"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Генерация и детектирование терагерцевого излучения в низкотемпературных эпитаксиальных пленках GaAs на подложках GaAs с ориентациями (100) и (111)A
Российский научный фонд, Проведение фундаментальных научных исследований и поисковых научных исследований отдельными научными группами, 14-12-01080
Министерство образования и науки Российской Федерации, Субсидия, 14.Z50.31.0034
Министерство образования и науки Российской Федерации, Государственное задание, 3.7331.2017/П220
Российский фонд фундаментальных исследований, офи_м (Конкурс 2016 года проектов ориентированных фундаментальных научных исследований по актуальным междисциплинарным темам, темы 603-608), 16-29-03294 офи_м
Галиев Г.Б.1, Пушкарёв С.С.1, Буряков А.М.2, Билык В.Р.2, Мишина Е.Д.2, Климов Е.А.1, Васильевский И.С.3, Мальцев П.П.1
1Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
2Московский технологический университет "МИРЭА", Москва, Россия
3Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
Email: s_s_e_r_p@mail.ru
Поступила в редакцию: 20 сентября 2016 г.
Выставление онлайн: 21 марта 2017 г.

Методом терагерцевой спектроскопии исследована эффективность генерации и детектирования ТГц-излучения в диапазоне до 3 ТГц пленками LT-GaAs, содержащими легирующие эквидистантные delta-слои Si и выращенными методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках GaAs с ориентациями (100) и (111)А. На поверхности пленок были изготовлены микрополосковые фотопроводящие антенны. Генерация ТГц-излучения происходила при облучении зазора антенны фемтосекундными оптическими лазерными импульсами. Показано, что интенсивность ТГц-излучения от фотопроводящей антенны на LT-GaAs/GaAs (111)A в 2 раза больше, чем от такой же антенны на LT-GaAs/GaAs (100), а чувствительность антенны на LT-GaAs/GaAs (111)A как детектора ТГц-излучения в 1.4 раза превосходит чувствительность антенны на LT-GaAs/GaAs (100). DOI: 10.21883/FTP.2017.04.44347.8408
  • M. Venkatesh, K.S. Rao, T.S. Abhilash, S.P. Tewari, A.K. Chaudhary. Optical Mater., 36, 596 (2014)
  • Г.Б. Галиев, Е.А. Климов, Д.В. Лаврухин, А.Э. Ячменев, Р.Р. Галиев, Д.С. Пономарев, Р.А. Хабибуллин, Ю.В. Федоров, А.С. Бугаев. Нано- и микросистемная техника, 6, 28 (2014)
  • Z. Liliental-Weber, W. Swider, K.M. Yu, J. Kortright, F.W. Smith, A.R. Calawa. Appl. Phys. Lett., 58 (19), 2153 (1991)
  • Z.-Liliental-Weber, H.J. Cheng, S. Gupta, J. Whitaker, K. Nichols, F.W. Smith. J. Electron. Mater., 22 (12), 1465 (1993)
  • M. Missous. Microelectronics J., 27, 393 (1996)
  • B. Grandidier, Huajie Chen, R.M. Feenstra, D.T. McInturff, P.W. Juodawlkis, S.E. Ralph. Appl. Phys. Lett., 74, 1439 (1999)
  • Patent US 8835853. Photoconductive element / Toshihiko Ouchi, Kousuke Kajiki; Canon Kabushiki Kaisha, Tokyo. Publication date 16.09.2014
  • J.-L. Coutaz, J.-F. Roux, A. Gaarder, S. Marcinkevicius, J. Jasinski, K. Korona, M. Kaminska, K. Bertulis, A. Krotkus. XI Intern. Semiconducting and Insulating Material Conference (Canberra, Australia, July 3--7, 2000) p. 89
  • P. Specht, S. Jeong, H. Sohn, M. Luysberg, A. Prasad, J. Gebauer, R. Krause-Rehberg, E.R. Weber. Mater. Sci. Forum, 258--263, 251 (1997)
  • Г.Б. Галиев, В.Г. Мокеров, В.В. Сарайкин, Ю.В. Слепнев, Г.И. Шагимуратов, Р.М. Имамов, Э.М. Пашаев. ЖТФ, 71 (4), 47 (2001)
  • G. Galiev, V. Kaminskii, D. Milovzorov, L. Velihovskii, V. Mokerov. Semicond. Sci. Technol., 17 (2), 120 (2002)
  • Г.Б. Галиев, Е.А. Климов, М.М. Грехов, С.С. Пушкарев, Д.В. Лаврухин, П.П. Мальцев. ФТП, 50 (2), 195 (2016)
  • P. Uhd Jepsen, R.H. Jacobsen, S.R. Keiding. J. Opt. Soc. Am. B, 13 (11), 2424 (1996)
  • Masahiko Tani, Shuji Matsuura, Kiyomi Sakai, Shin-ichi Nakashima. Appl. Optics, 36 (30), 7853 (1997)
  • S.P. Kovalev, G.Kh. Kitaeva. JETP Lett., 94 (2), 95 (2011)
  • C. Winnewisser, P. Uhd Jepsen, M. Schall, V. Schyja, H. Helm. Appl. Phys. Lett., 70, 3069 (1997)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.