"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Экспериментальные исследования влияния эффектов атомного упорядочения в эпитаксиальных твердых растворах GaxIn1-xP на их оптические свойства
Середин П.В.1, Голощапов Д.Л.1, Леньшин А.С.1, Лукин А.Н.1, Худяков Ю.Ю.1, Арсентьев И.Н.2, Prutskij Тatiana3
1Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Instituto de Ciencias, Benemerita Universidad Autonoma de Puebla, Puebla, Pue., Mexico
Поступила в редакцию: 12 декабря 2016 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2017 г.

В работе комплексом спектроскопических методов изучены свойства эпитаксиальных твердых растворов GaxIn1-xP с упорядоченным расположением атомов в кристаллической решетке, выращенных методом MOCVD на монокристаллических подложках GaAs(100). В условиях когерентного роста упорядоченного твердого раствора GaxIn1-xP на GaAs(100) появление атомного упорядочения приводит к кардинальному изменению оптических свойств полупроводника по сравнению со свойствами неупорядоченных твердых растворов, среди которых уменьшение ширины запрещенной зоны и усиление люминесценции. Впервые на основе данных дисперсионного анализа ИК-спектров отражения, а также данных УФ-спектроскопии, полученных в режиме пропускание--отражение, определены основные оптические характеристики твердых растворов GaxIn1-xP с упорядочением, а именно дисперсия коэффициента преломления, высокочастотная диэлектрическая проницаемость. Все экспериментальные результаты находятся в хорошем согласии с развитыми теоретическими представлениями. DOI: 10.21883/FTP.2017.09.44877.8481
  • A. Zunger. MRS Bull., 22, 20 (1997)
  • S.-H. Wei, A. Zunger. Phys. Rev. B, 49, 14337 (1994)
  • K. Mukherjee, P.B. Deotare, E.A. Fitzgerald. Appl. Phys. Lett., 106, 142109 (2015)
  • E.P. Domashevskaya, P.V. Seredin, L.A. Bityutskaya, I.N. Arsent'ev, D.A. Vinokurov, I.S. Tarasov. J. Surf. Investig. X-Ray Synchrotron Neutron Tech., 2, 133 (2008)
  • E.P. Domashevskaya, P.V. Seredin, E.A. Dolgopolova, I.E. Zanin, I.N. Arsent'ev, D.A. Vinokurov, A.L. Stankevich, I.S. Tarasov. Semiconductors, 39, 336 (2005)
  • P.V. Seredin, A.V. Glotov, V.E. Ternovaya, E.P. Domashevskaya, I.N. Arsentyev, L.S. Vavilova, I.S. Tarasov. Semiconductors, 45, 1433 (2011)
  • P.V. Seredin, E.P. Domashevskaya, I.N. Arsentyev, D.A. Vinokurov, A.L. Stankevich, T. Prutskij. Semiconductors, 47, 1 (2013)
  • P.V. Seredin, A.V. Glotov, E.P. Domashevskaya, I.N. Arsentyev, D.A. Vinokurov, A.L. Stankevich, I.S. Tarasov. Semiconductors, 44, 1106 (2010)
  • S.P. Ahrenkiel, K.M. Jones, R.J. Matson, M.M. Al-Jassim, Y. Zhang, A. Mascarenhas, D.J. Friedman, D.J. Arent, J.M. Olson, M.C. Hanna. MRS Proc., 583, 243 (1999)
  • S. Laref, S. Me cabih, B. Abbar, B. Bouhafs, A. Laref. Phys. B Condens. Matter, 396, 169 (2007)
  • P. Ernst, C. Geng, F. Scholz, H. Schweizer. Phys. Status Solidi B, 193, 213 (1996)
  • S.H. Wei, L.G. Ferreira, A. Zunger. Phys. Rev. B Condens. Matter, 41, 8240 (1990)
  • K. Uchida, K. Satoh, K. Asano, A. Koizumi, S. Nozaki. J. Cryst. Growth, 370, 136 (2013)
  • H.M. Cheong, F. Alsina, A. Mascarenhas, J.F. Geisz, J.M. Olson. Phys. Rev. B, 56, 1888 (1997)
  • A. Gomyo, T. Suzuki, S. Iijima. Phys. Rev. Lett., 60, 2645 (1988)
  • P.V. Seredin, A.S. Lenshin, Yu.Yu. Khudyakov, I.N. Arsentyev, I.N. Koliuzhny, S.A. Mintairov, D.N. Nikolaev, T. Prutskij,. Semiconductors, 51 (8) 2017, accepted for publication
  • P.V. Seredin, A.V. Glotov, A.S. Lenshin, I.N. Arsentyev, D.A. Vinokurov, T. Prutskij, H. Leiste, M. Rinke. Semiconductors, 48, 21 (2014)
  • P.V. Seredin, A.V. Glotov, E.P. Domashevskaya, I.N. Arsentyev, D.A. Vinokurov, I.S. Tarasov. Phys. B Condens. Matter, 405, 4607 (2010)
  • O. Pag\`es, A. Chafi, D. Fristot, A.V. Postnikov. Phys. Rev. B, 73, 165206 (2006)
  • H.W. Verleur. J. Opt. Soc. Am., 58, 1356 (1968)
  • P.V. Seredin, A.V. Glotov, E.P. Domashevskaya, I.N. Arsentyev, D.A. Vinokurov, I.S. Tarasov, I.A. Zhurbina. Semiconductors, 44, 184 (2010)
  • E.P. Domashevskaya, P.V. Seredin, A.N. Lukin, L.A. Bityutskaya, M.V. Grechkina, I.N. Arsent'ev, D.A. Vinokurov, I.S. Tarasov. Semiconductors, 40, 406 (2006)
  • I.F. Chang, S.S. Mitra. Phys. Rev. B, 2, 1215 (1970)
  • S. Adachi. Properties of Semiconductor Alloys: Group-IV, III-V and II-VI Semiconductors (Wiley, Chichester, U.K, 2009)
  • P.B. Seredin, A.C. Lenshin, V.M. Kashkarov, A.N. Lukin, I.N. Arsentiev, A.D. Bondarev, I.S. Tarasov. Mater. Sci. Semicond. Process., 39, 551 (2015)
  • P.V. Seredin, V.M. Kashkarov, I.N. Arsentyev, A.D. Bondarev, I.S. Tarasov. Phys. B: Condens. Matter, 495, 54 (2016)
  • M. Schubert, V. Gottschalch, C.M. Herzinger, H. Yao, P.G. Snyder, J.A. Woollam. J. Appl. Phys., 77, 3416 (1995)
  • P.S. Vyas, P.N. Gajjar, A.R. Jani. J. Phys. Conf. Ser., 500, 182042 (2014)
  • M. Boucenna, N. Bouarissa. Opt. Int. J. Light Electron Opt., 125, 6611 (2014)
  • A.B. Kuzmenko. Rev. Sci. Instrum., 76, 83 (2005)
  • V. Lucarini, K.-E. Peiponen, J.J. Saarinen, E.M. Vartiainen. Kramers-Kronig Relations in Optical Materials Research (Springer, Berlin-N.Y., 2005)
  • P.V. Seredin, E.P. Domashevskaya, V.E. Rudneva, V.E. Rudneva, N.N. Gordienko, A.V. Glotov, I.N. Arsentyev, D.A. Vinokurov, A.L. Stankevich, I.S. Tarasov. Semiconductors, 43, 1221 (2009)
  • E.P. Domashevskaya, P.V. Seredin, A.N. Lukin, L.A. Bityutskaya, M.V. Grechkina, I.N. Arsentyev, D.A. Vinokurov, I.S. Tarasov. Surf. Interface Anal., 38, 828 (2006)
  • L.G. Ferreira, S.-H. Wei, A. Zunger. Phys. Rev. B, 40, 3197 (1989)
  • P. Ernst, C. Geng, F. Scholz, H. Schweizer, Y. Zhang, A. Mascarenhas. Appl. Phys. Lett., 67, 2347 (1995)
  • M.A. Steiner, L. Bhusal, J.F. Geisz, A.G. Norman, M.J. Romero, W.J. Olavarria, Y. Zhang, A. Mascarenhas. J. Appl. Phys., 106, 63525 (2009)
  • M.J. Mori, E.A. Fitzgerald. J. Appl. Phys., 105, 13107 (2009).
  • A. Zunger. MRS Bull., 22, 20 (1997)
  • S.-H. Wei, A. Zunger. Phys. Rev. B, 49, 14337 (1994)
  • K. Mukherjee, P.B. Deotare, E.A. Fitzgerald. Appl. Phys. Lett., 106, 142109 (2015)
  • E.P. Domashevskaya, P.V. Seredin, L.A. Bityutskaya, I.N. Arsent'ev, D.A. Vinokurov, I.S. Tarasov. J. Surf. Investig. X-Ray Synchrotron Neutron Tech., 2, 133 (2008)
  • E.P. Domashevskaya, P.V. Seredin, E.A. Dolgopolova, I.E. Zanin, I.N. Arsent'ev, D.A. Vinokurov, A.L. Stankevich, I.S. Tarasov. Semiconductors, 39, 336 (2005)
  • P.V. Seredin, A.V. Glotov, V.E. Ternovaya, E.P. Domashevskaya, I.N. Arsentyev, L.S. Vavilova, I.S. Tarasov. Semiconductors, 45, 1433 (2011)
  • P.V. Seredin, E.P. Domashevskaya, I.N. Arsent'ev, D.A. Vinokurov, A.L. Stankevich, T. Prutskij. Semiconductors, 47, 1 (2013)
  • P.V. Seredin, A.V. Glotov, E.P. Domashevskaya, I.N. Arsentyev, D.A. Vinokurov, A.L. Stankevich, I.S. Tarasov. Semiconductors, 44, 1106 (2010)
  • S.P. Ahrenkiel, K.M. Jones, R.J. Matson, M.M. Al-Jassim, Y. Zhang, A. Mascarenhas, D.J. Friedman, D.J. Arent, J.M. Olson, M.C. Hanna. MRS Proc., 583 (1999)
  • S. Laref, S. Me cabih, B. Abbar, B. Bouhafs, A. Laref. Phys. B Condens. Matter, 396, 169 (2007)
  • P. Ernst, C. Geng, F. Scholz, H. Schweizer. Phys. Status Solidi B, 193, 213 (1996)
  • S.H. Wei, L.G. Ferreira, A. Zunger. Phys. Rev. B Condens. Matter, 41, 8240 (1990)
  • K. Uchida, K. Satoh, K. Asano, A. Koizumi, S. Nozaki. J. Cryst. Growth, 370, 136 (2013)
  • H.M. Cheong, F. Alsina, A. Mascarenhas, J.F. Geisz, J.M. Olson. Phys. Rev. B, 56, 1888 (1997)
  • A. Gomyo, T. Suzuki, S. Iijima. Phys. Rev. Lett., 60, 2645 (1988)
  • P.V. Seredin, A.V. Glotov, E.P. Domashevskaya, A.S. Lenshin, M.S. Smirnov, I.N. Arsentyev, D.A. Vinokurov, A.L. Stankevich, I.S. Tarasov. Semiconductors, 46, 719 (2012)
  • P.V. Seredin, A.V. Glotov, A.S. Lenshin, I.N. Arsentyev, D.A. Vinokurov, T. Prutskij, H. Leiste, M. Rinke. Semiconductors, 48, 21 (2014)
  • P.V. Seredin, A.V. Glotov, E.P. Domashevskaya, I.N. Arsentyev, D.A. Vinokurov, I.S. Tarasov. Phys. B Condens. Matter, 405, 4607 (2010)
  • O. Pag\`es, A. Chafi, D. Fristot, A.V. Postnikov. Phys. Rev. B, 73, 165206 (2006)
  • H.W. Verleur. J. Opt. Soc. Am., 58, 1356 (1968)
  • P.V. Seredin, A.V. Glotov, E.P. Domashevskaya, I.N. Arsentyev, D.A. Vinokurov, I.S. Tarasov, I.A. Zhurbina. Semiconductors, 44, 184 (2010)
  • E.P. Domashevskaya, P.V. Seredin, A.N. Lukin, L.A. Bityutskaya, M.V. Grechkina, I.N. Arsent'ev, D.A. Vinokurov, I.S. Tarasov. Semiconductors, 40, 406 (2006)
  • I.F. Chang, S.S. Mitra. Phys. Rev. B, 2, 1215 (1970)
  • S. Adachi. Properties of Semiconductor Alloys: Group-IV, III-V and II-VI Semiconductors (Wiley, Chichester, U.K, 2009)
  • P.B. Seredin, A.C. Lenshin, V. Kashkarov, A.N. Lukin, I.N. Arsentiev, A.D. Bondarev, I.S. Tarasov. Mater. Sci. Semicond. Process., 39, 551 (2015)
  • P.V. Seredin, V.M. Kashkarov, I.N. Arsentyev, A.D. Bondarev, I.S. Tarasov. Phys. B: Condens. Matter, 495, 54 (2016)
  • M. Schubert, V. Gottschalch, C.M. Herzinger, H. Yao, P.G. Snyder, J.A. Woollam. J. Appl. Phys., 77, 3416 (1995)
  • P.S. Vyas, P.N. Gajjar, A.R. Jani. J. Phys. Conf. Ser., 500, 182042 (2014)
  • M. Boucenna, N. Bouarissa. Opt. Int. J. Light Electron Opt., 125, 6611 (2014)
  • A.B. Kuzmenko. Rev. Sci. Instrum., 76, 83 (2005)
  • V. Lucarini, K.-E. Peiponen, J.J. Saarinen, E.M. Vartiainen. Kramers-Kronig Relations in Optical Materials Research (Springer, Berlin; New York, 2005)
  • P.V. Seredin, E.P. Domashevskaya, V.E. Rudneva, V.E. Rudneva, N.N. Gordienko, A.V. Glotov, I.N. Arsentyev, D.A. Vinokurov, A.L. Stankevich, I.S. Tarasov. Semiconductors, 43, 1221 (2009)
  • E.P. Domashevskaya, P.V. Seredin, A.N. Lukin, L.A. Bityutskaya, M.V. Grechkina, I.N. Arsentyev, D.A. Vinokurov, I.S. Tarasov. Surf. Interface Anal., 38, 828 (2006)
  • L.G. Ferreira, S.-H. Wei, A. Zunger. Phys. Rev. B, 40, 3197 (1989)
  • P. Ernst, C. Geng, F. Scholz, H. Schweizer, Y. Zhang, A. Mascarenhas. Appl. Phys. Lett., 67, 2347 (1995)
  • M.A. Steiner, L. Bhusal, J.F. Geisz, A.G. Norman, M.J. Romero, W.J. Olavarria, Y. Zhang, A. Mascarenhas. J. Appl. Phys., 106, 63525 (2009)
  • M.J. Mori, E.A. Fitzgerald. J. Appl. Phys., 105, 13107 (2009).
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.