Вышедшие номера
Наноструктуры Ge/GeSn с высоким содержанием олова, выращенные на подложках (001) GaAs и Si методом молекулярно-пучковой эпитаксии
Садофьев Ю.Г.1,2, Мартовицкий В.П.1, Клековкин А.В.1, Сарайкин В.В.3, Васильевский И.С.2
1Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
2Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
3Научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф.В. Лукина, Москва, Зеленоград, Россия
Поступила в редакцию: 22 апреля 2015 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2015 г.

Упругонапряженные метастабильные слои GeSn с мольной долей олова до 0.185 выращены на пластинах (001) Si и GaAs, покрытых буферным слоем германия. Использован набор пластин с величиной угла отклонения от точной ориентации, изменяющейся в пределах 0-10o. Установлено, что кристаллическая решетка GeSn испытывает, в дополнение к тетрагональной, моноклинную деформацию с углом моноклинизации beta до 88o. Разориентация поверхности подложки приводит к повышению эффективности встраивания адатомов олова в кристаллическую решетку GeSn. При постростовом отжиге структур процесс фазового распада твердого раствора начинается задолго до завершения пластической релаксации упругих гетероэпитаксиальных напряжений. Олово, освобожденное в результате фазового распада GeSn, преимущественно стремится к выходу на поверхность структуры. Обнаружены проявления хрупко-пластического механизма релаксации напряжений, приводящего к появлению микротрещин в приповерхностной области исследуемых структур.