Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2017, выпуск 6 » Статья стр. 835
<<<>>>
Имитационное моделирование реверсивно-включаемых динисторов в режимах со сниженным порогом первичного запуска
DOI: 10.21883/FTP.2017.06.44565.8461
Горбатюк А.В.1, Иванов Б.В.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Email: agor.pulse@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 24 ноября 2016 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2017 г.
PDF версия
Предложен и детально исследован методами имитационного моделирования новый способ включения реверсивно-включаемых динисторов (РВД) в субмикросекундные режимы с высокими скоростями нарастания коммутируемого тока при существенном снижении порога первичного запуска. В вычислительной задаче учитывались все значимые физические законы для пространственно-распределенных и дискретных элементов РВД-коммутатора, в том числе нелокальное изохронное взаимодействие между рабочими объемами реверсивно-включаемых динисторов или включающих фотодиодных оптронов и компонентами внешних цепей. Результаты моделирования подтвердили возможность практического достижения для реверсивно-включаемых динисторов скоростей нарастания тока вплоть до dJ/dt=3·1010 А·см-2·с-1 в схемах на основе включающих полупроводниковых ключей малой мощности при пороге первичного запуска относительно реверсивно инжектированного заряда плотностью всего 1-2 мкКл/см2. Эти показатели ранее рассматривались только как теоретический предел, недостижимый в субмикросекундном диапазоне для реальных ключей тиристорного типа. DOI: 10.21883/FTP.2017.06.44565.8461
  1. Г.А. Месяц. Импульсная энергетика и электроника (М., Наука, 2004)
  2. А.В. Горбатюк, И.В. Грехов, С.В. Коротков и др. А.с. CCCР N 1003699 от 09.11.1982. Бюл. изобр., 1983, N 39, с. 259; ЖТФ, 52 (7), 1369 (1982); Письма ЖТФ, 8 (11), 685 (1982)
  3. В.М. Тучкевич, И.В. Грехов. Новые принципы коммутации больших мощностей полупроводниковыми приборами (Л., Наука, 1988)
  4. A.V. Gorbatyuk, I.V. Grekhov, A.V. Nalivkin. Solid-State Electron., 31 (10), 1483 (1988)
  5. M.E. Savage. IEEE Trans. Plasma Sci., 28 (5), 1451 (2000); S. Schneider, T.F. Podlesak. IEEE Trans. Plasma Sci., 28 (5), 1520 (2000)
  6. А.В. Горбатюк. Автореф. дис. доктора физ.-мат. наук (ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, СПб., 2002)
  7. С.В. Коротков. ПТЭ, N 4, 5 (2002)
  8. S.V. Korotkov, A.G. Lyublinsky, Y.V. Aristov et. al. IEEE Trans. Plasma Sci., 41 (10), Pt 1, 2879 (2013). DOI: 10.1109/TPS.2013.2267555
  9. H. Wang, X. He, W. Chen, L. Xie et al. IEEE Trans. Power Electron., 29 (4), 1553 (2014)
  10. А.В. Горбатюк, И.В. Грехов, Л.С. Костина, А.В. Наливкин. Письма ЖТФ, 9 (20), 1217 (1983); А.В. Наливкин. Автореф. канд. дис. (ФТИ им. А.Ф. Иоффе АН СССР, Л., 1990)
  11. С.В. Коротков, А.Л. Жмодиков. ПТЭ., N 1, 68 (2011)
  12. А.В. Горбатюк, Б.В. Иванов, И.Е. Панайотти, Ф.Б. Серков. Письма ЖТФ, 38 (8), 81 (2012)
  13. Synopsys Dev. Simulation, TCAD Sentaurus, manual. http:www.synopsys.com
  14. А.В. Горбатюк, Б.В. Иванов. ЖТФ, 85 (8), 94 (2015)
  15. А.В. Горбатюк, Б.В. Иванов. Письма ЖТФ, 41 (7), 28 (2015)
  16. А.В. Горбатюк, Д.В. Гусин, Б.В. Иванов. ФТП, 47 (3), 373 (2013)
  17. А.С. Кюрегян. ФТП, 48 (12), 1686 (2014)
  18. А.С. Кюрегян. ФТП, 49 (7), 989 (2015)
  19. А.В. Горбатюк. ФТП, 14 (7), 1364 (1980)
  20. А.С. Кюрегян, А.В. Горбатюк, Б.В. Иванов. ФТП, 50 (7), 973 (2016)
  21. И.В. Грехов, А.Л. Жмодиков, С.В. Коротков. ПТЭ, N 1, 67 (2015)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme