"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние состава покровного слоя на электронные характеристики квантовых точек InAs/GaAs
Министерство образования и науки России, государственное задание, 4.8337.2017/БЧ
Горшков А.П. 1, Волкова Н.С. 2,3, Воронин П.Г.1, Здоровейщев А.В. 2, Истомин Л.А. 3, Павлов Д.А. 1, Усов Ю.В.1, Левичев С.Б. 2
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3Научно-исследовательский институт химии Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: gorshkovap@mail.ru, volkovans88@mail.ru, zdorovei@gmail.com, laistmn@gmail.com, pavlov@unn.ru, slevichev@hotmail.com
Поступила в редакцию: 27 апреля 2017 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2017 г.

Заращивание массива самоорганизованных квантовых точек InAs/GaAs слоем квантовой ямы InGaAs приводит к увеличению их размера за счет обогащения области вблизи вершины квантовых точек индием, что уменьшает энергию основного оптического перехода в квантовых точках на 50 мэВ и смещает волновую функцию дырки по направлению к вершине квантовой точки. DOI: 10.21883/FTP.2017.11.45088.02
  1. V.M. Ustinov, A.E. Zhukov, A.R. Kovsh, S.S. Mikhrin, N.A. Maleev, B.V. Volovik, Yu.G. Musikhin, Yu.M. Shernyakov, E.Yu. Kondat'eva, M.V. Maximov, A.F. Tsatsul'nikov, N.N. Ledentsov, Zh.I. Alferov, J.A. Lott, D. Bimberg. Nanotechnology, 11 (4), 397 (2000)
  2. S.S. Mikhrin, A.R. Kovsh, I.L. Krestnikov, A.V. Kozhukhov, D.A. Livshits, N.N. Ledentsov, Yu.M. Shernyakov, I.I. Novikov, M.V. Maximov, V.M. Ustinov, Zh.I. Alferov. Semicond. Sci. Technol., 20 (5), 340 (2005)
  3. B. Shi, S. Zhu, Q. Li, Y. Wan, E.L. Hu, K.M. Lau. ACS Photonics, 4 (2), 204 (2017)
  4. Б.В. Воловик, А.Ф. Цацульников, Д.А. Бедарев, А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, А.Р. Ковш, Н.Н. Леденцов, М.В. Максимов, Н.А. Малеев, Ю.Г. Мусихин, А.А. Суворова, В.М. Устинов, П.С. Копьев, Ж.И. Алфёров, Д. Бимберг, П. Вернер. ФТП, 33 (8), 990 (1999)
  5. K. Nishi, H. Saito, S. Sugou, J.-S. Lee. Appl. Phys. Lett., 74, 1111 (1999)
  6. W. Sheng, J.P. Leburton. Phys. Rev. B, 63, 161301 (2001)
  7. Б.Н. Звонков, И.А. Карпович, Н.В. Байдусь, Д.О. Филатов, С.В. Морозов. ФТП, 35 (1), 92 (2001)
  8. Gatan, Inc. Precision Ion Polishing System User's Guide Revision, Coronade Lane, Pleasanton, Ca, Nov. 3, 1998
  9. И.А. Карпович, Б.Н. Звонков, С.Б. Левичев, Н.В. Байдусь, С.В. Тихов, Д.О. Филатов, А.П. Горшков, С.Ю. Ермаков. ФТП, 38 (4), 448 (2004)
  10. P.W. Fry, I.E. Itskevich, D.J. Mowbray, M.S. Skolnick, J.J. Finley, J.A. Barker, E.P. O'Reilly, L.R. Wilson, I.A. Larkin, P.A. Maksym, M. Hopkinson, M. Al-Khafaji, J.P.R. David, A.G. Cullis, G. Hill, J.C. Clark. Phys. Rev. Lett., 84, 733 (2000)
  11. А.П. Горшков, И.А. Карпович, А.В. Кудрин. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 5, 25 (2006)
  12. T.M. Hsu, W.-H. Chang, C.C. Huang, N.T. Yeh, J.-I. Chyi. Appl. Phys. Lett., 78, 1760 (2001)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.