"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Наногетероструктуры с улучшенными параметрами для быстродействующих и высокоэффективных плазмон-поляритонных светодиодов Шоттки
Байдусь Н.В.1,2, Кукушкин В.А.1,3, Звонков Б.Н.2, Некоркин С.М.2
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Email: vakuk@appl.sci-nnov.ru
Поступила в редакцию: 26 апреля 2016 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2016 г.

В результате теоретического и экспериментального анализа найдены параметры гетероструктур с квантовыми точками InAs в матрице GaAs, обеспечивающие создание на таких структурах быстродействующих и высокоэффективных плазмон-поляритонных светодиодов Шоттки для ближней инфракрасной области. Квантовые точки должны располагаться на сильно легированном (вплоть до концентрации легирующей примеси 1019 см-3) буферном слое GaAs и отделяться от металла тонким (толщиной 10-30 нм) нелегированным покровным слоем GaAs. Граница раздела металла (например, золота) с GaAs обеспечит эффективное рассеяние поверхностных плазмон-поляритонов в обычные фотоны в случае, если она имеет неоднородности в виде заполненных металлом впадин в GaAs с характерным размером ~30 нм и поверхностной концентрацией, превышающей 1010 см-2.
  1. A. Chahboun, M.I. Vasilevskiy, N.V. Baidus, A. Cavaco, N.A. Sobolev, M.C. Carmo, E. Alves, B.N. Zvonkov. J. Appl. Phys., 103 (8), 083 548 (2008)
  2. С.А. Майер. Плазмоника: теория и приложения (Москва, Ижевск, R\&C Dynamics, 2011) гл. 2
  3. E.M. Purcell. Phys. Rev., 69 (11-12), 681 (1946)
  4. J. Kalkman, H. Gersen, L. Kuipers, A. Polman. Phys. Rev. B, 73 (7), 075 317 (2006)
  5. N.V. Baidus, B.N. Zvonkov, P.B. Mokeeva, E.A. Uskova, S.V. Tikhov, M.I. Vasilevskiy, M.J.M. Gomes, S.A. Filonovich. Semicond. Sci. Technol., 19 (4), S469 (2004)
  6. Н. Ашкрофт, Н. Мермин. Физика твердого тела (М., Мир, 1979) гл. 1, 2
  7. D.J. Bergman, M.I. Stockman. Phys. Rev. Lett., 90 (2), 027 402 (2003)
  8. В.Л. Гинзбург. Теоретическая физика и астрофизика (М., Физматлит, 1987) гл. 6
  9. Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. Электродинамика сплошных сред (М., Физматлит, 2001) гл. 9
  10. В.Б. Берестецкий, Е.М. Лифшиц, Л.П. Питаевский. Квантовая электродинамика (М., Физматлит, 2002) гл. 1, 6
  11. Н.В. Байдусь, А.Н. Яблонский. Тр. XIX Междунар. cимп. "Нанофизика и наноэлектроника" (Н. Новгород, 2015) (Изд-во Нижегородского гос. ун-та им. Н. И. Лобачевского, 2015) т. 2, c. 429
  12. M. Usman, S. Heck, E. Clarke, P. Spencer, H. Ryu, R. Murray, G. Klimeck. J. Appl. Phys., 109 (10), 104 510 (2011)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.