Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Метод уменьшения ширины диаграммы направленности InGaAs/GaAs/AlGaAs многоямного гетеролазера
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия 
2Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
4Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
2Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
4Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
Email: kolpdm@gmail.com
Поступила в редакцию: 27 апреля 2016 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2016 г.
Создан полупроводниковый лазер с оригинальным волноводом, позволяющим добиться существенного обужения диаграммы направленности (до 4o в плоскости, перпендикулярной p-n-переходу). В использованном волноводе, благодаря подбору толщины ограничительных слоев Al0.3Ga0.7As, обеспечивается минимальное превышение эффективного показателя преломления возбуждаемой моды neff над показателем преломления подложки ns (neff-ns<<1), что существенно увеличивает размер волноводной моды и приводит к обужению диаграммы направленности.
- A. Pietrzak, P. Crump, H. Wenzel, G. Erbert, F. Bugge, G. Trankle. IEEE J. Select. Top. Quant. Electron., 17, 1715 (2011)
- С.О. Слипченко, А.А. Подоскин, Д.А. Винокуров, А.Д. Бондарев, В.А. Капитонов, Н.А. Пихтин, П.С. Копьев, И.С. Тарасов. ФТП, 47 (8), 1082 (2013)
- В.Я. Алешкин, Н.В. Дикарева, А.А. Дубинов, Б.Н. Звонков, М.В. Карзанова, К.Е. Кудрявцев, С.М. Некоркин, А.Н. Яблонский. Квант. электроню, 43 (5), 401 (2013)
- И.А. Авруцкий, Е.М. Дианов, Б.Н. Звонков, Н.Б. Звонков, И.Г. Малкина, Г.А. Максимов, Е.А. Ускова. Квант. электрон., 24 (2), 123 (1997)
- И.В. Самарцев, В.Я. Алешкин, Н.В. Дикарева, А.А. Дубинов, Б.Н. Звонков, Д.А. Колпаков, С.М. Некоркин. ФТП, 49 (12), 1625 (2015)
- D.R. Scrifers, W. Streifer, R.D. Burnham. Appl. Phys. Lett., 29, 23 (1976)
- В.Я. Алешкин, Т.С. Бабушкина, А.А. Бирюков, А.А. Дубинов, Б.Н. Звонков, М.Н. Колесников, С.М. Некоркин. Квант. электрон., 40 (10), 855 (2010)
- B.S. Ryvkin, E.A. Avrutin. J. Appl. Phys., 98, 026 107 (2005)
- В.А. Геловани, А.П. Скороходов, В.И. Швейкин. Высокомощные диодные лазеры нового типа (М., URSS: КомКнига, 2005)
- С.М. Некоркин, Б.Н. Звонков, М.В. Карзанова, Н.В. Дикарева, В.Я. Алешкин, А.А. Дубинов. Квант. электрон., 42 (10), 931 (2012)
- Х. Кейси, М. Паниш. Лазеры на гетероструктурах (М., Мир, 1981)
- А.П. Богатов, А.Е. Дракин, А.А. Лях, А.А. Стратоников, Квант. электрон., 31 (10), 847 (2001)
- Н.В. Дикарева, С.М. Некоркин, Б.Н. Звонков, В.Я. Алешкин, А.А. Дубинов, Квант. электрон., 45 (3), 204 (2015)
- А.Е. Жуков. Лазеры на основе полупроводниковых структур (СПб., Элмор, 2007)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
