Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Термоэлектрические свойства твердого раствора Mg₂Ge_0.3Sn_0.7 p-типа проводимости

DOI: 10.21883/FTP.2017.08.44785.54

Исаченко Г.Н.^1,2, Самунин А.Ю.¹, Зайцев В.К.¹, Гуриева Е.А.¹, Константинов П.П.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия ITMO University, St. Petersburg, Russia

Email: g.isachenko@mail.ioffe.ru

Поступила в редакцию: 31 января 2017 г.

Выставление онлайн: 20 июля 2017 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследованы термоэлектрические свойства твердого раствора Mg₂Ge_0.3Sn_0.7, легированного Ga и Li. Получены образцы с концентрацией дырок до 5·10²⁰ см^-3. Измерены температурные зависимости термоэдс, электропроводности и теплопроводности от комнатной температуры до 800 K. Наблюдается более высокая подвижность свободных носителей на образцах, легированных литием, чем в образцах с галлием. Максимальная безразмерная термоэлектрическая добротность на исследованных образцах составила 0.42 при 700 K. DOI: 10.21883/FTP.2017.08.44785.54

V.K. Zaitsev, M.I. Fedorov, E.A. Gurieva, I.S. Eremin, P.P. Konstantinov, A.Y. Samunin, M.V. Vedernikov. Phys. Rev. B, 74, 45207 (2006)
A. Khan, N. Vlachos, T. Kyratsi. Scripta Mater., 69, 606 (2013)
Q. Zhang, Y. Zheng, X. Su, K. Yin, X. Tang, C. Uher. Scripta Mater., 96, 1 (2015)
G. Skomedal, L. Holmgrenb, H. Middleton, I.S. Eremin, G.N. Isachenko, M. Jaegle, K. Tarantik, N. Vlachos, M. Manoli, Th. Kyratsi, D. Berthebaud, N.Y. Dao Truong, F. Gascoing. Energ. Convers. Manag., 110, 13 (2016)
Г.Н. Исаченко, В.К. Зайцев, М.И. Федоров, А.Т. Бурков, Е.А. Гуриева, П.П. Константинов, М.В. Ведерников. ФТТ, 51, 1693 (2009)
M.I. Fedorov, V.K. Zaitsev, G.N. Isachenko. Sol. St. Phenomena, 170, 286 (2011)
G.N. Isachenko, A.Yu. Samunin, E.A. Gurieva, M.I. Fedorov, D.A. Pshenay-Severin, P.P. Konstantinov, M.D. Kamolova. J. Electron. Mater., 45, 1982 (2016)
R.P. Chasmar, R. Stratton. J. Electron. and Control, 7, 52 (1959)
U. Winkler. Helv. Phys. Acta, 28, 633 (1955)
M.I. Fedorov, V.K. Zaitsev. Proc. of XIX Int. Conf. on Thermoelectrics (ICT 2000) (Cardiff, UK, 2000) p. 17
M.I. Fedorov, E.A. Gurieva, I.S. Eremin, P.P. Konstantinov, A.Yu. Samunin, V.K. Zaitsev, S. Sano, L. Rauscher. Proc. VIII Eur. Workshop on thermoelectrics (Krakow, Poland, 2004) p. 75

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель