Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Спектроскопия остовного уровня атомов углерода C 1s на поверхности эпитаксиального слоя SiC/Si(111) 4^o и интерфейса Cs/SiC/Si(111) 4^o

Бенеманская Г.В.^1,2, Дементьев П.А.^1,2, Кукушкин С.А.^2,3,4, Лапушкин М.Н.^1,2, Осипов А.В.^2,4, Сеньковский Б.В.⁵

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия Institute for Problems in Mechanical Engineering of the Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

Institute for Problems in Mechanical Engineering of the Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

³Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия Peter the Great Saint-Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, Russia

Peter the Great Saint-Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, Russia

⁴Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия ITMO University, St. Petersburg, Russia

⁵Helmholtz_Zentrum Berlin fur Materialen und Energie, Elektronenspeicherring BESSY II D, Berlin, Germany

Email: Galina.Benemanskaya@mail.ioffe.ru

Поступила в редакцию: 13 апреля 2016 г.

Выставление онлайн: 19 сентября 2016 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Впервые проведены фотоэмиссионные исследования электронной структуры наноинтерфейса Cs/нано-SiC/Si(111) 4^o с использованием синхротронного излучения в диапазоне энергий фотонов 120-450 эВ. Эксперименты проведены in situ при субмонослойных Cs покрытиях на поверхности эпитаксиального слоя SiC, выращенного новым методом замещения атомов подложки на вицинальной поверхности Si(111) 4^o. Исследована модификация спектров валентной зоны и остовных уровней C 1s, Si 2p. Обнаружено появление индуцированных Cs поверхностных состояний с энергиями связи 1.2, 7.4 эВ и резкое изменение спектра остовного уровня C 1s с появлением двух дополнительных мод. Эволюция спектров показывает, что формирование интерфейса Cs/нано-SiC(111) 4^o происходит за счет переноса заряда от адатомов Cs к поверхностным атомам на террасах и ступенях вицинальной поверхности. Обнаружено, что структура С-слоя является неординарной и характеризуется энергетически различными состояниями углерода.

S.E. Saddow, A. Agrawal. Advances in Silicon Carbide Processing and Applications (2004). ISBN 1-58053-740-5
P. Soukiassian, H.B. Enriquez. J. Phys.: Condens Matter, 16, 1611 (2004)
T. Seyller. J. Phys.: Condens Matter, 16, 1755 (2004)
V. van Elsbergen, T.U. Kampen, W. Monch. J. Appl. Phys., 79, 316 (1996)
C. Virojanadara, L.I. Johansson. Surf. Sci., 600, 436 (2006)
L.I. Johansson, C. Virojanadara. Phys. Status Solidi B, 248, 667 (2011)
B. Wenzien, P. Kackell, F. Bechstedt, G. Cappellini. Phys. Rev. B, 52, 10897 (1995)
V.M. Bermudez, J.P. Long. Appl. Phys. Lett., 66, 475 (1995)
H.W. Yeom, Y.-C. Chao, I. Matsuda, S. Hara, S. Yoshida, R.I.G. Uhrberg. Phys. Rev. B, 58, 10540 (1998)
S.A. Kukushkin, A.V. Osipov. J. Appl. Phys., 113, 024909 (2013)
S.A. Kukushkin, A.V. Osipov. J. Phys. D: Appl. Phys., 47, 313001 (2014)
С.А. Кукушкин, А.В. Осипов, Н.А. Феоктистов. ФТТ, 56, 1457 (2014)
С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. Письма ЖТФ, 42, 16 (2016)
B. Wenzien, P. Kackell, F. Bechstedt, G. Cappellini. Phys. Rev. B, 52, 10897 (1995)
V.M. Bermudez, J.P. Long. Appl. Phys. Lett., 66, 475 (1995)
H.W. Yeom, Y.-C. Chao, I. Matsuda, S. Hara, S. Yoshida, R. I.G. Uhrberg. Phys. Rev. B, 58, 10540 (1998)
F. Semond, P. Soukiassian, P.S. Mangat, Z. Hurych, L. di Cioccio, C. Jaussand. Appl. Surf. Sci., 104/105, 79 (1996)
G.V. Benemanskaya, P.A. Dementev, S.А. Kukushkin, M.N. Lapushkin, A.V. Osipov, B. Senkovskiy, S.N. Timoshnev. Mater. Phys. Mech., 22, 183 (2015)
G. Ferro. Critical Rev. in Solid State and Mater. Sci., 40, 56 (2015).
A.G. Fedorus, A.G. Naumovets, Yu. S. Vedula, Phys. Status Solidi A, 13, 445 (1972)
S. Tanuma, C.J. Powell, D.R. Penn. Surf. Interf. Anal., 21, 165 (1994)
P.-A. Glans, T. Balasubramanian, M. Syvajarvi, R. Yakimova, L.I. Johansson. Surf. Sci., 470, 284 (2001)
R. Verucchi, L. Aversa, M.V. Nardi, S. Taioli, S. Beccara, D. AlfAe, L. Nasi, F. Rossi, G. Salviati, S. Iannotta. J. Am. Chem. Soc., 134, 17400 (2012)
L.I. Johansson, F. Owman, P. Martensson. Phys. Rev. B, 53, 19793 (1996)
Г.В. Бенеманская, П.А. Дементьев, С.А. Кукушкин, М.Н. Лапушкин, Б.В. Сеньковский, С.Н. Тимошнев. ФТП, 50, 465 (2016)
C.H. Park, B.-H. Cheong, K.-H. Lee, K.J. Chang. Phys. Rev. B, 49, 4485 (1994)
L. Wenchang, Y. Weidong, Z. Kaiming. J. Phys.: Condens. Matter, 3, 9079 (1991)
J. Wang, L. Zhang, Q. Zeng, G.L. Vignoles, L. Cheng, A. Guette. Phys. Rev. B, 79, 125304 (2009)
R. Takahashi, H. Handa, Shunsuke, K. Imaizumi, H. Fukidome, A. Yoshigoe, Yu. Teraoka, M. Suemitsu. Jpn. J. App. Phys., 50, 070103 (2011)
L.B. Biedermann, M.L. Bolen, M.A. Capano, D.G. Zemlyanov, R. Reifenberger. Phys. Rev. B, 79, 125411 (2009).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель