Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Механизм проводимости пленок оксида титана и структур металл-TiO₂-Si

Министерство образования и науки Российской Федерации, Немецкая служба академических обменов (DAAD), Государственное задание, 3.1206.2014/К от 17.07.14

Калыгина В.М.

¹, Егорова И.М.¹, Прудаев И.А.

¹, Толбанов О.П. ¹

¹Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия Tomsk State University, Tomsk, Russia

Email: Kalygina@ngs.ru, funcelab@gmail.com, top@mail.tsu.ru

Поступила в редакцию: 29 октября 2015 г.

Выставление онлайн: 20 июля 2016 г.

PDF версия

Исследовано влияние отжига пленок оксида титана на электрические характеристики структур металл- TiO₂-n-Si. Показано, что независимо от температуры отжига проводимость структур при положительных потенциалах на затворе определяется током, ограниченным пространственным зарядом в диэлектрике с ловушками, экспоненциально распределенными по энергии. При отрицательных потенциалах на затворе основной вклад в ток дает генерация электронно-дырочных пар в области пространственного заряда в кремнии. Свойства границы раздела TiO₂-n-Si зависят от структуры и фазового состояния оксидной пленки, которые определяются температурой отжига.

В.М. Калыгина, В.А. Новиков, Ю.С. Петрова, О.П. Толбанов, Е.В. Черников, С.Ю. Цупий, Т.М. Яскевич. ФТП, 48, 989 (2014)
M.Sc. Azza Amin El-Hamshary aus Kairo/Agypten. (Technischen Hocheschule, Aachen, 2011). darwin.bth.rwth-aachen.de/ opus3/volltexte/2011/3860/pdf/3860.pdf
М. Ламперт, П. Марк. Инжекционные токи в твердых телах (М., Мир, 1973)
D. Wei, T. Hossain, N.Y. Garces, N. Nepal, H.M. Meyer, M.J. Kirkham, C.R. Eddy Jr., J.H. Edgar. ESC J. Solid State Sci. Technol., 2 (5), 110 (2013)
A. Bally. These N 2094 (Ecole Polytechnique Federale De Lausanne, 1999)
I. Luciu. Ph.D. Thesis (Trento, Italy, 2012). eprints-phd.biblio.unitn.it/702/
S. Springer. Physicien dipl\^ome de l'Universite de B\^ale de nationalites suisse et americaine et originaire de B\^ale / Institut de physique de la matiere complexe (Lausanne, 2004)
В.И. Гаман. Физика полупроводниковых приборов (Томск, НТЛ, 2000)
В.М. Калыгина, В.А. Макаров, И.А. Прудаев, О.П. Толбанов. ФТП, в печати

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель