"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Особенности ионно-лучевого синтеза нанокристаллов Ge в тонких пленках SiO2
Тысченко И.Е.1, Черков А.Г.2, Володин В.А.1,2, Voelskow M.3
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
3Institute of ion-beam physics and materials research, Helmholz
Email: tys@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 17 января 2017 г.
Выставление онлайн: 21 августа 2017 г.

Изучены закономерности формирования нанокристаллов германия в тонких пленках SiO2, имплантированных ионами Ge+ при высокотемпературном отжиге (1130oC), в зависимости от величины гидростатического давления. Установлено, что отжиг при атмосферном давлении сопровождается диффузией атомов германия из области имплантации в подложку Si и не приводит к формированию нанокристаллов Ge. Увеличение давления во время отжига приводит к замедлению диффузии германия в кремний и сопровождается формированием двойниковых ламелей на границе раздела Si/SiO2 (при давлениях ~103 бар) либо зарождением и ростом нанокристаллов Ge (при давлениях ~104 бар) в пленке SiO2. Полученные результаты обсуждаются с точки зрения изменения активационного объема образования и миграции точечных дефектов в условиях сжатия. DOI: 10.21883/FTP.2017.09.44897.8516
  • K.S. Min, K.V. Shcheglov, C.M. Yang, H.A. Atwater, M.L. Brongersma, A. Polman. Appl. Phys. Lett., 68, 2511 (1996)
  • L. Rebohle, J. von Borany, R.A. Yankov, W. Skorupa, I.E. Tyschenko, H. Frob, K. Leo. Appl. Phys. Lett., 71, 2809 (1997)
  • T. Gebel, L. Rebohle, W. Skorupa, A.N. Nazarov, I.N. Osiyuk, V.S. Lysenko. Appl. Phys. Lett., 81, 2575 (2002)
  • J. von Borany, R. Grotzschel, K.H. Heinig, A. Markwitz, W. Matz, B. Schmidt, W. Skorupa. Appl. Phys. Lett., 71, 3215 (1997)
  • I.E. Tyschenko, A.B. Talochkin, A.G. Cherkov, K.S. Zhuravlev, A. Misiuk, M. Voelskow, W. Skorupa. Semiconductors, 37, 479 (2004)
  • P.A. Temple, C.E. Hathaway. Phys. Rev. B, 7, 3685 (1973)
  • M. Ogino, Y. Oana, M. Watanabe. Phys. Status Solidi A, 72, 535 (1982)
  • G.J. Dienes, A.C. Damask. J. Appl. Phys., 29, 1713 (1958)
  • В.А. Гриценко. УФН, 179, 921 (2009)
  • V.A. Volodin, M.P. Gambaryan, A.G. Cherkov, M. Stoffel, H. Rinnert, M. Vergnat. Mater. Res. Express, 3, 085019 (2016)
  • G. Taraschi, S. Saini, W.W. Fan, L.C. Kimerling, E.A. Fitzgerald. J. Appl. Phys., 93, 9988 (2003)
  • I.E. Tyschenko, M. Voelskow, A.G. Cherkov, V.P. Popov. Semiconductors, 43, 52 (2009)
  • M.J. Aziz. Appl. Phys. Lett., 70, 2810 (1997).
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.