Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2017, выпуск 1 » Статья стр. 94
<<<>>>
Оптимизация структурных и ростовых параметров метаморфных InGaAs-фотопреобразователей, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии
DOI: 10.21883/FTP.2017.01.44002.8288
Российский научный фонд, 14-29-00178
РФФИ, 16-08-00742
Рыбальченко Д.В. 1, Минтаиров С.А. 1, Салий Р.А. 1, Тимошина Н.Х.1, Шварц М.З. 1, Калюжный Н.А. 1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: nickk@mail.ioffe.ru, Mintairov@scell.ioffe.ru, r.saliy@mail.ioffe.ru, shvarts@scell.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 20 апреля 2016 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2016 г.
PDF версия
Методом МОС-гидридной эпитаксии созданы метаморфные Ga0.76In0.24As-гетероструктуры фотопреобразователей на подложках n-GaAs. Обнаружено, что из-за разрыва валентных зон на гетерогранице p-In0.24Al0.76As /p-In0.24Ga0.76As (широкозонное окно/эмиттер) возникает потенциальный барьер для дырок вследствие технологической сложности создания высокой концентрации активной примеси в широкозонном материале. Использование четверного твердого раствора InAlGaAs c содержанием Al <40% позволило повысить концентрацию акцепторов в широкозонном окне до ~9·1018 см-3 и полностью нивелировать потенциальный барьер, тем самым уменьшив последовательное сопротивление прибора. Произведен расчет параметров метаморфного буфера GaInAs со ступенчатым профилем изменения содержания In, и оптимизированы параметры его эпитаксиального роста, что позволило улучшить собирание носителей заряда из области n-GaInAs и получить квантовую эффективность фотоответа на длине волны 1064 нм 83%. Фотопреобразователи, созданные на основе метаморфных гетероструктур с оптимизированными слоями широкозонного окна и метаморфного буфера, имели кпд преобразования излучения с длиной волны 1064 нм на уровне 38.5%. DOI: 10.21883/FTP.2017.01.8288
  1. https://www.nasa.gov/centers/armstrong/news/FactSheets/ FS-087-DFRC.html
  2. G.A. Landis, M. Stavnes, S. Oleson, J. Bozek. Proc. 28th SAE, ASME, and ASEE Joint Propulsion Conf. Exhibit. (Nashville, USA, 1992) paper AIAA-92-3213
  3. http://newsroom.fb.com/news/2015/07/new-milestones-in-connectivity-labs-aircraft-and-laser-programs/
  4. V.M. Andreev, V.P. Khvostikov, V.S. Kalinovsky, V.M. Lantratov, V.A. Grilikhes, V.D. Rumyantsev, M.Z. Shvarts, V. Fokanov, A.K. Pavlov. Proc. 3rd World Conf. Photovoltaic Energy Conversion (Osaka, Japan, 2003) p. 761
  5. http://www.researchgate.net/profile/Henning\_Helmers/ publication/263560972\_Photovoltaic\_Cells\_for\_Optical\_ Power\_and\_Data\_Transmission/links/0a85e53b3fdbf79 c4d000000.pdf
  6. V. Khvostikov, N. Kalyuzhnyy, S. Mintairov, N. Potapovich, M. Shvarts, S. Sorokina, A. Luque, V. Andreev. AIP Conf. Proc., 1616, 21 (2014)
  7. http://rredc.nrel.gov/solar/spectra/am1.5/
  8. 8.812 http://www.thorlabs.de/thorproduct.cfm?partnumber=DET10N
  9. Р.В. Левин, А.Е. Маричев, М.З. Шварц, Е.П. Марухина, Б.В. Пушный, М.Н. Мизеров, В.М. Андреев, В.П. Хвостиков. ФТП, 49 (5), 715 (2015)
  10. A.E. Marichev, B.V. Pushnyi, R.V. Levin. J. Phys.: Conf. Ser., 690, 012010 (2016)
  11. M.A. Green, J. Zhao, A. Wang, S.R. Wenham. IEEE Electron Dev. Lett., 13 (6), 317 (1992)
  12. А.Е. Жуков, А.Р. Ковш, С.С. Михрин, Е.С. Семенова, Н.А. Малеев, А.П. Васильев, Е.В. Никитина, Н.В. Крыжановская, А.Г. Гладышев, Ю.М. Шерняков, Ю.Г. Мусихин, М.В. Максимов, Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов, Ж.И. Алфёров. ФТП, 37 (9), 1143 (2003)
  13. А.Ю. Егоров, Л.Я. Карачинский, И.И. Новиков, А.В. Бабичев, В.Н. Неведомский, В.Е. Бугров. ФТП, 49 (11), 1569 (2015). A.Yu. Egorov, L.Ya. Karachinsky, I.I. Novikov, A.V. Babichev, V.N. Nevedomskiy, V.E. Bugrov. Semiconductors, 49 (11), 1522 (2015)
  14. R.M. France, J.F. Geisz, I. Garcia, M.A. Steiner, W.E. McMahon et al. IEEE J. Photovoltaics, 5 (1), 432 (2015)
  15. J.W. Matthews, A.E. Blakeslee. J. Cryst. Growth, 27, 118 (1974)
  16. M.Z. Shvarts, A.E. Chalov, E.A. Ionova, V.R. Larionov, D.A. Malevskiy, V.D. Rumyantsev, S.S. Titkov. Proc. 20th Europ. Photovoltaic Solar Energy Conf. (Barcelona, Spain, 2005) p. 278
  17. http://www.helmholtz-berlin.de/forschung/oe/ee/si-pv/ projekte/asicsi/afors-het/index\_en.html
  18. R. Stangl, M. Kriegel, M. Schmidt. Proc. 4th World Conf. Photovoltaic Energy Conversion (Hawaii, USA, 2006) p. 1350
  19. С.А. Минтаиров, В.М. Емельянов, Д.В. Рыбальченко, Р.А. Салий, Н.Х. Тимошина, М.З. Шварц, Н.А. Калюжный. ФТП, 50 (4), 525 (2016)
  20. C.L. Andre, A. Khan, M. Gonzalez, M.K. Hudait, E.A. Fitzgerald et.al. Proc. 29th IEEE Photovolt. Spec. Conf. (New Orleans, USA, 2002) p. 1043
  21. G.B. Stringfellow. Organometallic Vapor-Phase Epitaxy: Theory and Practice, 2nd edn (Academic Press, San Diego, 1999).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme