Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Исследование устойчивости метастабильных эпитаксиальных слоев GeSn к термическим воздействиям

DOI: 10.21883/ftp.2016.11.43793.25

Мартовицкий В.П.¹, Садофьев Ю.Г.^1,2, Клековкин А.В.¹, Сарайкин В.В.³, Васильевский И.С.²

¹Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия Lebedev Physical Institute, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Lebedev Physical Institute, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

²Национальный исследовательский ядерный университет "Московский инженерно-физический институт", Москва, Россия National Research Nuclear University MEPhI, Moscow, Russia

National Research Nuclear University MEPhI, Moscow, Russia

³Научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф.В. Лукина, Москва, Зеленоград, Россия Lukin Scientific Research Institute of Physical Problems, Moscow, Zelenograd, Russia

Lukin Scientific Research Institute of Physical Problems, Moscow, Zelenograd, Russia

Email: aklekovkinbox@gmail.com

Поступила в редакцию: 27 апреля 2016 г.

Выставление онлайн: 20 октября 2016 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

На виртуальной подложке (001) Si/Ge была выращена структура, состоящая из пяти упругонапряженных метастабильных слоев GeSn толщиной 200 нм каждый, разделенных прослойками из германия толщиной 20 нм. Мольная доля олова в слоях GeSn имела следующие значения: 0.005, 0.034, 0.047, 0.072 и 0.10. После роста структура подвергалась термическому отжигу в течение 2 мин при температуре 400^oC. Показано, что в процессе отжига наряду с пластической релаксацией происходит фазовый распад сплава GeSn, который начинается еще до завершения процесса пластической релаксации. Структурная деградация слоев GeSn возрастала с ростом концентрации олова, которая накапливалась на поверхности структуры в виде аморфного слоя.

R. Ragan, H.A. Atwater. Appl. Phys. Lett., 77, 3418 (2000)
G. Grzybowski, R.T. Beeler, L. Jiang, D.J. Smith, J. Kouvetakis, J. Menendez. Appl. Phys. Lett., 101, 072 105 (2012)
S. Wirthst, R. Geiger, N. von den Driesch, G. Mussler, T. Stoica, S. Mantl, Z. Ikonic, M. Luysberg, S. Chiussi, J. M. Hartmann, H. Sigg, J. Faist, D. Buca, D. Grutzmacher. Nature Photonics, 9, 88 (2015)
S. Ogus, W. Paul, T.F. Deutsch, B.-Y. Tsaur, D.V. Murphy. Appl. Phys. Lett., 43, 848 (1983)
R.A. Sofer, L. Friedman. Superlatt. Microstr., 14, 189 (1993)
O. Gurdal, P. Desjardins, J.R.A. Carlsson, N. Taylor, H.H. Radamson, J.-E. Sundgren, J.E. Greene. J. Appl. Phys., 83, 162 (1998)
G. He, H.A. Atwater. Phys. Rev. Lett., 79, 1937 (1997)
J. Mathews, R.T. Beeler, J. Tolle, C. Xu, R. Roucka, J. Kouvetakis, J. Menendez. Appl. Phys. Lett., 97, 221 912 (2010)
Ю.Г. Садофьев, В.П. Мартовицкий, М.А. Базалевский. Изв. РАН. Сер. физ., 78, 47 (2014)
Ю.Г. Садофьев, В.П. Мартовицкий, М.А. Базалевский, А.В. Клековкин, Д.В. Аверьянов, И.С. Васильевский. ФТП, 49, 128 (2015)
N. Herres, F. Fuchs, J. Schmitzetal. Phys. Rev. B, 53, 15 688 (1996)
S.N.G. Chu, A.T. Macrander, K.E. Strege, W.D. Johnston. J. Appl. Phys., 57, 249 (1985)
К. Рейви. Дефекты и примеси в полупроводниковом кремнии (М., Мир, 1984)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель