"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
О роли отрицательных эффективных масс в формировании проводимости полупроводниковых сверхрешеток
Романова Ю.Ю.1,2
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 22 апреля 2015 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2015 г.

Исследуются условия формирования статической и высокочастотной отрицательных проводимостей полупроводниковых сверхрешеток с различной долей области отрицательных эффективных масс в мини-зоне. Показано, что уменьшение доли отрицательной массы ведет к расширению областей отрицательной как дифференциальной, так и абсолютной проводимости сверхрешетки и появлению дополнительных областей неустойчивости гармонического поля. В результате развития статической неустойчивости в сверхрешетке, помещенной в разомкнутую по статическому току внешнюю цепь, возможна генерация как целочисленно, так и дробно квантованных статических полей.
  • L. Esaki, R. Tsu. IBM J. Res. Dev., 14, 61 (1970)
  • Ю.А. Романов. ФТТ, 45, 529 (2003)
  • Ю.А. Романов, Ю.Ю. Романова. ФТТ, 43 (3), 520 (2001) [Phys. Solid State, 43 (3), 539 (2001)]
  • Yu.A. Romanov, J.Yu. Romanova, L.G. Mourokh. Phys. Rev. B, 79, 245 320 (2009)
  • M.C. Wanke, A.G. Markelz, K. Unterrainer, S.J. Allen, R. Bhatt. Physic of Semiconductors, ed. by N. Scheffter, R. Zimmerman (World Scientific., Singapore, 1996), p. 1791M
  • M.C. Wanke, J.S. Scott, S.J. Allen, K.D. Maranowski, A.C. Gossard. Proc. SPIE Conf. on Terahertz Spectroscopy and Applications (San Jose, California, 1999) v. 3617, p. 148
  • J. Feldmann, K. Leo, J. Shah, D.A.B. Miller, J.E. Cunningham, T. Meier, G. von Plessen, A. Schulze, P. Thomas, S. Schmitt-Rink. Phys. Rev. B, 46, 7252 (1992)
  • Y. Shimada, K. Hirakawa, M. Odnoblioudov, K.A. Chao. Phys. Rev. Lett., 90, 046 806 (2003)
  • K. Jin, M. Odnoblyudov, Y. Shimada, K. Hirakawa, K.A. Chao. Phys. Rev. B, 68, 153 315 (2003)
  • Ю.А. Романов, Ю.Ю. Романова. ФТТ, 46 (1), 162 (2004) [Phys. Solid State, 46 (1), 164 (2004)]
  • J.Yu. Romanova, E.V. Demidov, L.G. Mourokh, Yu.A. Romanov. J. Phys.: Condens. Matter, 23, 305 801 (2011)
  • Ю.Ю. Романова, М.Л. Орлов, Ю.А. Романов. ФТП, 46, 1475 (2012) [Semiconductors, 46, 1443 (2012)]
  • Ю.Ю. Романова, Е.П. Додин, Ю.Н. Ноздрин, А.А. Бирюков, Н.В. Байдусь, Д.А. Павлов, Н.В. Малехонова. ФТП, 49, 122 (2015)
  • Y. Shimada, N. Sekine, K. Hirakawa. Appl. Phys. Lett., 84 (24), 4926 (2004)
  • Y.A. Romanov, J.Y. Romanova, L.G. Mourokh. J. Appl. Phys., 99, 013 707 (2006)
  • Ю.Ю. Романова. ФТП, 46, 1483 (2012) [Semiconductors, 46, 1451 (2012)]
  • И.В. Алтухов, М.С. Каган, С.Г. Калашников, В.В. Кукушкин, Е.Г. Ландсберг. ФТП, 12, 299 (1978)
  • Ю. Пожела. Плазма и токовые неустойчивости в полупроводниках (М., Наука, 1977)
  • T.Я. Банис, И.В. Паршелюнас, Ю.К. Пожела. ФТП, 5, 1990 (1971)
  • B.J. Keay, S. Zenner, S.J. Allen, K.O. Maranovski, A.C. Gossard, U. Bhattacharya, M.J.W. Rodwell. Phys. Rev. Lett., 75, 4102 (1995)
  • Ю.А. Романов, Ю.Ю. Романова. ЖЭТФ, 118 (5), 1193 (2000)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.