"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
XXI Международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 13-16 марта 2017 г. Оптический тиристор на основе системы материалов GaAs/InGaP
Министерство образования и науки Российской Федераци, Проектная часть госзадания, 8.1751.2017/ПЧ
РФФИ, Инициативный проект, 16-07-01102_а
Звонков Б.Н.1, Байдусь Н.В.1, Некоркин С.М.1, Вихрова О.В.1, Здоровейщев А.В. 1, Кудрин А.В.1, Котомина В.Е.1
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: vikhrova@nifti.unn.ru
Поступила в редакцию: 27 апреля 2017 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2017 г.

Показана возможность создания тиристорных структур с внешним оптическим управлением лазерным излучением с длиной волны ~800 нм на основе монокристаллических пластин полуизолирующего GaAs и слоев согласованного по параметру решетки с GaAs твердого раствора InGaP. DOI: 10.21883/FTP.2017.11.45087.01
  1. В.И. Корольков, В.Г. Никитин, Н.Р. Рахимов. Письма ЖТФ, 2, 941 (1976)
  2. Ж.И. Алфёров, В.М. Ефанов, Ю.М. Задиранов, А.Ф. Кардо-Сысоев, В.И. Корольков, С.И. Пономарев, А.В. Рожков. Письма ЖТФ, 12, 1281 (1986)
  3. В.И. Корольков, Н.Ю. Орлов, А.В. Рожков, Ф.Ю. Солдатенков, М.Н. Степанова. ФТП, 29, 400 (1995)
  4. J.H. Hur, P. Hadizad, S.G. Hummel, K.M. Dzurko, P.D. Darkus, H.R. Fetterman, M.A. Gundersen. IEEE Trans. Electron Dev., 37 (12), 2520 (1990)
  5. J.H. Zhao, T. Burke, D. Larson, M. Weiner, A.Chin, J.M. Ballingel, T.H. Yu. IEEE Trans. Electron Dev., 40 (4), 817 (1993)
  6. J.H. Zhao, T. Burke, M. Weiner, A. Chin, J.M. Ballingall. IEEE Trans. Electron Dev., 41, 819 (1994)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.