"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Расчет барьера Шоттки и вольт-амперных характеристик структур металл--твердые растворы на основе карбида кремния
Алтухов В.И.1,2, Касьяненко И.С.1,2, Санкин А.В.1,2, Билалов Б.А.3, Сигов А.С.4
1Институт сервиса, туризма и дизайна (филиал) ФГАОУ ВПО "Северо-Кавказский федеральный университет",%
2в Пятигорске, Пятигорск, Россия
3Дагестанский государственный технический университет, Махачкала, Россия
4Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики, Москва, Россия
Email: altukhovv@mail.ru
Поступила в редакцию: 19 августа 2015 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2016 г.

Развита простая, но нелинейная по концентрации дефектов модель контакта металл-полупроводник, когда барьер Шоттки формируется поверхностными дефектными состояниями, локализованными на границе раздела. Показано, что учет нелинейной зависимости уровня Ферми от концентрации дефектов ведет при низких концентрациях дефектов к повышению барьера Шоттки на 15-25%. Рассчитанные значения высоты барьера используются для анализа вольт-амперных характеристик структур n-M/p-(SiC)1-x(AlN)x. Результаты расчета сопоставляются с экспериментальными данными.
  1. П.А. Иванов, И.В. Грехов, О.И. Коньков, А.С. Потапов, Т.П. Самсонова, Т.В. Семенов. ФТП, 45, 1427 (2011)
  2. М.К. Курбанов, Ш.М. Рамазанов, Б.З. Мехтиев. Тез. докл. Росс. конф. "Физическая электроника" (Махачкала, ДГУ, 2006) с. 175
  3. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984)
  4. С.Ю. Давыдов, А.А. Лебедев, С.К. Тихонов. ФТП, 31, 597 (1997)
  5. С.Ю. Давыдов, А.А. Лебедев, О.В. Посредник, Ю.М. Таиров. ФТП, 35, 1437 (2001)
  6. В.И. Алтухов, А.В. Санкин, М.Н. Дядюк, И.С. Касьяненко, О.А. Митюгова, С.В. Филиппова. Обозрение прикладной и промышленной математики, 19 (3), 423 (2012)
  7. В.И. Алтухов, А.В. Санкин, О.А. Митюгова. Обозрение прикладной и промышленной математики, 17, 246 (2010)
  8. R.H. Fowler. Phys. Rev., 38, 45 (1931)
  9. М.К. Курбанов, Б.А. Билалов, Г.К. Сафаралиев, Ш.М. Рамазанов. Неорг. матер., 43, 1 (2007)
  10. Г.К. Сафаралиев, Н.И. Каргин, М.К.Курбанов, Б.А. Билалов, Ш.М. Рамазанов, А.С. Гусев. Вестн. нац. исслед. ядерного ун-та "МИФИ", 3 (1), 63 (2014)
  11. П.С. Киреев. Физика полупроводников (М., Высш. шк., 1975)
  12. Н.П. Исмаилова, Н.В. Офицерова, Г.К. Сафаралиев. Мониторинг. Наука и технологии, 1, 117 (2009)
  13. А.И. Лебедев. Физика полупроводниковых приборов (М., Физматлит, 2008)
  14. Г.К. Сафаралиев, Б.А. Билалов, М.К. Курбанов, Н.И. Каргин, Ш.М. Рамазанов, А.С. Гусев. Вестн. нац. исслед. ядерного ун-та "МИФИ", 2 (2), 273 (2013).
  15. V.I. Altukhov, B.A. Bilalov, I.S. Kasyanenko, A.V. Sankin, A.S. Sigov. 2nd Int. Sci. Conf. "European Applied Sciences: modern approaches in scientific researches" (Stuttgart, Germany) 1, 201 (2013).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.