Э. Цырлин, Н.В. Сибирёв, В.Г. Дубровский, Ю.Б. Самсоненко, D. Litvinov, D. Gerthsen. Письма ЖТФ, 34 (12), 88 (2008)
  • V.G. Dubrovskii, N.V. Sibirev, J.C. Harmand, F. Glas. Phys. Rev. B, 78, 235301 (2008)
  • М.В. Назаренко, Н.В. Сибирёв, В.Г. Дубровский. ЖTФ, 81 (2), 153 (2011)
  • Н.В. Сибирёв, М.А. Тимофеева, A.Д. Большаков, М.В. Назаренко, В.Г. Дубровский. ФТТ, 52 (7), 1428 (2011)
  • V.G. Dubrovskii, J. Grecenkov. Cryst. Growth Des., 15 (1), 340 (2015)
  • X. Ren, H. Huang, V.G. Dubrovskii, N.V. Sibirev, M.V. Nazarenko, A.D. Bolshakov, X. Ye, Q. Wang, Y. Huang, X. Zhang, J. Guo, X. Liu. Semicond. Sci. Technol., 26 (1), 014034 (2011)
  • S. Lehmann, J. Wallentin, D. Jacobsson, K. Deppert, K.A. Dick. Nano Lett., 13 (9), 4099 (2013)
  • V.G. Dubrovskii. Appl. Phys. Lett., 104 (5), 53110 (2014)
  • K.A. Dick, C. Thelander, L. Samuelson, P. Caroff. Nano Lett., 10 (20), 3494 (2010)
  • J. Johansson, L.S. Karlsson, K.A. Dick, J. Bolinsson, B.A. Wacaser, K. Deppert, L. Samuelson. Cryst. Growth Des., 9 (2), 766 (2009)
  • S. Lehmann, D. Jacobsson, K. Deppert, K. Dick. Nano Res., 5 (7), 470 (2012)
  • G.E. Cirlin, V.G. Dubrovskii, I.P. Soshnikov, N.V. Sibirev, Yu.B. Samsonenko, A.D. Bouravleuv, J.C. Harmand, F. Glas. Phys. Status Solidi RRL, 3, 112 (2009)
  • V.G. Dubrovskii, G.E. Cirlin, N.V. Sibirev, F. Jabeen, J.C. Harmand, P. Werner. Nano Lett., 11 (3), 1247 (2011)
  • Н.В. Сибирев, М.В. Назаренко, В.Г. Дубровский. Письма ЖТФ, 38 (5), 41 (2012)
  • K.A. Dick, Z. Geretovszky, A. Mikkelsen, L.S. Karlsson, E. Lundgren, J.-O. Malm, J.N. Andersen, L. Samuelson, W. Seifert. Nanotechnology, 17 (5), 1344 (2006)
  • K.A. Dick, K. Deppert, L.S. Karlsson, W. Seifert, L.Reine Wallenberg, L. Samuelson. Nano Lett., 6 (12), 2842 (2006)
  • S. Assali, J. Greil, I. Zardo, A. Belabbes, M.W.A. de Moor, S. Koelling, P.M. Koenraad, F. Bechstedt, E.P.A.M. Bakkers, J.E.M. Haverkort. J. Appl. Phys., 120, 044304 (2016)
  • P.J. Dean. Prog. Solid State Chem., 8, 1 (1973)
  • P.J. Dean. Phys. Rev., 157, 655 (1967)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.