"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Формирование низкоразмерных структур в гетеросистеме InSb/AlAs
Абрамкин Д.С.1,2, Бакаров А.К.1, Путято М.А.1, Емельянов Е.А.1, Колотовкина Д.А.1,2, Гутаковский А.К.1,2, Шамирзаев Т.С.1,2,3
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
3Уральский федеральный университет, Екатеринбург, Россия
Email: demid@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 19 декабря 2016 г.
Выставление онлайн: 21 августа 2017 г.

Низкоразмерные гетероструктуры с квантовыми ямами и наноостровками, формируемые методом молекулярно-лучевой эпитаксии в системе InSb/AlAs, исследованы с помощью просвечивающей электронной микроскопии и спектроскопии стационарной фотолюминесценции. Структуры выращивались в режимах: поочередного осаждения In и Sb, так называемой атомно-слоевой эпитаксии, и одновременного осаждения материалов (традиционный режим молекулярно-лучевой эпитаксии). В обоих режимах при номинальном количестве осажденного материала в 1 монослой формируются крупные (200 нм-1 мкм) дефектные островки, расположенные на слое InxAl1-xSbyAs1-y квантовой ямы. В гетероструктурах, выращенных в режиме атомно-слоевой эпитаксии, островки окружены кольцевыми массивами значительно более мелких (~10 нм) когерентно напряженных островков, так же состоящих из InxAl1-xSbyAs1-y. Состав твердого раствора определяется перемешиванием материалов V группы на стадии осаждения InSb и перемешиванием материалов вследствие сегрегации атомов In и Sb при заращивании слоя InSb арсенидом алюминия. DOI: 10.21883/FTP.2017.09.44896.8488
  • Z.M. Wang. Self Assembled Quantum Dots (Springer, N. Y., 2008)
  • А.Н. Семенов, О.Г. Люблинская, В.А. Соловьев, Б.Я. Мельцер, С.В. Иванов. ФТП, 42, 75 (2007)
  • В.А. Соловьев, А.А. Торопов, Б.Я. Мельцер, Я.В. Терентьев, Р.Н. Кютт, А.А. Ситникова, А.Н. Семенов, С.В. Иванов, Motlan, E.M. Goldys, П.С. Копьев. ФТП, 36, 869 (2001)
  • А.Н. Семенов, Б.Я. Мельцер, В.А. Соловьев, Т.А. Комиссарова, А.А. Ситникова, Д.А. Кириленко, А.М. Надточий, Т.В. Попова, П.С. Копьев, С.В. Иванов. ФТП, 45, 1379 (2011)
  • A. Marent, M. Geller, A. Schliwa, D. Feise, K. Potschke, D. Bimberg, N. Akcay, N. Onkan. Appl. Phys. Lett., 91, 242109 (2007)
  • Т.С. Шамирзаев. ФТП, 45, 97 (2011)
  • T.S. Shamirzaev, D.S. Abramkin, A.K. Gutakovskii, M.A. Putyato. Письма ЖЭТФ, 95, 601 (2012)
  • Д.С. Абрамкин, К.М. Румынин, А.К. Бакаров, Д.А. Колотовкина, А.К. Гутаковский, Т.С. Шамирзаев. Письма ЖЭТФ, 103, 785 (2016)
  • T.S. Shamirzaev, A.M. Gilinsky, A.K. Kalagin, A.V. Nenashev, K.S. Zhuravlev. Phys. Rev. B, 76, 155309 (2007)
  • T.S. Shamirzaev, A.V. Nenashev, A.K. Gutakovskii, A.K. Kalagin, K.S. Zhuravlev, M. Larsson, P.O. Holtz. Phys. Rev. B, 78, 085323 (2008)
