"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Прыжковая проводимость и диэлектрическая релаксация в барьерах Шоттки на основе GaN
Бочкарева Н.И.1, Вороненков В.В.1, Горбунов Р.И.1, Вирко М.В.2, Коготков В.С.2, Леонидов А.А.2, Воронцов-Вельяминов П.Н.3, Шеремет И.А.4, Шретер Ю.Г.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
4Финансовый университет при Правительстве Российской Федерации, Москва, Россия
Email: y.shreter@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 24 января 2017 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2017 г.

Представлены результаты исследования зависимостей тока и емкости от прямого смещения диодов Шоттки Au/n-GaN, а также спектров подзонного оптического поглощения и дефектной фотолюминесценции объемных кристаллов и тонких слоев n-GaN. Показано, что туннелирование с участием дефектов является доминирующим механизмом транспорта при прямых смещениях контактов Шоттки на n-GaN. Зависимости тока и емкости от прямого смещения отражают энергетический спектр дефектов в запрещенной зоне n-GaN: рост с энергией плотности глубоких состояний, ответственных за желтую фотолюминесценцию в GaN, и резкий экспоненциальный хвост состояний с урбаховской энергией EU=50 мэВ вблизи края зоны проводимости. Уменьшение частоты перескоков электронов вблизи интерфейса Au/n-GaN приводит к широкому распределению локальных времен диэлектрической релаксации и изменению распределения электрического поля в области пространственного заряда при прямых смещениях. DOI: 10.21883/FTP.2017.09.44888.8528
  • A. Lidow, J. Strydom, M. Rooij, D. Reusch. GaN transistors for efficient power conversion (Chichester, Wiley, 2015)
  • Z. Yatabe, J.T. Asubar, T. Hashizume. J. Phys. D: Appl. Phys., 49, 393001 (2016)
  • M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev, R. Gaska, J.W. Yang, M.S. Shur. Appl. Phys. Lett., 73, 1089 (1998)
  • L.S. Yu, Q.Z. Liu, Q.J. Xing, D.J. Qiao, S.S. Lau, J. Redwing. J. Appl. Phys., 84, 2099 (1998)
  • K. Suzue, S.N. Mohammad, Z.F. Fan, W. Kim, O. Aktas, A.E. Botchkarev, H. Morko c. J. Appl. Phys., 80, 4467 (1996)
  • D. Yan, J. Jiao, J. Ren, G. Yang, X. Gu. J. Appl. Phys., 114, 144511 (2013)
  • S. Karmalkar, D.M. Sathaiya, M.S. Shur. Appl. Phys. Lett., 82, 3976 (2003)
  • J. Racko, J. Pechav cek, M. Mikolav sek, P. Benko, A. Grmanova, L. Harmatha, J. Breza. Radioengineering, 21, 213 (2012)
  • С.Д. Ганичев, И.Н. Яссиевич, В. Преттл. ФТТ, 39, 1905 (1997)
  • E.J. Miller, E.T. Yu, P. Waltereit, J.S. Speck. Appl. Phys. Lett., 84, 535 (2004)
  • T. Sawada, Y. Ito, K. Imai, K. Suzuki, H. Tomozawa, S. Sakai. Appl. Surf. Sci., 159-60, 449 (2000)
  • Н.И. Бочкарева, И.А. Шеремет, Ю.Г. Шретер. ФТП, 50, 1387 (2016)
  • V. Voronenkov, N. Bochkareva, R. Gorbunov, P. Latyshev, Y. Lelikov, Y. Rebane, A. Tsyuk, A. Zubrilov, Y. Shreter. Jpn. J. Appl. Phys., 52, 08JE14 (2013)
  • F. Ioculano. F. Roccaforte, F. Giannazzo, V. Raineri. Appl. Phys. Lett., 90, 092119 (2007)
  • M. Mamor. J. Phys.: Condens. Matter, 21, 335802 (2009)
  • T. Mori, T. Kozawa, T. Ohwaki, Y. Taga, S. Nagai, S. Yamasaki, S. Asami, N. Shibata, M. Koike. Appl. Phys. Lett., 69, 3537 (1996)
  • M.A. Reshchikov, H. Morko c. J. Appl. Phys., 97, 061301 (2005)
  • C.H. Qiu, C. Hoggatt, W. Melton, M.W. Leksono, J.I. Pankove. Appl. Phys. Lett., 66, 2712 (1995)
  • O. Ambacher, W. Reiger, P. Ansmann, H. Angerer, T.D. Moustakas, M. Stutzmann. Sol. St. Commun., 97, 365 (1996)
  • L. Balagurov, P.J. Chong. Appl. Phys. Lett., 68, 43 (1996)
  • P.B. Klein, S.C. Binari. J. Phys.: Condens. Matter, 15, R1641 (2003)
  • S.M. Sze. Physics of Semiconductor Devices, 2nd ed. (Wiley, N. Y., 1981)
  • D. Monroe. Phys. Rev. Lett., 54, 146 (1985)
  • T. Tiedje, A. Rose. Sol. St. Commun., 37, 49 (1980)
  • Н.И. Бочкарева, Ю.Т. Ребане, Ю.Г. Шретер. ФТП, 49, 1714 (2015)
  • Н.И. Бочкарева, E.A. Zhirnov, А.А. Ефремов, Ю.Т. Ребане, Р.И. Горбунов, Ю.Г. Шретер. ФТП, 39, 627 (2005)
  • Н.И. Бочкарева, В.В. Вороненков, Р.И. Горбунов, Ф.Е. Латышев, Ю.С. Леликов, Ю.Т. Ребане, А.И. Цюк, Ю.Г. Шретер. ФТП, 47, 129 (2013)
  • D.V. Lang, J.D. Cohen, J.P. Harbison. Phys. Rev. B, 25, 5285 (1982)
  • J.D. Cohen, D.V. Lang. Phys. Rev. B, 25, 5321 (1982)
  • D.L. Dexter. Phys. Rev., 101B, 48 (1956).
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.