"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Механизм проводимости пленок оксида титана и структур металл-TiO2-Si
Министерство образования и науки Российской Федерации, Немецкая служба академических обменов (DAAD), Государственное задание, 3.1206.2014/К от 17.07.14
Калыгина В.М. 1, Егорова И.М.1, Прудаев И.А. 1, Толбанов О.П. 1
1Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
Email: Kalygina@ngs.ru, funcelab@gmail.com, top@mail.tsu.ru
Поступила в редакцию: 29 октября 2015 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2016 г.

Исследовано влияние отжига пленок оксида титана на электрические характеристики структур металл- TiO2-n-Si. Показано, что независимо от температуры отжига проводимость структур при положительных потенциалах на затворе определяется током, ограниченным пространственным зарядом в диэлектрике с ловушками, экспоненциально распределенными по энергии. При отрицательных потенциалах на затворе основной вклад в ток дает генерация электронно-дырочных пар в области пространственного заряда в кремнии. Свойства границы раздела TiO2-n-Si зависят от структуры и фазового состояния оксидной пленки, которые определяются температурой отжига.
  1. В.М. Калыгина, В.А. Новиков, Ю.С. Петрова, О.П. Толбанов, Е.В. Черников, С.Ю. Цупий, Т.М. Яскевич. ФТП, 48, 989 (2014)
  2. M.Sc. Azza Amin El-Hamshary aus Kairo/Agypten. (Technischen Hocheschule, Aachen, 2011). darwin.bth.rwth-aachen.de/ opus3/volltexte/2011/3860/pdf/3860.pdf
  3. М. Ламперт, П. Марк. Инжекционные токи в твердых телах (М., Мир, 1973)
  4. D. Wei, T. Hossain, N.Y. Garces, N. Nepal, H.M. Meyer, M.J. Kirkham, C.R. Eddy Jr., J.H. Edgar. ESC J. Solid State Sci. Technol., 2 (5), 110 (2013)
  5. A. Bally. These N 2094 (Ecole Polytechnique Federale De Lausanne, 1999)
  6. I. Luciu. Ph.D. Thesis (Trento, Italy, 2012). eprints-phd.biblio.unitn.it/702/
  7. S. Springer. Physicien dipl\^ome de l'Universite de B\^ale de nationalites suisse et americaine et originaire de B\^ale / Institut de physique de la matiere complexe (Lausanne, 2004)
  8. В.И. Гаман. Физика полупроводниковых приборов (Томск, НТЛ, 2000)
  9. В.М. Калыгина, В.А. Макаров, И.А. Прудаев, О.П. Толбанов. ФТП, в печати

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.