"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Хлоридная эпитаксия слоев beta-Ga2O3 на сапфировых подложках базисной ориентации
Николаев В.И.1,2,3, Печников А.И.2,3, Степанов С.И.3,4, Шарофидинов Ш.Ш.3,1, Головатенко А.А.2,3,1, Никитина И.П.1, Смирнов А.Н.1, Бугров В.Е.3, Романов А.Е.3,1, Брунков П.Н.3,1, Кириленко Д.А.3,1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2ООО "Совершенные кристаллы", Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики (Университет ИТМО), Санкт-Петербург, Россия
4Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
Email: vladimir.i.nikolaev@gmail.com
Поступила в редакцию: 16 декабря 2015 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2016 г.

Методом хлоридной эпитаксии получены эпитаксиальные слои beta-Ga2O3 на сапфире с использованием в качестве источника кислорода воздуха. Слои были исследованы с помощью методов рентгеновской дифракции, оптической, растровой электронной и просвечивающей электронной микроскопии, микрорамановской спектроскопии. Установлено, что слои ориентированы плоскостью ( 2 01) параллельно поверхности подложки и в них имеются отдельные крупные кристаллические зерна трех ориентаций, отличающихся друг от друга поворотом на 60o в данной плоскости, что, вероятно, обусловлено различием в симметрии слоев и подложки.
  1. M. Higashiwaki, K. Sasaki, A. Kuramata, T. Masui, S. Yamakoshi. Appl. Phys. Lett., 100, 013 504 (2012)
  2. T. Oshima, N. Arai, N. Suzuki, S. Ohira, S. Fujita. Thin Sol. Films, 516, 5768 (2008)
  3. K. Sasaki, M. Higashiwaki, A. Kuramata, T. Masui, S. Yamakoshi. J. Cryst. Growth, 378, 591 (2013)
  4. K. Sasaki, A. Kuramata, T. Masui, E.G. Vi llora, K. Shimamura, S. Yamakoshi. Appl. Phys. Express, 5, 035 502 (2012)
  5. E.G. Villora, K. Shimamura, K. Kitamura, K. Aoki. Appl. Phys. Lett., 88, 031 105 (2006)
  6. H. Okumura, M. Kita, K. Sasaki, A. Kuramata, M. Higashiwaki, J.S. Speck. Appl. Phys. Express, 7, 095 501 (2014)
  7. W. Mi, C. Luan, Z. Li, C. Zhao, X. Feng, J. Ma. Optical Mater. (Amst), 35, 2624 (2013)
  8. P. Ravadgar, R.H. Horng, T.Y. Wang. ECS J. Solid State Sci. Technol., 1, N58 (2012)
  9. D. Gogova, G. Wagner, M. Baldini, M. Schmidbauer, K. Irmscher, R. Schewski, Z. Galazka, M. Albrecht, R. Fornari. J. Cryst. Growth., 401, 665 (2014)
  10. G. Wagner, M. Baldini, D. Gogova, M. Schmidbauer, R. Schewski, M. Albrecht, Z. Galazka, D. Klimm, R. Fornari. Phys. Status Solidi A, 211, 27 (2014)
  11. D.J. Comstock, J.W. Elam. Chem. Mater., 24, 4011 (2012)
  12. T. Matsumoto, M. Aoki, A. Kinoshita, T. Aono. Jpn. J. Appl. Phys., 13, 1578 (1974)
  13. H. Murakami, K. Nomura, K. Goto, K. Sasaki, K. Kawara, Q.T. Thieг et al. Appl. Phys. Express, 8, 015 503 (2015)
  14. Y. Oshima, E.G. Vi llora, K. Shimamura. J. Cryst. Growth, 410, 53 (2015)
  15. Y. Oshima, E.G. Vi llora, Y. Matsushita, S. Yamamoto, K. Shimamura. J. Appl. Phys., 118, 085 301 (2015)
  16. Y. Oshima, E.G. Vi llora, K. Shimamura. Appl. Phys. Express, 8, 055 501 (2015)
  17. R. Rao, A.M. Rao, B. Xu, J. Dong, S. Sharma, M.K. Sunkara. J. Appl. Phys., 98, 1 (2005)
  18. A. Khan, S.N. Khan, W.M. Jadwisienczak, M.E. Kordesch. Sci. Adv. Mater., 1, 236 (2009)
  19. T. Onuma, S. Fujioka, T. Yamaguchi, Y. Itoh, M. Higashiwaki, K. Sasaki, T. Masui, T. Honda. J. Cryst. Growth, 401, 330 (2014)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.