Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Моделирование транспорта электронов в малопериодных GaAs/AlAs сверхрешетках для терагерцового диапазона частот
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия 
2Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
4Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
4Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: pavelev@rf.unn.ru
Поступила в редакцию: 27 апреля 2016 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2016 г.
Методом Монте-Карло рассчитан транспорт электронов в сверхрешетках на основе гетероструктур GaAs/AlAs с небольшим числом периодов (6 периодов). Эти сверхрешетки используются в диодах, работающих в качестве гармонических смесителей для стабилизации частоты квантовых каскадных лазеров до 5 ТГц. Рассмотрена зонная структура сверхрешеток с различным количеством монослоев AlAs и проведен расчет вольт-амперных характеристик. Проведено сравнение рассчитанных вольт-амперных характеристик сверхрешеток с экспериментом. Теоретически и экспериментально установлена возможность эффективного применения таких сверхрешеток в терагерцовом диапазоне частот.
- Д.Г. Павельев, А.П. Васильев, В.A. Козлов, Ю.И. Кошуринов, Е.С. Оболенская, С.В. Оболенский, В.М. Устинов. Журн. радиоэлектроники, 1, 1 (2016)
- A. Danilov, N. Erickson, A. Light, J. Waldman. Optics Lett, 40, 5090 (2015)
- A.V. Khudchenko, D.J. Hayton, D.G. Pavelyev, A.M. Baryshev, J.R. Gao, T.-Y. Kao, Q. Hu, J.L. Reno, V.L. Vaks. 39 Int. Conf. IRMMWTHz (Tucson, Arisona, 2014)
- Р.Ф. Казаринов, Р.А. Сурис. ФТП, 5, 797 (1971)
- D.G. Paveliev, Yu.I. Koschurinov, V.M. Ustinov, A.E. Zhukov, F. Lewen, C. Endres, A.M. Baryshev, P. Khosropanah, Wen Zhang, K.F. Renk, B.I. Stahl, A. Semenov, H.-W. Huebers. 19th Int. Symp. Space Terahertz Technology (Groningen, 2008) p. 319
- C.P. Endres, F. Lewen, T.F. Giesen, S. Schlemmer, D.G. Paveliev, Y.I. Koschurinov, V.M. Ustinov, A.E. Zhukov. Rev. Sci. Instr., 78, 043106 (2007)
- В.Л. Вакс, Ю.И. Кошуринов, Д.Г. Павельев, А.Н. Панин. Изв. вузов. Радиофизика, 48 (10-11), 110 (2005)
- Д.Г. Павельев, Н.В. Демарина, Ю.И. Кошуринов, А.П. Васильев, Е.С. Семенова, А.Е. Жуков, В.М. Устинов. ФТП, 38, 1141 (2004)
- Д.Г. Павельев, Ю.И. Кошуринов, А.С. Иванов, А.Н. Панин, В.Л. Вакс, В.И. Гавриленко, А.В. Антонов, В.М. Устинов, А.Е. Жуков. ФТП, 46, 125 (2012)
- S.V. Obolensky, A.V. Murel, N.V. Vostokov, V.I. Shashkin. IEEE Trans. Electron Dev., 58 (8), 2507 (2011)
- М.В. Безногов, Р.А. Сурис. ФТП, 47, 493 (2013)
- V.A. Kozlov, A.B. Kozyrev, A.V. Samokhvalov. Proc. 11th Int. Symp. Ultrafast Phenomena in Semiconductors (Vilnius, 2001) [Mater. Sci. Forum, 384-385, 139 (2002)]
- V.A. Kozlov, A.V. Nikolaev, A.V. Samokhvalov. Semicond. Sci. Technol., 19 (4), S99 (2004)
- V.A. Kozlov, A.V. Nikolaev, V.A. Verbus. Proc. 14th Int. Conf. on Nonequilibrium Carrier Dynamics in Semiconductors (Chicago, 2005) [Springer Proc. Phys., 110, 257 (2005)]
- В.А. Козлов, А.Б. Козырев. ФТП, 30, 2002 (1996)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
