"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Интенсивность излучения в УФ- и ИК-областях спектра в пленках, наностержнях, объемных монокристаллах ZnO, легированных Er и дополнительно введенными примесями
Мездрогина М.М.1, Виноградов А.Я.1, Кузьмин Р.В.1, Левицкий В.С.1,2, Кожанова Ю.В.3, Лянгузов Н.В.4, Чукичев М.В.5
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
4Южный федеральный университет, Ростов-на-Дону, Россия
5Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
Email: margaret.m@mail.ioffe.ru, vingrdov@mail.ru, vladimir_lev@mail.ru, Margaret.m@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 17 февраля 2016 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2016 г.

Для ZnO пленок, наностержней, монокристаллов, легированных Er+, показано, что влияние дополнительно введенных примесей в катионную, анионную подрешетки, реализация интенсивного излучения полосы с lambdamax=1535 нм определяется концентрацией и локальным окружением иона. Легирование пленок, монокристаллов с помощью метода диффузии Er+ приводит к излучению в ИК-области спектра с малой интенсивностью вследствие недостаточной концентрации примесного иона. Увеличение интенсивности излучения данной полосы может быть достигнуто введением дополнительных примесей Ag, Au, N+ в пленки ZnO. Интенсивность излучения в УФ-области для пленок, монокристаллов, легированных Er, с lambdamax=(368-372) нм такая же, как для нелегированных пленок. В наностержнях ZnO, легированных только Er или дополнительно введенными примесями Al, Ga, имеется полоса излучения в ИК-области (с lambdamax=1535 нм), интенсивность которой уменьшается при введении ко-допантов. Легирование наностержней в процессе роста (930<T<960oC) газовой примесью N+, затем Er+ методом диффузии не приводит к существенному увеличению интенсивности излучения в ИК-области по сравнению с интенcивностью излучения данной полосы для нелегированных N+ наноcтержней. Для наностержней, легированных Er, в спектрах ФЛ которых в ИК-области имеется интенсивная полоса излучения с lambdamax=1535 нм, практически отсутствует излучение в УФ-области с lambdamax=372 нм.
  1. Z.L. Wang. Appl. Phys. A: Mater. Sci. Processing (2007) DOI: 10.1007/s00339-007-3942-8
  2. P.M. Parthangal, R.E. Cavicchi, M.R. Zachariah. Nanotechnology, 17, 3786 (2006)
  3. H.J. Lozukowski, W.M. Jadwisienczak. Phys. Status. Solidi (b), 118 (2007)
  4. М.М. Мездрогина, М.В. Еременко, А.Н. Смирнов, В.Н. Петров, Е.И. Теруков. ФТП, 49 (8) 1016 ( 2015)
  5. М.М. Мездрогина, М.В. Еременко, В.С. Левицкий, В.Н. Петров, Е.И. Теруков, Н.М. Лянгузов, Е.М. Кайдашев. ФТП, 49 (11), 1521 (2015)
  6. М.М. Мездрогина, Э.Ю. Даниловский, Р.В. Кузьмин, Н.К. Полетаев, И.Н. Трапезникова, М.В. Чукичев, Г.А. Бордовский, А.В. Марченко, М.В. Еременко. ФТП, 44 (4), 445 (2010)
  7. Ж.П. Сюше. Физическая химия полупроводников (М., Металлургия, 1969)
  8. Н.М. Лядов, А.И. Гумаров, В.Ф. Валеев, Н.И. Нуждин, В.В. Базаров, И.А. Файзрахманов. ЖТФ, 54 (5), 62 ( 2014)
  9. М.М. Мездрогина, Г.Н. Мосина, Е.И. Теруков, И.Н. Трапезникова. ФТП, 35 (6), 714 ( 2001)
  10. M. Ishi, Sh. Kamuro, T. Morikawa, Y. Aoyagi. J. Appl. Phys., 89 (7), 3679 (2001)
  11. М.М. Мездрогина, М.В. Еременко, А.Н. Смирнов, В.Н. Петров, Е.И. Теруков. ФТП, 49 (8), 1016 ( 2015)
  12. C.W. Cheng, E.J. Sie, B. Liu, C.H.A. Huan, T.C. Sum, H.D. Sun, H.J. Fan. Appl. Phys. Lett., 97, 107 ( 2010)
  13. M.M. Mezdroginа, E.Yu. Danilovskii, R.V. Kusmin. Inorganic Mater., 47 (13), 1450 ( 2011)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.