"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Интенсивность излучения в УФ- и ИК-областях спектра в пленках, наностержнях, объемных монокристаллах ZnO, легированных Er и дополнительно введенными примесями
Мездрогина М.М.1, Виноградов А.Я.1, Кузьмин Р.В.1, Левицкий В.С.1,2, Кожанова Ю.В.3, Лянгузов Н.В.4, Чукичев М.В.5
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет, "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский государственный политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
4Южный федеральный университет, Ростов-на-Дону, Россия
5Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
Email: margaret.m@mail.ioffe.ru, vingrdov@mail.ru, vladimir_lev@mail.ru, Margaret.m@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 17 февраля 2016 г.
Выставление онлайн: 20 сентября 2016 г.

Для ZnO пленок, наностержней, монокристаллов, легированных Er+, показано, что влияние дополнительно введенных примесей в катионную, анионную подрешетки, реализация интенсивного излучения полосы с lambdamax=1535 нм определяется концентрацией и локальным окружением иона. Легирование пленок, монокристаллов с помощью метода диффузии Er+ приводит к излучению в ИК-области спектра с малой интенсивностью вследствие недостаточной концентрации примесного иона. Увеличение интенсивности излучения данной полосы может быть достигнуто введением дополнительных примесей Ag, Au, N+ в пленки ZnO. Интенсивность излучения в УФ-области для пленок, монокристаллов, легированных Er, с lambdamax=(368-372) нм такая же, как для нелегированных пленок. В наностержнях ZnO, легированных только Er или дополнительно введенными примесями Al, Ga, имеется полоса излучения в ИК-области (с lambdamax=1535 нм), интенсивность которой уменьшается при введении ко-допантов. Легирование наностержней в процессе роста (930<T<960oC) газовой примесью N+, затем Er+ методом диффузии не приводит к существенному увеличению интенсивности излучения в ИК-области по сравнению с интенcивностью излучения данной полосы для нелегированных N+ наноcтержней. Для наностержней, легированных Er, в спектрах ФЛ которых в ИК-области имеется интенсивная полоса излучения с lambdamax=1535 нм, практически отсутствует излучение в УФ-области с lambdamax=372 нм.
  • Z.L. Wang. Appl. Phys. A: Mater. Sci. Processing (2007) DOI: 10.1007/s00339-007-3942-8
  • P.M. Parthangal, R.E. Cavicchi, M.R. Zachariah. Nanotechnology, 17, 3786 (2006)
  • H.J. Lozukowski, W.M. Jadwisienczak. Phys. Status. Solidi (b), 118 (2007)
  • М.М. Мездрогина, М.В. Еременко, А.Н. Смирнов, В.Н. Петров, Е.И. Теруков. ФТП, 49 (8) 1016 ( 2015)
  • М.М. Мездрогина, М.В. Еременко, В.С. Левицкий, В.Н. Петров, Е.И. Теруков, Н.М. Лянгузов, Е.М. Кайдашев. ФТП, 49 (11), 1521 (2015)
  • М.М. Мездрогина, Э.Ю. Даниловский, Р.В. Кузьмин, Н.К. Полетаев, И.Н. Трапезникова, М.В. Чукичев, Г.А. Бордовский, А.В. Марченко, М.В. Еременко. ФТП, 44 (4), 445 (2010)
  • Ж.П. Сюше. Физическая химия полупроводников (М., Металлургия, 1969)
  • Н.М. Лядов, А.И. Гумаров, В.Ф. Валеев, Н.И. Нуждин, В.В. Базаров, И.А. Файзрахманов. ЖТФ, 54 (5), 62 ( 2014)
  • М.М. Мездрогина, Г.Н. Мосина, Е.И. Теруков, И.Н. Трапезникова. ФТП, 35 (6), 714 ( 2001)
  • M. Ishi, Sh. Kamuro, T. Morikawa, Y. Aoyagi. J. Appl. Phys., 89 (7), 3679 (2001)
  • М.М. Мездрогина, М.В. Еременко, А.Н. Смирнов, В.Н. Петров, Е.И. Теруков. ФТП, 49 (8), 1016 ( 2015)
  • C.W. Cheng, E.J. Sie, B. Liu, C.H.A. Huan, T.C. Sum, H.D. Sun, H.J. Fan. Appl. Phys. Lett., 97, 107 ( 2010)
  • M.M. Mezdroginа, E.Yu. Danilovskii, R.V. Kusmin. Inorganic Mater., 47 (13), 1450 ( 2011)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.