"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Переходной процесс выключения 4H-SiC биполярного транзистора из режима глубокого насыщения
Юферев В.С.1, Левинштейн М.Е., Иванов П.А.1, Zhang Jon Q.2, Palmour John W.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Wolfspeed, A Cree company, Research Triangle Park, NC, USA
Email: Melev@nimis.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 7 февраля 2017 г.
Выставление онлайн: 21 августа 2017 г.

В рамках одномерного численного моделирования исследованы основные физические процессы, определяющие переходной процесс выключения биполярного SiC-транзистора из режима глубокого насыщения. Исследован процесс выключения в режиме обрыва базового тока и в режиме выключения отрицательным (выключающим) током базы. Показано, что при вполне реалистических значениях выключающего базового тока время выключения может быть уменьшено в ~40 раз по сравнению с временем выключения при нулевом базовом токе. Время задержки также может быть существенно, в несколько раз, сокращено. Отмечается, что в режиме глубокого насыщения, когда реализуется интенсивная модуляция проводимости коллекторного слоя, транзистор может работать в непрерывном режиме при весьма высокой плотности тока. DOI: 10.21883/FTP.2017.09.44889.8540
  • A. Agarwal, J. Muth, P. Gradzki, L. Marino, R. Ivester, N. Justice. Mater. Sci. Forum, 858, 797 (2016)
  • S. Ryu, A. Agarwal, R. Singh, J.W. Palmour. 58th IEEE Device Research Conf. Dig (Denver, Colorado, USA, June 19--21, 2000) p. 133
  • S. Ryu, A. Agarwal, R. Singh, J.W. Palmour. IEEE Electron Dev. Lett., 22, 124 (2001)
  • S. Krishnaswami, A. Agarwal, Ryu Sei-Hyung, C. Capell, J. Richmond, J. Palmour, S. Balachandran, T.P. Chow, S. Bayne, B. Geil, K. Jones, C. Scozzie. IEEE Electron Dev. Lett., 26, 175 (2005)
  • Q.J. Zhang, A. Agarwal, Al Burk, B. Geil, C. Scozzie. Sol. St. Electron., 52, 1008 (2008)
  • H. Miyake, T. Okuda, H. Niwa, T. Kimoto, J. Suda. IEEE Electron Dev. Lett., 33, 1598 (2012)
  • S. Balachandran, T.P. Chow, A. Agarwal, C. Scozzie, K.A. Jones. IEEE Electron Dev. Lett., 26, 470 (2005)
  • M. Domeij, C. Zaring, A. Konstantinov, M. Nawaz, J.-O. Svedberg, K. Gumaelius, I. Keri, A. Lindgren, B. Hammarlund, M. Ostling, K. Reimark. Mater. Sci. Forum, 645--648, 1033 (2010)
  • R. Ghandi, B. Buono, M. Domeij, C. Zetterling, M. Ostling. Mater. Sci. Forum, 679--680, 706 (2011)
  • Y. GAO. https://repository.lib.ncsu.edu/handle/1840.16/4818
  • B. Benedetto, R. Ghandi, M. Domeij, B.G. Malm, C-M. Zetterling, M. Ostling. IEEE Trans. Electron. Dev., 58, 2081 (2011)
  • V.S. Yuferev, M.E. Levinshtein, P.A. Ivanov, J.Q. Zhang, J.W. Palmour. Sol. St. Electron., 123, 130 (2016)
  • P.A. Ivanov, V.S. Yuferev, M.E. Levinshtein, J.Q. Zhang, J.W. Palmour. Abstracts 11th Eur. Conf. on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM-2016), Halkidiki, Greece, September 25--29, 2016) p. 407
  • И.П. Степаненко. Основы теории транзисторов и транзисторных схем (М.--Л., Госэнергоиздат, 1963)
  • M.E. Levinshtein, P.A. Ivanov, A.K. Agarwal, J.W. Palmour. Sol. St. Electron., 48, 491 (2004)
  • P.A. Ivanov, M.E. Levinshtein, J.W. Palmour, A.K. Agarwal, J. Zhang. Semicond. Sci. Technol., 25, 045030 (2010)
  • S.N. Vainshtein, V.S. Yuferev, J.T. Kostamovaara. IEEE Trans. Electron. Dev., 49, 142 (2002)
  • S.N. Vainshtein, V.S. Yuferev, J.T. Kostamovaara. Sol. St. Electron., 47 1255 (2003)
  • S.N. Vainshtein, V.S. Yuferev, J.T. Kostamovaara. Phys. Rev. Lett., 99, 176601 (2007)
  • M. Levinshtein, S. Rumyantsev, M. Shur. Properties of Advanced Semiconductor Materials: GaN, AIN, InN, BN, SiC, SiGe (John Wiley \& Sons, N. Y., 2001)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.