  • T.S. Shamirzaev, A.V. Nenashev, K.S. Zhuravlev. Appl. Phys. Lett., 92, 213101 (2008)
  • T.S. Shamirzaev, J. Debus, D.S. Abramkin, D. Dunker, D.R. Yakovlev, D.V. Dmitriev, A.K. Gutakovskii, L.S. Braginsky, K.S. Zhuravlev, M. Bayer. Phys. Rev. B, 84, 155318 (2011)
  • A.V. Khaetskii, Yu.V. Nazarov. Phys. Rev. B, 61, 12639 (2000)
  • D. Dunker, T.S. Shamirzaev, J. Debus, D.R. Yakovlev, K.S. Zhuravlev, M. Bayer. Appl. Phys. Lett., 101, 142108 (2012)
  • T.S. Shamirzaev, J. Debus, D.R. Yakovlev, M.M. Glazov, E.L. Ivchenko, M. Bayer. Phys. Rev. B, 94, 045411 (2016)
  • I. Vurgaftman, J.R. Meyer, L.R. Ram-Mohan. J. Appl. Phys., 89, 5815 (2001)
  • W.A. Harrison. Electronic Structure and Properties of Solids (W.H. Freeman, San Francisco, 1980)
  • P.M. Petroff, A.C. Gossard, W. Wiegmann. Appl. Phys. Lett., 45, 620 (1984)
  • E. Michel, G. Singh, S. Slivken, C. Besikci, P. Bove, I. Ferguson, M. Razegh. Appl. Phys. Lett., 65, 3338 (1994)
  • P. Boonpeng, S. Kiravittaya, S. Thainoi, S. Panyakeow, S. Ratanathammaphan. J. Cryst. Growth, 378, 435 (2013)
  • T. Mano, K. Watanabe, S. Tsukamoto, H. Fujioka, M. Oshima, N. Koguchi. J. Cryst. Growth, 209, 504 (2000)
  • F.K. LeGoues, J. Tersoff, M.C. Reuter, M. Hammar, R. Tromp. Appl. Phys. Lett., 67, 2317 (1995)
  • M. Knelangen, V. Consonni, A. Trampert, H. Riechert. Nanotechnology, 21, 245705 (2010)
  • N. Grandjean, J. Massies. J. Cryst. Growth, 134, 51 (1993)
  • C.W. Snyder, B.G. Orr, D. Kesler, L.M. Sander. Phys. Rev. Lett., 66, 3032 (1991)
  • C.W. Snyder, J.F. Mansfield, B.G. Orr. Phys. Rev. B, 46, 9551 (1992)
  • D.E. Jesson, S.J. Pennycook, J.-M. Baribeau, D.C. Houghton. Phys. Rev. Lett., 71, 1744 (1993)
  • P. Muller, R. Kern. Appl. Surf. Sci., 102, 6 (1996)
  • V.G. Dubrovskii, G.E. Cirlin, V.M. Ustinov. Phys. Rev. B, 68, 075409 (2003)
  • K.M. Chen, D.E. Jesson, S.J. Pennycook, T. Thundat, R.J. Warmack. Phys. Rev. B, 56, R1700 (1997)
  • Ch. Heyn. Phys. Rev. Lett., 64, 165306 (2001)
  • F.J. Falth, S.F. Yoon, E.A. Fitzgerald. Nanotechnology, 19, 455606 (2008)
  • Д.С. Абрамкин, Е.А. Емельянов, М.А. Путято, А.К. Гутаковский, А.С. Кожухов, Б.Р. Семягин, В.В. Преображенский, Т.С. Шамирзаев. Изв. РАН. Сер. физ., 80, 22 (2016)
  • R. Stepniewski, S. Huant, G. Martinez, B. Etienne. Phys. Rev. B, 40, 9772 (1989)
  • F. Ding, Y.H. Chen, C.G. Tang, B. Xu, Z.G. Wang. Phys. Rev. B, 76, 125404 (2007)
  • T.S. Shamirzaev, D.S. Abramkin, A.V. Nenashev, K.S. Zhuravlev, F. Trojanek, B. Dzurnvak, P. Maly. Nanotechnology, 21, 55703 (2010)
  • R. Eykholt, D.J. Srolovitz. J. Appl. Phys., 60, 1793 (1986)
  • A.M. Dabiran, P.I. Cohen. J. Cryst. Growth, 150, 23 (1995)
  • I.N. Krivorotov, T. Chang, G.D. Gilliland, L.P. Fu, K.K. Bajaj, D.J. Wolford. Phys. Rev. B, 58, 10687 (1998).
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.