"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Оптические свойства квантовых ям InGaAs/InGaAlAs спектрального диапазона 1520-1580 нм
Гладышев А.Г.1, Новиков И.И.1,2, Карачинский Л.Я.1,2, Денисов Д.В.1,2, Блохин С.А.3, Блохин А.А.3, Надточий А.М.3, Курочкин А.С.2, Егоров А.Ю.1,2
1ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия
2Национальный исследовательский университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: andrey.gladyshev@connector-optics.com
Поступила в редакцию: 16 марта 2016 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2016 г.

-1 Проведены исследования оптических свойств упругонапряженных полупроводниковых гетероструктур с квантовыми ямами InGaAs / InGaAlAs, предназначенных для формирования активной области лазерных диодов, излучающих в спектральном диапазоне 1520-1580 нм. Методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках InP реализованы активные области с различной степенью рассогласования параметров кристаллической решетки слоев квантовых ям InGaAs относительно параметра кристаллической решетки подложки InP. Максимальное относительное несоответствие параметров кристаллической решетки слоев квантовых ям InGaAs составило +2%. Оптические свойства упругонапряженных гетероструктур InGaAlAs /InGaAs / InP исследованы методами фотолюминесценции в диапазоне температур от 20 до 140oC и различной плотности мощности возбуждающего лазера. Исследование оптических свойств экспериментальных образцов InGaAlAs / InGaAs / InP подтверждает возможность применения разработанных упругонапряженных гетероструктур для реализации активных областей лазерных диодов с высокой температурной стабильностью.
  1. J.W. Raring, M.N. Sysak, A. Tauke-Pedretti, M. Dummer, E.J. Skogen, J.S. Barton, S.P. DenBaars, L.A. Coldren. Proc. SPIE Nanophotonic Packaging, 6126, 61260H (2006)
  2. Физические величины. Справочник, под ред. И.С. Григорьева, Е.З. Мейлихова (М., Энергоатомиздат, 1991) с. 255
  3. M. Muller, W. Hofmann, T. Grundl, M. Horn, P. Wolf, R.D. Nagel, E. Ronneberg, G. Bohm, D. Bimberg, M.C. Amann. IEEE J. Select. Top. Quant. Electron., 17 (6), p. 1158 (2011)
  4. I. Suemune. IEEE J. Quant. Electron., 27 (5), 1149 (1991)
  5. L.A. Coldren, S.W. Corzine, M.L. Mashanovitch. Diode lasers and photonic integrated circuits (John Wiley \& Sons, 2012). v. 218
  6. D. Bimberg, G. Larisch, P. Moser, P. Wolf, H. Li, J. Lott. IEEE 16th Intern. Conf. on Transparent Optical Networks (ICTON), 1--4 (2014)
  7. M. Allovon, M. Quillec. IEEE Proc. J., 139 (2), 148 (1992)
  8. I. Vurgaftman, J.R. Meyer, L.R. Ram-Mohan. J. Appl. Phys., 89 (11), 5815 (2001)
  9. H. Temkin, K. Alavi, W.R. Wagner, T.P. Pearsall, A.Y. Cho. Appl. Phys. Lett., 42 (10), 845 (1983)
  10. C.E. Zah, R. Bhat, F.J. Favire, M. Koza, T.P. Lee, D. Darby, D.C. Flanders, J.J. Hsieh. Electron. Lett., 28 (25), 2323 (1992)
  11. A. Tandon, D.P. Bour, Y.L. Chang, C.K. Lin, S.W. Corzine, M.R. Tan. Phys. and Simulation of Optoelectronic Dev. XII, 5349 (100), 206 (2004)
  12. D.Z. Garbuzov, R.J. Menna, R.U. Martinelli, J.H. Abeles, J.C. Connolly. Electron. Lett., 33 (19), 1635 (1997). 
  13. I.L. Morris, R.H. Williams, J.I. Davies, G.J. Clarke. Appl. Phys. Lett., 62 (3), 291 (1993)
  14. K. Kim, D.-S. Shin. J. Opt. Soc. Korea, 11 (3), 133 (2007)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.