Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Краевая и дефектная люминесценция мощных InGaN/GaN ультрафиолетовых светоизлучающих диодов

DOI: 10.21883/ftp.2016.11.43783.15

Шамирзаев В.Т.¹, Гайслер В.А.^2,1, Шамирзаев Т.С.^2,3

¹Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия Novosibirsk State Technical University, Novosibirsk, Russia

²Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

³Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина, Екатеринбург, Россия Ural Federal University after the first President of Russia B.N. Yeltsin, Yekaterinburg, Russia

Ural Federal University after the first President of Russia B.N. Yeltsin, Yekaterinburg, Russia

Email: tim@isp.nsc.ru

Поступила в редакцию: 27 апреля 2016 г.

Выставление онлайн: 20 октября 2016 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Приведены результаты исследования спектрального состава излучения ультрафиолетовых InGaN/GaN светоизлучающих диодов и его зависимости от текущего через структуру тока. Интенсивность ультрафиолетового вклада в интегральную люминесценцию диода монотонно возрастает с ростом плотности текущего через структуру тока, несмотря на падение квантовой эффективности излучения. Установлены условия возбуждения электролюминесценции, позволяющие увеличить долю ультрафиолетового излучения до 97%. Показано, что неоднородная генерация протяженных дефектов, пронизывающих активную область светодиодов в процессе деградации структур при локальном токовом перегреве уменьшает интегральную интенсивность излучения, но не оказывает влияния на относительную интенсивность излучения диода в ультрафиолетовой (370 нм) и видимой (550 нм) областях спектра.

А. Туркин. Полупроводниковая светотехника 3, 38 (2015)
A. Mogilatenko, V. Kueller, A. Knauer, J. Jeschke, U. Zeimer, M. Weyers, G. Trankle. J. Cryst. Growth, 402, 222 (2014)
T. Lang, M.A. Odnoblyudov, V.E. Bougrov, S. Suihkonen, O. Svensk, P.T. Torma, M. Sopanen, H. Lipsanen. J. Cryst. Growth, 298, 276 (2007)
P. Fischer, J. Christen, S. Nakamura. Jpn. J. Appl. Phys., 39, L129 (2000)
T. Takeuchi, S. Sota, M. Katsuragawa, M. Komori, H. Takeuchi, H. Amano, I. Akasaki. Jpn. J. Appl. Phys., Pt 2, 36, L382 (1997)
P.P. Paskov, R. Schifano, T. Paskova, T. Malinauskas, J.P. Bergman, B. Monemar, S. Figge, D. Hommel. Physica B, 376--377, 473 (2006).
N.G. Galkin, E.A. Chusovitin, D.L. Goroshko, A.V. Shevlyagin, A.A. Saranin, T.S. Shamirzaev, K.S. Zhuravlev, A.V. Latyshev. Appl. Phys. Lett., 101, 163 501 (2012)
С.В. Булярский, Н.С. Грушко, А.И. Сомов, А.В. Лакалин. ФТП, 31, 1146 (1997)
В.Е. Кудряшов, К.Г. Золин, А.Н. Туркин, А.Э. Юнович, А.Н. Ковалев, Ф.И. Маняхин. ФТП, 31, 1304 (1997)
Z. Zhong, O. Ambacher, A. Link, V. Holy, J. Stangl, R.T. Lechner, T. Roch, G. Bauer. Appl. Phys. Lett., 80, 3521 (2002)
Р.Н. Кютт, Г.Н. Мосина, М.П. Щеглов, Л.М. Сорокин. ФТТ, 48, 1491 (2006)
А.Л. Закгейм, М.Е. Левинштейн, В.П. Петров, А.Е. Черняков, Е.И. Шабунина, Н.М. Шмидт. ФТП, 46, 219 (2012)
Б.И. Шкловский, А.А. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979) c. 416
D. Yan, H. Lu, D. Chen, R. Zhang, Y. Zheng. Appl. Phys. Lett., 96, 083 504 (2010)
В.Е. Кудряшов, С.С. Мамакин, А.Н. Туркин, А.Э. Юнович, А.Н. Ковалев, Ф.И. Маняхин. ФТП, 35, 861 (2001)
И.А. Прудаев, И.Ю. Голыгин, С.Б. Ширапов, И.С. Романов, С.С. Хлудков, О.П. Толбанов. ФТП, 47, 1391 (2013)
Н.И. Бочкарева, Ю.Т. Ребане, Ю.Г. Шретер. ФТП, 49, 1714 (2015)
J. Iveland, L. Martinelly, J. Peretti, J.S. Speck, C. Weisbuch. Phys. Rev. Lett., 110, 177 406 (2013)
E.F. Schubert. Light-Emitting Diodes (Cambridge University Press, N.Y., 2003)
В.В. Безотосный, В.Ю. Бондарев, О.Н. Крохин, В.А. Олещенко, В.Ф. Певцов, Ю.М. Попов, Е.А. Чешев. ФТП, 48, 114 (2014)
Н.И. Бочкарева, А.А. Ефремов, Ю.Т. Ребане, Р.И. Горбунов, А.В. Клочков, Ю.Г. Шретер. ФТП, 40, 122 (2006).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель