"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
XXI Международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 13-16 марта 2017 г. Оптический тиристор на основе системы материалов GaAs/InGaP
Министерство образования и науки Российской Федераци, Проектная часть госзадания, 8.1751.2017/ПЧ
РФФИ, Инициативный проект, 16-07-01102_а
Звонков Б.Н.1, Байдусь Н.В.1, Некоркин С.М.1, Вихрова О.В.1, Здоровейщев А.В. 1, Кудрин А.В.1, Котомина В.Е.1
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: vikhrova@nifti.unn.ru
Поступила в редакцию: 27 апреля 2017 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2017 г.

Показана возможность создания тиристорных структур с внешним оптическим управлением лазерным излучением с длиной волны ~800 нм на основе монокристаллических пластин полуизолирующего GaAs и слоев согласованного по параметру решетки с GaAs твердого раствора InGaP. DOI: 10.21883/FTP.2017.11.45087.01
  • В.И. Корольков, В.Г. Никитин, Н.Р. Рахимов. Письма ЖТФ, 2, 941 (1976)
  • Ж.И. Алфёров, В.М. Ефанов, Ю.М. Задиранов, А.Ф. Кардо-Сысоев, В.И. Корольков, С.И. Пономарев, А.В. Рожков. Письма ЖТФ, 12, 1281 (1986)
  • В.И. Корольков, Н.Ю. Орлов, А.В. Рожков, Ф.Ю. Солдатенков, М.Н. Степанова. ФТП, 29, 400 (1995)
  • J.H. Hur, P. Hadizad, S.G. Hummel, K.M. Dzurko, P.D. Darkus, H.R. Fetterman, M.A. Gundersen. IEEE Trans. Electron Dev., 37 (12), 2520 (1990)
  • J.H. Zhao, T. Burke, D. Larson, M. Weiner, A.Chin, J.M. Ballingel, T.H. Yu. IEEE Trans. Electron Dev., 40 (4), 817 (1993)
  • J.H. Zhao, T. Burke, M. Weiner, A. Chin, J.M. Ballingall. IEEE Trans. Electron Dev., 41, 819 (1994)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.