О пределе инжектирующей способности кремниевых p+-n-переходов, обусловленном влиянием фундаментальных физических эффектов
Мнацаканов Т.Т.1, Левинштейн М.Е.2, Шуман В.Б.2, Середин Б.М.3
1Всероссийский электротехнический институт им. В.И. Ленина, Москва, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Южно-Российский государственный политехнический университет (НПИ) им. М.И. Платова, Новочеркасск, Россия
Email: Melev@nimis.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 8 сентября 2016 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2017 г.
С учетом совокупности нелинейных физических эффектов: электронно-дырочного рассеяния, оже-рекомбинации, сужения ширины запрещенной зоны, нелинейной зависимости времени жизни и подвижности носителей от легирования получены аналитические выражения, описывающие зависимости тока утечки p+-n-перехода от уровня легирования p+-области. Показано, что эта зависимость имеет минимум, при котором инжекционная способность перехода максимальна. Проанализирована зависимость положения точки экстремума от основных параметров сильно легированного материала. Полученные результаты позволяют оптимизировать структуру мощных кремниевых приборов и облегчить адекватность оценки численных расчетов. DOI: 10.21883/FTP.2017.06.44564.8403
- Landoldt-Bornstein. Numerical Data and Functional Relationships in Science and Technology (Springer, Berlin, 1987) v. 22a
- M.E. Levinshtein, S.L Rumyantsev, M.S. Shur (eds). Handbook Series of Semiconductor Parameters, v. 1: Elementary Semiconductors and A3B5 Compounds (World Sci. Publ. Co, Singapore-New Jersey-London-Hong Kong, 1996)
- M.E. Levinshtein, T.T. Mnatsakanov. IEEE Trans. Electron Dev., 49, 702 (2002)
- A. Herlet. Sol. St. Electron., 11, 717 (1968)
- M.E. Levinshtein, T.T. Mnatsakanov, A.K. Agarwal, J.W. Palmour. Semicond. Sci. Techn., 26, 055024 (2011)
- И.В. Грехов, А.Е. Отблеск. РЭ, 19, 1483 (1974)
- T.T. Mnatsakanov, B.N. Gresserov, L.I. Pomortseva. Sol. St. Electron., 38, 225 (1995)
- В.А. Кузьмин, Т.Т. Мнацаканов, В.Б. Шуман. Письма ЖТФ, 6, 689 (1980)
- Т.Т. Мнацаканов, М.Е. Левинштейн, Л.И. Поморцева, С.Н. Юрков. ФТП, 38, 56 (2004)
- J.W. Slotboom, H.C. de Graaf. Sol. St. Electron., 19, 857 (1976)
- С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984). [Пер. с англ.: S.M. Sze Physics of Semiconductor Devices (John Wiley \& Sons, Inc. N.Y., 1981)]
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
