Влияние двух- и трехслойных просветляющих покрытий на формирование фототоков в многопереходных солнечных элементах на основе AIIIBV
Мусалинов С.Б.1, Анзулевич А.П.1, Бычков И.В.1, Гудовских А.С.2, Шварц М.З.3
1Челябинский государственный университет, Челябинск, Россия
2Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: shvarts@scell.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 20 июня 2016 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2016 г.
Представлены результаты моделирования методом матриц переноса двухслойного, TiO2/SiO2, и трехслойного, TiO2/Si3N4/SiO2, просветляющих покрытий для многопереходных гетероструктурных солнечных элементов InGaP/GaAs/Ge. Экспериментально получено и оптимизировано двухслойное просветляющее покрытие TiO2/SiO2. С использованием экспериментальных спектральных зависимостей квантового выхода фотоответа солнечного элемента InGaP/GaAs/Ge и оптических характеристик просветляющих покрытий, полученных при моделировании, определены значения плотностей фототоков отдельных каскадов трехпереходного солнечного элемента для условий облучения AM1.5D (1000 Вт/м2), а также для случая отсутствия потерь на отражение. В рамках моделирования показано, что оптимизированное трехслойное просветляющее покрытие TiO2/Si3N4/SiO2 дает выигрыш в величине плотности фототока на 2.3 мА/см2 (AM1.5D) для Ge-субэлемента по сравнению с рассматриваемым вариантом двухслойного просветляющего покрытия TiO2/SiO2, обеспечивая тем самым рост коэффициента заполнения вольт-амперной характеристики и выходной электрической мощности многопереходного солнечного элемента. DOI: 10.21883/FTP.2017.01.8355
- Minwoo Nam, Kangho Kim, Jaejin Lee, Kee-Keun Lee, Sang Sik Yang. Solar Energy, 91, 374 (2013)
- M. Stan, D. Aiken, B. Cho, A. Cornfeld, V. Ley, P. Patel, P. Sharps, T. Varghese. J. Cryst. Growth, 312 (8), 1370 (2010)
- P. Patel, D. Aiken, D. Chumney, A. Cornfeld, Y. Lin, C. Mackos, J. McCarty, N. Miller, P. Sharps, M. Stan. Proc. 38th IEEE PVSC (New Mexico, USA, 2012) p. 1
- P. Patel, D. Aiken, A. Boca, B. Cho, D. Chumney, M.B. Clevenger, A. Cornfeld, N. Fatemi, Y. Lin, J. McCarty, F. Newman, P. Sharps, J. Spann, M. Stan, J. Steinfeldt, C. Strautin, T. Varghese. IEEE J. Photovoltaics, 2 (3), 377 (2012)
- D. Friedman. Curr. Opin. Solid State Mater. Sci., 14 (6), 131 (2010)
- R. King, D. Law, K. Edmondson, C. Fetzer, G. Kinsey, H. Yoon, D. Krut, J. Ermner, R. Sherif, N. Karam. Adv. OptoElectron., 2007, Article ID 29523 (2007). DOI: 10.1155/2007/29523
- M. Born, E. Wolf. Principles of optics (Oxford-London- Edinburgh-N. Y.-Paris-Frankfurt, Pergamon Press, 1968) p. 66
- J.R. Devore. J. Opt. Soc. Am., 41 (6), 416 (1951)
- H.R. Philipp. J. Electrochem. Soc., 120 (2), 295 (1973)
- I.H. Malitson. J. Opt. Soc. Am., 55 (10), 1205 (1965)
- D.J. Aiken. Sol. Energy Mater. Sol. Cells, 64, 393 (2000)
- G.R. Moriarty, J.T. Beechinor, M. Murtagh, P.V. Kelly, G.M. Crean, S.W. Bland. Thin Solid Films, 364 (1-2), 244 (2000)
- J.B. Theeten, D.E. Aspnes, R.P.H. Chang. J. Appl. Phys., 49 (12), 6097 (1978)
- D.E. Aspnes, A.A. Studna. Phys. Rev. B, 27 (2), 985 (1983)
- S.A. Mintairov, V.M. Andreev, V.M. Emelyanov, N.A. Kalyuzhnyy, N.Kh. Timoshina, M.Z. Shvarts, V.M. Lantratov. Semiconductors, 44 (8), 1084 (2010)
- H. Yoon, M. Haddad, S. Mesropian, J. Yen, K. Edmondson, D. Law, R.R. King, D. Bhusari, A. Boca, N. Karam. Proc. 33rd IEEE PVSC (San Diego, California, USA, 2008) p. 82
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
