Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние растворителя сульфида аммония на пассивацию поверхности GaSb(100)

DOI: 10.21883/FTP.2017.08.44803.8517a

Лебедев М.В. ¹, Львова Т.В.

¹, Павлов С.И.

¹, Седова И.В. ¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Email: mleb@triat.ioffe.ru, tatyana.lvova.12@mail.ru, pavlov_sergey@mail.ioffe.ru, irina@beam.ioffe.ru

Поступила в редакцию: 17 января 2017 г.

Выставление онлайн: 20 июля 2017 г.

PDF версия

Методами рентгеновской фотоэмиссионной спектроскопии и сканирующей электронной микроскопии исследовано влияние растворителя на химический состав сульфидного слоя, образующегося на поверхности GaSb(100). Обработка поверхности GaSb(100) в растворах сульфида аммония приводит к формированию толстого (несколько десятков нанометров) покрытия, представляющего собой смесь различных бинарных и тройных сульфидов галлия и сурьмы. Обнаружено различие химического состава пассивирующих сульфидных слоев, сформированных в водном и спиртовом растворах сульфида аммония. Отжиг сульфидного слоя при 360^oC приводит к частичной десорбции сурьмы и распаду тройных сульфидов на бинарные составляющие. DOI: 10.21883/FTP.2017.08.44803.8517a

P.S. Dutta, H.L. Bhat, V. Kumar. J. Appl. Phys., 81, 5821 (1997)
B.M. Nguyen, D. Hoffman, Y. Wei, P.Y. Delaunay, A. Hood, M. Razeghi. Appl. Phys. Lett., 90, 231108 (2007)
A.W. Dey, B.M. Borg, B. Ganjipour, M. Ek, K.A. Dick, E. Lind, C. Thelander, L.-E. Wernersson. IEEE Electron Dev. Lett., 34, 211 (2013)
Y. Mizokawa, O. Komoda, S. Miyase. Thin Sol. Films, 156, 127 (1988)
P.S. Dutta, K.S.R. Koteswara Rao, H.L. Bhat, V. Kumar. J. Appl. Phys., 77, 4825 (1995)
A.Y. Polyakov, A.G. Milnes, X.L. Li, A.A. Balmashnov, N.B. Smirnov. Solid-State Electron., 38, 1743 (1995)
J. Diaz-Reyes, E. Corona-Organiche, J.L. Herrera-Perez, J.G. Mendoza-Alvarez. Mod. Phys. Lett. B, 15, 804 (2001)
M. Perotin, P. Coudray, L. Gouskov, H. Luquet, C. Llinares, J.J. Bonnet, L. Soonckindt, B. Lambert. J. Electron. Mater., 23, 7 (1994)
Z.Y. Liu, T.F. Kuech, D.A. Saulys. Appl. Phys. Lett., 83, 2587 (2003)
J.A. Robinson, S.E. Mahoney. J. Appl. Phys., 96, 2684 (2004)
E.V. Kunitsyna, T.V. L'vova, M.S. Dunaevskii, Ya.V. Terent'ev, A.N. Semenov, V.A. Solov'ev, B.Ya. Meltser, S.V. Ivanov, Yu.P. Yakovlev. Appl. Surf. Sci., 256, 5644 (2010)
D.M. Murare, N. Eassa, J.H. Neethling, R. Betz, E. Coetsee, H.C. Swart, J.R. Botha, A. Venter. Appl. Surf. Sci., 258, 6753 (2012)
B. Wang, Z. Wei, M. Li, G. Liu, Y. Zou, G. Xing, T.T. Tan, S. Li, X. Chu, F. Fang, X. Fang, J. Li, X. Wang, X. Ma. Chem. Phys. Lett., 556, 182 (2013)
M.V. Lebedev, E.V. Kunitsyna, W. Calvet, T. Mayer, W. Jaegermann. J. Phys. Chem. C, 117, 15996 (2013)
D. Tao, Y. Cheng, J. Liu, J. Su, T. Liu, F. Yang, F. Wang, K. Cao, Z. Dong, Y. Zhao. Mater. Sci. Semicond. Proc., 40, 685 (2015)
В.Н. Бессолов, М.В. Лебедев. ФТП, 32, 1281 (1998)
T. Mayer, M. Lebedev, R. Hunger, W. Jaegermann. Appl. Surf. Sci., 252, 31 (2005)
S. Tanuma, C.J. Powell, D.R. Penn. Surf. Interface Anal., 17, 927 (1991)
J.J. Yeah, I. Lindau. At. Data Nucl. Data Tables, 32, 1 (1985)
G.E. Franklin, D.H. Rich, A. Samsavar, E.S. Hirschorn, F.M. Leibsle, T. Miller, T.-C. Chiang. Phys. Rev. B, 41, 12619 (1990)
M.T. Sieger, T. Miller, T.-C. Chiang. Phys. Rev. B, 52, 8256 (1995)
D.A. Shirley. Phys. Rev. B 5, 4709 (1972)
M.V. Lebedev, M. Shimomura, Y. Fukuda. Surf. Interface Anal., 42, 791 (2010)
F.M. Tunez, J. Andrade-Gamboa, J.A. Gonzalez, M.R. Esquivel. Mater. Lett., 79, 202 (2012)
T.V. Lvova, A.L. Shakhmin, I.V. Sedova, M.V. Lebedev. Appl. Surf. Sci., 311, 300 (2014)
Справочник химика, под ред. Б.П. Никольского, изд. 2-е (М.--Л., Химия, 1966)
Ю.В. Карякин, И.И. Ангелов. Чистые химические вещества, изд. 4-е (М., Химия, 1974)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель