Вышедшие номера
Метод уменьшения ширины диаграммы направленности InGaAs/GaAs/AlGaAs многоямного гетеролазера
Байдусь Н.В.1,2, Некоркин С.М.1, Колпаков Д.А.1,2, Ершов А.В.1,2, Алешкин В.Я.3,2, Дубинов А.А.3,2, Афоненко А.А.4
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
4Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
Email: kolpdm@gmail.com
Поступила в редакцию: 27 апреля 2016 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2016 г.

Создан полупроводниковый лазер с оригинальным волноводом, позволяющим добиться существенного обужения диаграммы направленности (до 4o в плоскости, перпендикулярной p-n-переходу). В использованном волноводе, благодаря подбору толщины ограничительных слоев Al0.3Ga0.7As, обеспечивается минимальное превышение эффективного показателя преломления возбуждаемой моды neff над показателем преломления подложки ns (neff-ns<<1), что существенно увеличивает размер волноводной моды и приводит к обужению диаграммы направленности.