"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Остаточные напряжения в кремнии и их эволюция при температурной обработке и облучении
Мaтяш И.Е.1, Минайлова И.А.1, Сердега Б.К.1, Хируненко Л.И.2
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2Институт физики Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Email: i_matyash@ukr.net, irinaminailova125@gmail.com, bserdega@gmail.com, lukh@iop.kiev.ua
Поступила в редакцию: 20 января 2017 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2017 г.

Исследованы распределения внутренних механических напряжений нелегированного и легированного оловом кремния и влияния на них облучения электронами с энергией 5 МэВ и температурной обработки при 450oC. Измерения напряжений проводились методом, основанным на регистрации двулучепреломления с помощью модуляционной поляриметрии. Показано, что легированный оловом кремний имеет полосы точечных дефектов с неоднородным распределением остаточных напряжений до 20 кг/см2. Температурная обработка при 450oC приводит к повышению остаточных напряжений в образце до 50 кг/см2. Выявлено, что радиационные дефекты, которые образовались при облучении кремния, легированного оловом, приводят к уменьшению остаточных напряжений до 2-3 кг/см2. DOI: 10.21883/FTP.2017.09.44876.8527
  • T. Hideki. J. App. Phys., 43, 4055 (2004)
  • S.W. Glunz, R. Preu, D. Biro. Comprehensive Renewable Energy, 1, chap. 1.16 (2012)
  • A. Bukowski. Acta Phys. Polon. A, 124, 235 (2013)
  • L.I. Khirunenko, O.O. Kobzar, Yu.V. Pomozov, M.G. Sosnin, M.O. Tripachko. Phys. B, 340, 541 (2003)
  • L.I. Khirunenko, O.O. Kobzar, Yu.V. Pomozov, M.G. Sosnin, M.O. Tripachko, N.V. Abrosimov, H. Riemann. Phys. B, 340, 546 (2003)
  • Ю.И. Головин, А.А. Дмитриевский, Н.Ю. Сучкова. ФТТ, 50, 26 (2008)
  • L.I. Berezhinsky, I.L. Berezhinsky, O.N. Grigorev, B.K. Serdega, V.A. Ukhimchuk. J. Eur. Ceram., 27, 2513 (2007)
  • И.Е. Матяш, Б.К. Сердега. Оптоэлектрон. и полупроводн. техн., 40, 155 (2005)
  • V.V. Voronkov. J. Cryst. Growth., 59, 625 (1982)
  • T. Taishi, Y. Ohno, I. Yonenaga. Phys. B, 401, 560 (2007)
  • T. Marek, M. Werner, G. Gerth. Cryst. Res. Technol., 35, 769 (2000)
  • М.В. Меженный, М.Г. Мильвидский, М.П. Павлов. ФТТ, 43, 1 (2001)
  • Ю.В. Помозов, М.Г. Соснин, Л.И. Хируненко, В.И. Яшник. ФТП, 34, 1035 (2000)
  • F. Shimura. Semicond. Semimet., 42, 191 (1994).
  • Proc. NATO Advanced Workshop on the Early Stages of Oxygen Precipitation in Silicon (Exeter, U.K., 1996), ed. by R. Jones. NATO ASI Ser., 3. High Technology (Kluwer, Academic Publishers, Dordrecht, 1996) v. 17
  • V.P. Markevich, L.F. Makarenko, L.I. Murin. Mater. Sci. Forum., 589, 38 (1989)
  • S.A. McQuaid, M.J. Binns, C.A. Londos, J.H. Tucker, A.R. Brown, R.C. Newman. J. Appl. Phys., 77, 1427 (1995)
  • L.I. Khirunenko, O.A. Kobzar', Yu.V. Pomozov, M.G. Sosnin, N.A. Tripachko, N.V. Abrosimov, H. Riemann. Sol. St. Phenomena, 95--96, 393 (2004)
  • L.I. Khirunenko, O.A. Kobzar, Yu.V. Pomozov, M.G. Sosnin, N.A. Tripachko, V.P. Markevich, L.I. Murin, A.R. Peaker. Phys. Status. Solidi C, 0, 694 (2003).
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.