"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Генерация квантово-каскадных лазеров на длине волны излучения 5.8 мкм при комнатной температуре
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), 16-29-03289 офи_м
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), 16-29-09580 офи_м
Бабичев А.В.1,2, Bousseksou A., Пихтин Н.А.3, Тарасов И.С.3, Никитина Е.В.4, Софронов А.Н.5, Фирсов Д.А.5, Воробьев Л.Е.5, Новиков И.И.1,3, Карачинский Л.Я.1,3, Егоров А.Ю. 1,2
1ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия
2Национальный исследовательский университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
5Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
Email: anton.egorov@connector-optics.com
Поступила в редакцию: 13 апреля 2016 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2016 г.

В ходе работы продемонстрирована генерация многопериодных квантово-каскадных лазеров на длине волны излучения 5.8 мкм в импульсном режиме при комнатной температуре. Гетероструктура квантово-каскадного лазера на основе гетеропары твердых растворов InGaAs/InAlAs была выращена методом молекулярно-пучковой эпитаксии и включала 60 идентичных каскадов. Плотность порогового тока для полоскового лазера длиной 1.4 мм и шириной 22 мкм составляла ~4.8 кA/см2 при температуре 303 K. Максимальная зарегистрированная детектором мощность оптического излучения, выходящего с одного торца ККЛ составляет 88 мВт. Реальная оптическая мощность, выходящая с одного торца ККЛ, не менее чем 150 мВт. В статье обсуждаются полученные результаты и возможные пути оптимизации конструкции созданных квантово-каскадных лазеров.
  1. Р.Ф. Казаринов, Р.А. Сурис. ФТП, 5, 797 (1971)
  2. A.Y. Cho. Appl. Phys. Lett., 19, 467 (1971)
  3. J. Faist, F. Capasso, D.L. Sivco, C. Sirtori, A.L. Hutchinson, A.Y. Cho. Science, 264 (5158), 553 (1994)
  4. J. Faist, F. Capasso, D.L. Sivco, A.L. Hutchinson, S.N.G. Chu, A.Y. Cho. Appl. Phys. Lett., 72, 680 (1998)
  5. M. Fischer, G. Scalari, C. Walther, J. Faist. J. Cryst. Growth, 311 (7), 1939 (2009)
  6. M. Beck, D. Hofstetter, T. Aellen, J. Faist, U. Oesterle, M. Ilegems, E. Gini, H. Melchior. Science, 295 (5553), 301 (2002)
  7. C. Gmachi, F. Capasso, A. Tredicucci, D.L. Sivxo, R. Kohler, A.L. Hutchinson, A.Y. Cho. IEEE J. Select. Topics Quant. Electron., 5 (3), 808 (1999)
  8. O. Fedosenko, M. Chashnikova, S. Machulik, J. Kischkat, M. Klinkmuller, A. Aleksandrova, G. Monastyrskyi, M.P. Semtsiv, W.T. Masselink. J. Cryst. Growth, 323 (1), 484 (2011)
  9. A. Lyakh, C. Pflug, L. Diehl, Q.J. Wang, F. Capasso, X.J. Wang, J.Y. Fan, T. Tanbun-Ek, R. Maulini, A. Tsekoun, R. Go, C.K.N. Patel. Appl. Phys. Lett., 92 (11), 111110 (2008)
  10. X. Chen, L. Cheng, D. Guo, F.S. Choa, T. Worchesky. Proc. SPIE OPTO. (San Francisco, USA, 2011) 7953, p. 79531Z (2011)
  11. C.A. Wang, A.K. Goyal, R.K. Huang, J.P. Donnelly, D.R. Calawa, G.W. Turner, A. Sanchez-Rubio, A. Hsu, Q. Hu, B. Williams. MA 02420-9108. http://www.rle.mit.edu/thz/ documents/Wang\_QCLmaterials\_09\_v3.pdf
  12. F. Capasso, C. Gmachl, R. Paiella, A. Tredicucci, A.L. Hutchinson, D.L. Sivco, J.N. Baillargeon, A.Y. Cho, H.C. Liu. IEEE J. Select. Topics Quant. Electron., 6(6), 931 (2000)
  13. M. Razeghi. Proc. SPIE OPTO. (San Jose, USA), 7230, 723011 (2009)
  14. Y. Bai, S. Slivken, S. Kuboya, S.R. Darvish, M. Razeghi. Nat. Photonics, 4 (2), 99 (2010)
  15. А.Ю. Егоров, П.Н. Брунков, Е.В. Никитина, Е.В. Пирогов, М.С. Соболев, А.А. Лазаренко, М.В. Байдакова, Д.А. Кириленко, С.Г. Конников. ФТП, 48 (12), 1640 (2014)
  16. R. Furstenberg, C.A. Kendziora, J. Stepnowski, S.V. Stepnowski, M. Rake, M.R. Papantonakis, V. Nguyen, G.K. Hubler, R.A. McGill. Appl. Phys. Lett., 93 (22), 224103 (2008)
  17. K. Hashimura, K. Ishii, K. Awazu. Jpn. J. Appl. Phys., 54 (11), 112701 (2015)
  18. K. Hashimura, K. Ishii, N. Akikusa, T. Edamura, H. Yoshida, K. Awazu. Adv. Biomed. Eng., 1, 74 (2012)
  19. J.S. Yu, A. Evans, J. David, L. Doris, S. Slivken, M. Razeghi. Appl. Phys. Lett., 83 (25), 5136 (2003)
  20. M. Razeghi, S. Slivken, J. Yu, A. Evans, J. David. Microelectron. J., 34 (5), 383 (2003)
  21. S. Slivken, A. Evans, J. David, M. Razeghi. Appl. Phys. Lett., 81 (23), 4321 (2002)
  22. J.S. Yu, A. Evans, J. David, L. Doris, S. Slivken, M. Razeghi. IEEE Phot. Techn. Lett., 16 (3), 747 (2004)
  23. J.S. Yu, S. Slivken, A. Evans, L. Doris, M. Razeghi. Appl. Phys. Lett., 83 (13), 2503 (2003)
  24. A. Evans, J.S. Yu, J. David, L. Doris, K. Mi, S. Slivken, M. Razeghi. Appl. Phys. Lett., 84 (3), 314 (2004)
  25. S. Slivken, J.S. Yu, A. Evans, J. David, L. Doris, M. Razeghi. IEEE Phot. Techn. Lett., 16 (3), 744 (2004)
  26. J.S. Yu, S. Slivken, A. Evans, J. David, M. Razeghi. Appl. Phys. Lett., 82, 3397 (2003)
  27. R.E. Fern, A. Onton. J. Appl. Phys., 42 (9), 3499 (1971)
  28. E.D. Palik. Handbook of optical constants of solids. (San Diego, CA, Academic Press, 1998), p. 479
  29. A. Friedrich, G. Scarpa, G. Boehm, M.C. Amann. Electron. Lett., 40 (22), 1 (2004)
  30. L. Diehl, D. Bour, S. Corzine, J. Zhu, G. Hofler, M. Loncar, M. Troccoli, F. Capasso. Appl. Phys. Lett., 88 (20), 201115 (2006)
  31. Y.V. Flores, A. Aleksandrova, M. Elagin, J. Kischkat, S.S. Kurlov, G. Monastyrskyi, J. Hellemann, S.L. Golovynskyi, O.I. Dacenko, S.V. Kondratenko, G.G. Tarasov, M.P. Semtsiv, W.T. Masselink. J. Cryst. Growth, 425, 360 (2015)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.