"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Хлоридная эпитаксия слоев beta-Ga2O3 на сапфировых подложках базисной ориентации
Николаев В.И.1,2,3, Печников А.И.2,3, Степанов С.И.3,4, Шарофидинов Ш.Ш.3,1, Головатенко А.А.2,3,1, Никитина И.П.1, Смирнов А.Н.1, Бугров В.Е.3, Романов А.Е.3,1, Брунков П.Н.3,1, Кириленко Д.А.3,1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2ООО "Совершенные кристаллы", Санкт-Петербург, Россия
3Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
4Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия .i.nikolaev
Email: vladimir.i.nikolaev@gmail.com
Поступила в редакцию: 16 декабря 2015 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2016 г.

Методом хлоридной эпитаксии получены эпитаксиальные слои beta-Ga2O3 на сапфире с использованием в качестве источника кислорода воздуха. Слои были исследованы с помощью методов рентгеновской дифракции, оптической, растровой электронной и просвечивающей электронной микроскопии, микрорамановской спектроскопии. Установлено, что слои ориентированы плоскостью ( 2 01) параллельно поверхности подложки и в них имеются отдельные крупные кристаллические зерна трех ориентаций, отличающихся друг от друга поворотом на 60o в данной плоскости, что, вероятно, обусловлено различием в симметрии слоев и подложки.
  • M. Higashiwaki, K. Sasaki, A. Kuramata, T. Masui, S. Yamakoshi. Appl. Phys. Lett., 100, 013 504 (2012)
  • T. Oshima, N. Arai, N. Suzuki, S. Ohira, S. Fujita. Thin Sol. Films, 516, 5768 (2008)
  • K. Sasaki, M. Higashiwaki, A. Kuramata, T. Masui, S. Yamakoshi. J. Cryst. Growth, 378, 591 (2013)
  • K. Sasaki, A. Kuramata, T. Masui, E.G. Vi llora, K. Shimamura, S. Yamakoshi. Appl. Phys. Express, 5, 035 502 (2012)
  • E.G. Villora, K. Shimamura, K. Kitamura, K. Aoki. Appl. Phys. Lett., 88, 031 105 (2006)
  • H. Okumura, M. Kita, K. Sasaki, A. Kuramata, M. Higashiwaki, J.S. Speck. Appl. Phys. Express, 7, 095 501 (2014)
  • W. Mi, C. Luan, Z. Li, C. Zhao, X. Feng, J. Ma. Optical Mater. (Amst), 35, 2624 (2013)
  • P. Ravadgar, R.H. Horng, T.Y. Wang. ECS J. Solid State Sci. Technol., 1, N58 (2012)
  • D. Gogova, G. Wagner, M. Baldini, M. Schmidbauer, K. Irmscher, R. Schewski, Z. Galazka, M. Albrecht, R. Fornari. J. Cryst. Growth., 401, 665 (2014)
  • G. Wagner, M. Baldini, D. Gogova, M. Schmidbauer, R. Schewski, M. Albrecht, Z. Galazka, D. Klimm, R. Fornari. Phys. Status Solidi A, 211, 27 (2014)
  • D.J. Comstock, J.W. Elam. Chem. Mater., 24, 4011 (2012)
  • T. Matsumoto, M. Aoki, A. Kinoshita, T. Aono. Jpn. J. Appl. Phys., 13, 1578 (1974)
  • H. Murakami, K. Nomura, K. Goto, K. Sasaki, K. Kawara, Q.T. Thieг et al. Appl. Phys. Express, 8, 015 503 (2015)
  • Y. Oshima, E.G. Vi llora, K. Shimamura. J. Cryst. Growth, 410, 53 (2015)
  • Y. Oshima, E.G. Vi llora, Y. Matsushita, S. Yamamoto, K. Shimamura. J. Appl. Phys., 118, 085 301 (2015)
  • Y. Oshima, E.G. Vi llora, K. Shimamura. Appl. Phys. Express, 8, 055 501 (2015)
  • R. Rao, A.M. Rao, B. Xu, J. Dong, S. Sharma, M.K. Sunkara. J. Appl. Phys., 98, 1 (2005)
  • A. Khan, S.N. Khan, W.M. Jadwisienczak, M.E. Kordesch. Sci. Adv. Mater., 1, 236 (2009)
  • T. Onuma, S. Fujioka, T. Yamaguchi, Y. Itoh, M. Higashiwaki, K. Sasaki, T. Masui, T. Honda. J. Cryst. Growth, 401, 330 (2014)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.