Вышедшие номера
Оптические свойства гибридных квантово-размерных структур с высоким коэффициентом поглощения
CRDF, #FSCX-14-61093-0
Надточий А.М.1,2,3, Калюжный Н.А.3,1, Минтаиров С.А.3,2,1, Паюсов А.С.3,1, Rouvimov S.S.4, Максимов М.В.1,2,3, Жуков А.Е.1,3
1Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2ООО "Солар Дотс", Санкт-Петербург, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4University of Notre Dame, Notre Dame, Indiana, USA
Email: al.nadtochy@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 16 марта 2015 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2016 г.

Методами спектроскопии фотолюминесценции и фотопроводимости, а также методом спектроскопии фототока p-i-n-структуры исследованы образцы с гибридной квантово-размерной средой "квантовая яма-квантовые точки" (КЯТ), выращенные на подложках GaAs. В спектрах фотопроводимости и фототока обнаружен значительный вклад уровней КЯТ, расширяющий область поглощения GaAs до 1075 нм. Поглощение и люминесценция исследованных квантово-размерных структур облaдают особенностями, характерными для квантовых ям. Анализ спектров фототока и фотопроводимости показал, что выброс носителей заряда из локализованных состояний КЯТ имеет комбинированный характер: при температурах <100 K выброс возможен с помощью туннелирования в матрицу с приложением электрического поля 40 кВ/см, а при повышении температуры включается термическая активация. Также обнаружена латеральная фотопроводимость в слоях квантово-размерных структур.
  1. N.N. Ledentsov, V.M. Ustinov, V.A. Shchukin, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, D. Bimberg. Semiconductors, 32 (4), 343 (1998)
  2. S.S. Mikhrin, A.R. Kovsh, I.L. Krestnikov, A.V. Kozhukhov, D.A. Livshits, N.N. Ledentsov, Yu.M. Shernyakov, I.I. Novikov, M.V. Maximov, V.M. Ustinov, Zh.I. Alferov. Semicond. Sci. Technol., 20 (5), 340 (2005)
  3. A. Kovsh, I. Krestnikov, D. Livshits, S. Mikhrin, J. Weimert, A. Zhukov. Optics Lett., 32 (7), 793 (2007)
  4. A. Luque, A. Marti. Phys. Rev. Lett., 78 (26), 5014 (1997)
  5. S.A. Blokhin, A.V. Sakharov, A.M. Nadtochy, A.S. Payusov, M.V. Maximov, N.N. Ledentsov, A.R. Kovsh, S.S. Mikhrin, V.M. Lantratov, S.A. Mintairov, N.A. Kaluzhniy, M.Z. Shvarts. Semiconductors, 43 (4), 514 (2009).
  6. H. Fujii, K. Toprasertpong, Y. Wang, K. Watanabe, M. Sugiyama, Y. Nakano. Progr. Photovol.: Res. Appl., 22 (7), 784 (2014)
  7. S.A. Mintairov, N.A. Kalyuzhnyy, M.V. Maximov, A.M. Nadtochiy, S. Rouvimov, A.E. Zhukov. Electron. Lett., 51 (20), 1602 (2015)
  8. S.A. Mintairov, N.A. Kalyuzhnyy, V.M. Lantratov, M.V. Maximov, A.M. Nadtochiy, S. Rouvimov, A.E. Zhukov. Nanotechnology, 26 (38), 385 202 (2015)
  9. P. Kailuweit, R. Kellenbenz, S.P. Philipps, W. Guter, A.W. Bett, F. Dimroth. J. Appl. Phys., 107 (6), 064 317 (2010)
  10. A.F. Tsatsul'nikov, A.Yu. Egorov, A.E. Zhukov, A.R. Kovsh, V.M. Ustinov, N.N. Ledentsov, M.V. Maksimov, B.V. Volovik, A.A. Suvorova, N.A. Bert, P.S. Kop'ev. Semiconductors, 31 (7), 722 (1997)
  11. N.V. Kryzhanovskaya, A.G. Gladyshev, S.A. Blokhin, M.V. Maksimov, E.S. Semenova, A.P. Vasil'ev, A.E. Zhukov, N.N. Ledentsov, V.M. Ustinov, D. Bimberg. Semiconductors, 39 (10), 1188 (2005)
  12. M.P.C.M. Krijn. Semicond. Sci. Technol., 6 (1), 27 (1991)
  13. M. Paxman, J. Nelson, B. Braun, J. Connolly, K.W.J. Barnham, C.T. Foxon, J.S. Roberts. J. Appl. Phys., 74 (1), 614 (1993).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.