Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Отделение тонких пленок ITO от кремниевой подложки с помощью микросекундного лазерного облучения

DOI: 10.21883/FTP.2017.06.44568.8444

Кириенко Д.А.

¹, Березина О.Я.

¹Петрозаводский государственный университет, Петрозаводск, Россия Petrozavodsk State University, Petrozavodsk, Russia

Email: kirienko@petrsu.ru, berezina@petrsu.ru

Поступила в редакцию: 28 ноября 2016 г.

Выставление онлайн: 20 мая 2017 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Представлено исследование метода отделения тонких пленок ITO (indium-tin oxide) от кремниевой подложки с помощью импульсного лазерного облучения. Метод предоставляет возможность отделения пленок с толщинами от 360 нм без их разрушения. Процесс отделения заключается в последовательной обработке поверхности одиночными лазерными импульсами микросекундной длительности на длине волны 650 нм. Пленки, полученные методом высокочастотного магнетронного распыления, после отделения от кремниевой подложки обладают пропусканием более 65% в видимом диапазоне и поверхностным сопротивлением ~1.2 кОм/#. Проведена оценка термонапряжений, возникающих в тонких пленках ITO и приводящих к ее отслаиванию. DOI: 10.21883/FTP.2017.06.44568.8444

P.M.S. Monk, R.J. Mortimer, D.R. Rosseinsky. Electrochromism and electrochromic device (Cambridge, Cambridge University Press, 2007)
S.H. Kim, N. Park, T.Y. Kim, G.Y. Sung. Thin Sol. Films, 475, 262 (2005)
T. Maruyama, K. Fukui. Thin Sol. Films, 201 (2), 297 (1991)
C. May, J. Strumpfel. Thin Sol. Films, 351 (1-2), 48 (1999)
Д.А. Зуев, А.А. Лотин, О.А. Новодворский, Ф.В. Лебедев, О.Д. Храмова, И.А. Петухов. ФТП, 46 (3), 425 (2012)
J.H. Shin, S.H. Shin, J.I. Park, H.H. Kim. J. Appl. Phys., 89, 5199 (2001)
H. Izumi, T. Ishihara, H. Yoshioka, M. Motoyama. Thin Sol. Films, 411, 32 (2002)
Л.П. Амосова, М.В. Исаев. ЖТФ, 84 (10), 127 (2014)
А.И. Бажин, А.Н. Троцан, С.В. Чертопалов, А.А. Стипаненко, В.А. Ступак. ФИП [PSE], 10 (4), 342 (2012)
D. Choi, S.-J. Hong, Y. Son. Materials, 7, 7662 (2014)
M. Hoheisel, A. Mitwalsky, C. Mrotzek. Phys. Status Solidi, 123, 461 (1991)
R. Delmdahl, R. Patzel, J. Brune. Physics Procedia, 41, 241 (2013)
M. Alexe, U. Gosele. Wafer Bonding: Applications and technology (Springer Science \& Business Media, 2013)
C.H. Lee, S.J. Kim, Y. Oh, M.Y. Kim, Y.-J. Yoon, H.S. Lee. J. Appl. Phys., 108, 102814 (2010)
Y.H. Do, M.G. Kang, J.S. Kim, C.Y. Kang, S.J. Yoon. Sensors Actuators A: Physical, 184, 124 (2012).
М.В. Вирко, В.С. Коготков, А.А. Леонидов, В.В. Вороненков, Ю.Т. Ребане, А.С. Зубрилов, Р.И. Горбунов, Ф.Е. Латышев, Н.И. Бочкарева, Ю.С. Леликов, Д.В. Тархин, А.Н. Смирнов, В.Ю. Давыдов, Ю.Г. Шретер. ФТП, 50 (5), 711 (2016)
T.C. Bailey, A.M. Lemonds, S.V. Sreenivasan, J.G. Ekerdt, C.G. Willson. J. Vac. Sci. Technol., 20 (6), 2857 (2002)
R. Ginzburg-Turgeman, Guion, D. Mandler. J. Sol. St. Electrochem., 15, 2401 (2011)
А.Ф. Банишев. Автореф. докт. дис. (М., Институт проблем лазерных и информационных технологий РАН, 2004)
Л.А. Косяченко, Е.В. Грушко, Т.И. Микитюк. ФТП, 46 (4), 482 (2012)
N. Manavizadeh, A. Khodayari, E. Asl Soleimani, Sh. Bagherzadeh, M.H. Maleki. Iran. J. Chem. Chem. Eng., 28 (2), 57 (2009)
П.Н. Крылов, Р.М. Закирова, И.В. Федотова. ФТП, 47 (10), 1421 (2013)
P. Fitzsimons. PhD thesis (Liverpool, University of Liverpool, 2012)
J.F. Ready. J. Appl. Phys., 36 (2), 462 (1965)
J.K. Chen, D.Y. Tzou, J.E. Beraun. Intern. J. Heat and Mass Transfer, 49 (1), 307 (2006)
D. Karnakis, A. Kearsley, M. Knowles. J. Laser Micro/Nanoeng., 4 (3), 218 (2009)
Z. Kantor, Z. Toth, T. Szorenyi. Appl. Phys. A, 54 (2), 170 (1992)
V. Schultze, M. Wagner. Appl. Phys. A, 53 (3), 241 (1991)
M.J. Sharma. PhD thesis (Stockholm, Royal institute of technology KTH, 2013)
V. Craciun, D. Craciun, X. Wang, T.J. Anderson, R.K. Singh. J. Optoelectron. Adv. Mater., 5 (2), 401 (2003)
F.O. Adurodija, H. Izumi, T. Ishihara, H. Yoshioka, M. Motoyama. J. Mater. Sci. Mater. Electron., 12 (1), 57 (2001)
J.S. Hsu, Ch.Ch. Lee, B.J. Wen, P.Ch. Huang, C.K. Xie. Materials, 9, 720 (2016)
В.В. Ратников, Р.Н. Кютт, С.В. Иванов, М.П. Щеглов, A. Baar. ФТП, 44 (2), 265 (2010).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель