Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Рост внутренних оптических потерь с увеличением тока накачки и выходная мощность лазеров на квантовых ямах
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Virginia Polytechnic Institute and State University, Blacksburg, VA, USA
2Virginia Polytechnic Institute and State University, Blacksburg, VA, USA
Email: zina.sokolova@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 19 января 2017 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2017 г.
Представлены результаты расчетов рабочих характеристик полупроводниковых лазеров на квантовых ямах с учетом роста внутренних оптических потерь в волноводной области с увеличением тока накачки. Использовано условие глобальной электронейтральности в структуре, которое заключается в равенстве суммарного заряда электронов в активной и волноводной областях суммарному заряду дырок в этих двух областях. Получено хорошее согласие измеренной и рассчитанной ватт-амперных характеристик. DOI: 10.21883/FTP.2017.07.44661.8522
- L.V. Asryan, S. Luryi. Appl. Phys. Lett., 83, 5368 (2003)
- L.V. Asryan, S. Luryi. IEEE J. Quant. Electron., 40, 833 (2004)
- L.V. Asryan. Appl. Phys. Lett., 88, 073107 (2006)
- E.A. Avrutin, B.S. Ryvkin. Semicond. Sci. Technol., 32, 015004 (2017)
- B.S. Ryvkin, E.A. Avrutin. J. Appl. Phys., 97, 123103 (2005)
- B.S. Ryvkin, E.A. Avrutin. Electron. Lett., 42, 1283 (2006)
- Д.А. Веселов, В.А. Капитонов, Н.А. Пихтин, А.В. Лютецкий, Д.Н. Николаев, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, В.В. Шамахов, И.С. Шашкин, И.С. Тарасов. Квант. электрон., 44 (11), 993 (2014)
- Д.А. Веселов, Н.А. Пихтин, А.В. Лютецкий, Д.Н. Николаев, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, В.В. Шамахов, И.С. Шашкин, В.А. Капитонов, И.С. Тарасов. Квант. электрон., 45 (7), 597 (2015)
- Д.А. Веселов, Н.А. Пихтин, А.В. Лютецкий, Д.Н. Николаев, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, В.В. Шамахов, И.С. Шашкин, Н.В. Воронкова, И.С. Тарасов. Квант. электрон., 45 (7), 604 (2015)
- Д.А. Веселов, И.С. Шашкин, Ю.К. Бобрецова, К.В. Бахвалов, Н.А. Пихтин, А.В. Лютецкий, В.А. Капитонов, Н.А. Пихтин, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, И.С. Тарасов. ФТП, 50 (10), 1414 (2016)
- L.V. Asryan, S. Luryi, R.A. Suris. Appl. Phys. Lett., 81, 2154 (2002)
- H.C. Casey, M.B. Panish. Heterostructure Lasers (N.Y., Academic, 1978) [Х. Кейси, М. Паниш. Лазеры на гетеропереходах (М., Мир, 1981)]
- L.V. Asryan, R.A. Suris. IEEE J. Select. Topics Quantum Electron., 3 (2), 148 (1997)
- Z.N. Sokolova, N.A. Pikhtin, I.S. Tarasov, L.V. Asryan. J. Phys. Conf. Ser., 740, 012002 (2016)
- З.Н. Соколова, Н.А. Пихтин, И.С. Тарасов, Л.В. Асрян. Квант. электрон., 46 (9), 777 (2016)
- L.V. Asryan, Z.N. Sokolova. J. Appl. Phys., 115, 023107 (2014)
- K.J. Vahala, C.E. Zah. Appl. Phys. Lett., 52, 1945 (1988)
- L.V. Asryan, R.A. Suris. Semicond. Sci. Technol., 11, 554 (1996)
- Л.В. Асрян. Квант. электрон., 35 (12), 1117 (2005)
- D.-S. Han, L.V. Asryan. Nanotechnology, 21, 015201 (2010)
- Z.N. Sokolova, K.V. Bakhvalov, A.V. Lyutetskiy, N.A. Pikhtin, I.S. Tarasov, L.V. Asryan. Electron. Lett., 51, 780 (2015)
- З.Н. Соколова, К.В. Бахвалов, А.В. Лютецкий, Н.А. Пихтин, И.С. Тарасов, Л.В. Асрян. ФТП, 50 (5), 679 (2016)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
