"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Оптические свойства метаморфной гибридной гетероструктуры вертикально излучающего лазера спектрального диапазона 1300 нм
Бабичев А.В.1,2,3, Крыжановская Н.В.1, Моисеев Э.И.1, Гладышев А.Г.2,3, Карачинский Л.Я.2,3,4, Новиков И.И.2,3,4, Блохин С.А.4, Бобров М.А.4, Задиранов Ю.М.4, Трошков С.И.4, Егоров А.Ю.2,3
1Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики, Санкт-Петербург, Россия
3ООО Коннектор Оптикс, Санкт-Петербург, Россия
4Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: anton.egorov@connector-optics.com
Поступила в редакцию: 15 февраля 2017 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2017 г.

Продемонстрирована возможность формирования гибридных метаморфных гетероструктур вертикально излучающих лазеров (ВИЛ) спектрального диапазона 1300 нм. Метаморфная полупроводниковая часть гетероструктуры с распределенным брэгговским отражателем на основе пары GaAs/AlGaAs и активной областью на основе квантовых ям InAlGaAs/InGaAs выращена методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложке GaAs(100). Верхнее диэлектрическое зеркало с распределенным брэгговским отражателем сформировано на основе пары SiO2/Ta2O5 методом магнетронного распыления. Проведено изучение спектров микрофотолюминесценции гетероструктур вертикально излучающих лазеров при комнатной температуре в диапазоне мощностей 0-70 мВт (длина волны оптической накачки составила 532 нм, диаметр сфокусированного пучка ~ 1 мкм). Наличие сверхлинейного хода зависимости интенсивности фотолюминесценции от мощности накачки наряду с заужением полуширины пиков фотолюминесценции и изменением модового состава могут быть обусловлены лазерной генерацией гетероструктуры вертикально излучающих лазеров. Полученные результаты свидетельствуют о возможности использования технологии метаморфного роста гетероструктур на подложках GaAs для создания вертикально излучающих лазеров спектрального диапазона 1300 нм. DOI: 10.21883/FTP.2017.09.44879.8557
  • M. Reinhardt, M. Fischer, M. Kamp, J. Hofmann, A. Forchel. IEEE Phot. Techn. Lett., 12 (3), 239 (2000)
  • M. Fischer, M. Reinhardt, A. Forchel. IEEE Phot. Techn. Lett., 12 (10), 1313 (2000)
  • M. Larson, M. Kondow, T. Kitatani, Y. Yazawa, M. Okai. Electron. Lett., 33, 959 (1997)
  • C. Ellmers, F. Hohnsdorf, J. Koch, C. Agert, S. Leu, D. Karaiskaj, M. Hofmann, W. Stolz, W. Ruhle. Appl. Phys. Lett., 74, 2271 (1999)
  • T. Takeuchi, Y.L. Chang, M. Leary, A. Tandon, H.C. Luan, D. Bour, S. Corzine, R. Twist, M. Tan. Electron. Lett., 38 (23), 1438 (2002)
  • F. Mederer, I. Ecker, R. Michalzik, G. Steinle, H. Riechert, B. Lunitz, J. Moisel, D. Wiedenmann. In: 52nd IEEE Electron. Compon. Techn. Conf. Proceedings (San Diego, California USA, 2002) p. 5
  • M. Baranowski, R. Kudrawiec, J. Misiewicz, M. Hammar. Appl. Phys. A, 118 (2), 479 (2015)
  • M.A. Wistey, S.R. Bank, H.P. Bae, H.B. Yuen, E.R. Pickett, L.L. Goddard, J.S. Harris. Electron. Lett., 42 (5), 1 (2006)
  • S.R. Bank, L.L. Goddard, M.A. Wistey, H.B. Yuen, J.S. Harris. IEEE J. Select. Top. Quant. Electron., 11 (5), 1089 (2005)
  • T. Sarmiento, H.P. Bae, T.D. O'sullivan, J.S. Harris. Electron. Lett., 45 (19), 978 (2009)
  • V.M. Korpijarvi, E.L. Kantola, T. Leinonen, R. Isoaho, M. Guina. IEEE J. Select. Top. Quant. Electron., 21 (6), 480 (2015)
