Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Электрофизические свойства кристаллов ZnSe, легированных переходными элементами
1Одесский национальный университет им. И.И. Мечникова, Одесса, Украина 
Email: nitsuk@onu.edu.ua
Поступила в редакцию: 11 ноября 2016 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2017 г.
Проведены исследования электропроводности и фотопроводимости кристаллов ZnSe, легированных ионами переходных элементов. Показано, что легирование кристаллов селенида цинка примесями 3d-элементов не приводит к образованию электрически активных уровней этих примесей. Вместе с тем внедрение исследуемых примесей в катионную подрешетку приводит к образованию электрически активных собственных дефектов. Установлено, что кристаллы ZnSe, легированные Ti, V, Cr, Fe, Co, Ni, обладают высокотемпературной примесной фотопроводимостью. Предложены механизмы фотопроводимости в исследуемых кристаллах. По положению первой ионизационной полосы фотопроводимости определены энергии основных состояний 3d2+-ионов в кристаллах селенида цинка. DOI: 10.21883/FTP.2017.06.44557.8448
- V.V. Fedorov, S.B. Mirov, A. Gallian, D.V. Badikov, M.P. Frolov, Yu.V. Korostelin, V.I. Kozlovsky, A.I. Landman, Yu.P. Podmar'kov, V.A. Akimov, A.A. Voronov. IEEE J. Quant. Electron., 42 (9), 907 (2006)
- I.T. Sorokina, E. Sorokin, S.B. Mirov, V.V. Fedorov, V. Badikov, V. Panyutin, K. Schaffers. Optics Lett., 27, 1040 (2002)
- A.N. Avdonin, G.V. Kolibaba, D.D. Nedeoglo, N.D. Nedeoglo, V.P. Sirkeli. J. Optoelectron. Adv. Mater., 7 (2), 733 (2005)
- C. Kim, J.M. Peppers, D.V. Martyshkin, V.V. Fedorov, S.B. Mirov. Proc. SPIE, 7193, 71932R (2009)
- T. Konak, M. Tekavec, V.V. Fedorov, S.B. Mirov. Opt. Mater. Express, 3 (6), 777 (2013)
- Ю.А. Ницук. ФТП, 48 (2), 152 (2014)
- Ю.А. Ницук. ФТП, 47 (6), 728 (2013)
- Ю.Ф. Ваксман, Ю.А. Ницук, В.В. Яцун, А.С. Насибов, П.В. Шапкин. ФТП, 44 (2), 149 (2010)
- Ю.Ф. Ваксман, Ю.А. Ницук, В.В. Яцун, А.С. Насибов, П.В. Шапкин. ФТП, 44 (4), 463 (2010)
- Ю.Ф. Ваксман, В.В. Павлов, Ю.А. Ницук, Ю.Н. Пуртов, А.С. Насибов, П.В. Шапкин. ФТП, 40 (7), 815 (2006)
- В.А. Касиян, Д.Д. Недеогло, Н.Д. Недеогло. Неорг. матер., 37 (2), 168 (2001)
- J.M. Noras, J.W. Allen. J. Phys. C: Solid State Phys., 13 (18), 3511 (1980)
- A. Zunger. Solid State Phys., 39, 276 (1986)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