  • J.S. Harris, H. Bae, T. Sarmiento. In: VCSELs Fundamentals, Technology and Applications of Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers, ed. by R. Michalzik (Heidelberg--N.Y.--Dordrecht--London, Springer, 2013)
  • H.C. Yu, J.S. Wang, Y.K. Su, S.J. Chang, F.I. Lai, Y.H. Chang, H.C. Kuo, C.P. Sung, H.P.D. Yang, K.F. Lin, J.M. Wang, J.Y. Chi, R.S. Hsiao, J.M. Wang. IEEE Photonics Technol. Lett., 18 (2), 418 (2006)
  • K. Akahane, N. Yamamoto, T. Kawanishi. IEEE Phot. Techn. Lett., 22 (2), 103 (2010)
  • A.R. Kovsh, N.A. Maleev, A.E. Zhukov, S.S. Mikhrin, A.P. Vasil'ev, E.A. Semenova, Yu.M. Shernyakov, M.V. Maximov, D.A. Livshits, V.M. Ustinov, N.N. Ledentsov, D. Bimberg, Zh.I. Alferov. J. Cryst. Growth, 251 (1), 729 (2003)
  • N.V. Kryzhanovskaya, E.I. Moiseev, Y.V. Kudashova, F.I. Zubov, A.A. Lipovskii, M.M. Kulagina, S.I. Troshkov, Yu.M. Zadiranov, D.A. Livshits, M.V. Maximov, A.E. Zhukov. Electron. Lett., 51 (17), 1354 (2015)
  • K. Akahane, N. Yamamoto, T. Umezawa, A. Kanno, T. Kawanishi. Jpn. J. Appl. Phys., 53 (4S), 04EG02 (2014)
  • D. Gready, G. Eisenstein, V. Ivanov, C. Gilfert, F. Schnabel, A. Rippien, J.P. Reithmaier, C. Bornholdt. IEEE Photonics Technol. Lett., 26 (1), 11 (2014)
  • H. Huang, K. Schires, L.C. Lin, C.Y. Chen, D. Arsenijevic, D. Bimberg, F.Y. Lin, F. Grillot. CLEO: Science and Innovations, San Jose, CA, 2016, OSA Technical Digest (2016) [(Optical Society of America, Washington, DC, 2016) p. STh4L-6]
  • S. Paul, C. Gierl, J. Cesar, Q.T. Le, M. Malekizandi, B. Kogel, C. Neumeyr, M. Ortsiefer, F. Kuppers. IEEE J. Select. Top. Quant. Electron., 21 (6), 436 (2015)
  • E. Kapon, A. Sirbu. Nature Photonics, 3 (1), 27 (2009)
  • H.K. Sahoo, T. Ansb k, L. Ottaviano, E.S. Semenova, O. Hansen, K. Yvind. Proc. SPIE 9760, MOEMS and Miniaturized Systems XV (San Francisco, CA, United States, 2016) p. 97600X
  • C. Levallois, A. Le Corre, S. Loualiche, O. Dehaese, H. Folliot, C. Paranthoen, F. Thoumyre, C. Labbe. J. Appl. Phys., 98 (4), 043107 (2005)
  • H.W. Song, W.S. Han, J.H. Kim, O.K. Kwon, Y.G. Ju, J.H. Lee, S.H. KoParkm, S.G. Kang. Electron. Lett., 40, 868 (2004)
  • E.P. Haglund, S. Kumari, P. Westbergh, J.S. Gustavsson, G. Roelkens, R. Baets, A. Larsson. Opt. Express, 23 (26), 33634 (2015)
  • J. Ferrara, W. Yang, L. Zhu, P. Qiao, C.J. Chang-Hasnain. Opt. Express, 23 (3), 2512 (2015)
  • A. Caliman, A. Sirbu, V. Iakovlev, A. Mereuta, P. Wolf, D. Bimberg, E. Kapon. Optical Fiber Communication Conference, Anaheim, CA, 2016, OSA Technical Digest [(Optical Society of America, Washington, DC, 2016) p. Tu3D-1]
  • R.M. von Wurtemberg, X. Yu, J. Berggren, M. Hammar. IET Optoelectron., 3 (2), 112 (2009)
  • A. Mereuta, A. Sirbu, A. Caliman, G. Suruceanu, V. Iakovlev, Z. Mickovic, E. Kapon. J. Cryst. Growth, 414, 210 (2015)
  • A.V. Babichev, L.Y. Karachinsky, I.I. Novikov, A.G. Gladyshev, S. Mikhailov, V. Iakovlev, A. Sirbu, G. Stepniak, L. Chorchos, J. Turkiewicz, M. Agustin, N.N. Ledentsov, A.Y. Egorov. Proc. SPIE 9766, Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers XXI (San Francisco, CA, United States, 2017) p. 10122-7]
  • И.И. Новиков, М.В. Максимов, Ю.М. Шерняков, Н.Ю. Гордеев, А.Р. Ковш, А.Е. Жуков, С.С. Михрин, Н.А. Малеев, А.П. Васильев, В.М. Устинов, Ж.И. Алферов. ФТП, 37 (10), 1270 (2003)
  • N.N. Ledentsov, A.R. Kovsh, A.E. Zhukov, N.A. Maleev, S.S. Mikhrin, A.P. Vasil'ev, E.S. Semenova, M.V. Maximov, Yu.M. Shernyakov, N.V. Kryzhanovskaya, V.M. Ustinov, D. Bimberg. Electron. Lett. 39 (15), 1126 (2003)
  • T. Kettler, L.Y. Karachinsky, N.N. Ledentsov, V.A. Shchukin, G. Fiol, M. Kuntz, A. Lochmann, O. Schulz, L. Reissmann, K. Posilovic, D. Bimberg, I.I. Novikov, Yu.M. Shernyakov, N.Yu. Gordeev, M.V. Maximov, N.V. Kryzhanovskaya, A.E. Zhukov, E.S. Semenova, A.P. Vasil'ev, V.M. Ustinov, A.R. Kovsh. Appl. Phys. Lett., 89 (4), 041113 (2006)
  • L.Y. Karachinsky, T. Kettler, I.I. Novikov, Y.M. Shernyakov, N.Y. Gordeev, M.V. Maximov, N.V. Kryzhanovskaya, A.E. Zhukov, E.S. Semenova, A.P. Vasil'ev, V.M. Ustinov, G. Fiol, M. Kuntz, A. Lochmann, O. Schulz, L. Reissmann, K. Posilovic, A.R. Kovsh, S.S. Mikhrin, V.A. Shchukin, N.N. Ledentsov, D. Bimberg. Semicond. Sci. Technol., 21 (5), 691 (2006)
  • N.N. Ledentsov, V.A. Shchukin, T. Kettler, K. Posilovic, D. Bimberg, L.Y. Karachinsky, A.E. Zhukov. J. Cryst. Growth, 301, 914 (2007)
  • I. Garci a, J.F. Geisz, R.M. France, J. Kang, S.H. Wei, M. Ochoa, D.J. Friedman. J. Appl. Phys., 116 (7), 074508 (2014)
  • J. Boucart, R. Pathak, D. Zhang, M. Beaudoin, P. Kner, D. Sun, R.J. Stone, R.F. Nabiev, W. Yuen. IEEE Photonics Technol. Lett., 15 (9), 1186 (2003)
  • P. Kner, T. Kageyama, J. Boucart, R. Stone, D. Sun, R.F. Nabiev, R. Pathak, W. Yuen. IEEE Phot. Technol. Lett., 15 (9), 1183 (2003)
  • D. Sun, W. Fan, P. Kner, J. Boucart, T. Kageyama, R. Pathak, D. Zhang, W. Yuen. IEEE Phot. Technol. Lett., 15 (12), 1677 (2003)
  • А.Ю. Егоров, Л.Я. Карачинский, И.И. Новиков, А.В. Бабичев, Т.Н. Березовская, В.Н. Неведомский. ФТП, 49 (10), 1434 (2015)
  • J.P. Tourrenc, S. Bouchoule, A. Khadour, J.C. Harmand, A. Miard, J. Decobert, N. Lagay, X. Lafosse, I. Sagnes, L. Leroy, J.L. Oudar. Optical Quant. Electron., 40 (2-4), 155 (2008)
  • J.P. Tourrenc, S. Bouchoule, A. Khadour, J. Decobert, A. Miard, J.C. Harmand, J.L. Oudar. Electron. Lett., 43 (14), 1 (2007)
  • J. Boucart, C. Starck, F. Gaborit, A. Plais, N. Bouche, E. Derouin, L. Goldstein, C. Fortin, D. Carpentier, P. Salet, F. Brillouet, J. Jacquet. IEEE Phot. Techn. Lett., 11 (6), 629 (1999)
  • J. Cheng, C.L. Shieh, X. Huang, G. Liu, M.V.R. Murty, C.C. Lin, D.X. Xu. IEEE Phot. Techn. Lett., 17 (1), 7 (2005)
  • Y. Ohiso, R. Iga. Thin Sol. Films, 542, 317 (2013)
  • L. Goldstein, C. Fortin, C. Starck, A. Plais, J. Jacquet, J. Boucart, A. Rocher, D. Carperntier, C. Poussou. Electron. Lett., 34 (3), 268 (1998)
  • J. Boucart, C. Starck, A. Plais, E. Derouin, C. Fortin, F. Gaborit, A. Pinquier, L. Goldstein, D. Carperntier, J. Jacquet. Electron. Lett., 34 (22), 2133 (1998)
  • D. Wu, H. Wang, B. Wu, H. Ni, S. Huang, Y. Xiong, P. Wang, Q. Han, Z. Niu, I. Tangring, S. M. Wang. Electron. Lett., 44 (7), 1 (2008)
  • I. Tangring, S. Wang, M. Sadeghi, A. Larsson. Electron. Lett., 42 (12), 691 (2006)
  • Н.А. Малеев, А.Г. Кузьменков, М.М. Кулагина, Ю.М. Задиранов, А.П. Васильев, С.А. Блохин, А.С. Шуленков, С.И. Трошков, А.Г. Гладышев, А.М. Надточий, М.М. Павлов. ФТП, 47 (7), 985 (2013)
  • S.K. Mandre, W. Elsab er, I. Fischer, M. Peeters, G. Verschaffelt. Appl. Phys. Lett., 89 (15), 151106 (2006)
  • С.А. Блохин, Н.В. Крыжановская, Э.И. Моисеев, М.А. Бобров, А.Г. Кузьменков, А.А. Блохин, А.П. Васильев, И.О. Карповский, Ю.М. Задиранов, С.И. Трошков, В.Н. Неведомский, Е.В. Никитина, Н.А. Малеев, В.М. Устинов. Письма в ЖТФ, 42 (19), 70 (2016).
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.