"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Наноструктуры Ge/GeSn с высоким содержанием олова, выращенные на подложках (001) GaAs и Si методом молекулярно-пучковой эпитаксии
Садофьев Ю.Г.1,2, Мартовицкий В.П.1, Клековкин А.В.1, Сарайкин В.В.3, Васильевский И.С.2
1Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
2Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
3Научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф.В. Лукина, Москва, Зеленоград, Россия
Поступила в редакцию: 22 апреля 2015 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2015 г.

Упругонапряженные метастабильные слои GeSn с мольной долей олова до 0.185 выращены на пластинах (001) Si и GaAs, покрытых буферным слоем германия. Использован набор пластин с величиной угла отклонения от точной ориентации, изменяющейся в пределах 0-10o. Установлено, что кристаллическая решетка GeSn испытывает, в дополнение к тетрагональной, моноклинную деформацию с углом моноклинизации beta до 88o. Разориентация поверхности подложки приводит к повышению эффективности встраивания адатомов олова в кристаллическую решетку GeSn. При постростовом отжиге структур процесс фазового распада твердого раствора начинается задолго до завершения пластической релаксации упругих гетероэпитаксиальных напряжений. Олово, освобожденное в результате фазового распада GeSn, преимущественно стремится к выходу на поверхность структуры. Обнаружены проявления хрупко-пластического механизма релаксации напряжений, приводящего к появлению микротрещин в приповерхностной области исследуемых структур.
  1. R. Ragan, H.A. Atwater. Appl. Phys. Lett., 77, 3418 (2000)
  2. G. Grzybowski, R.T. Beeler, L. Jiang, D.J. Smith, J. Kouvetakis, J. Menendez. Appl. Phys. Lett., 101, 072 105 (2012)
  3. S. Wirthst, R. Geiger, N. von den Driesch, G. Mussler, T. Stoica, S. Mantl, Z. Ikonic, M. Luysberg, S. Chiussi, J.M. Hartmann, H. Sigg, J. Faist, D. Buca, D. Grutzmacher. Nature Photonics, 9, 88 (2015)
  4. S. Ogus, W. Paul, T.F. Deutsch, B.-Y. Tsaur, D.V. Murphy. Appl. Phys. Lett., 43, 848 (1983)
  5. R.A. Sofer, L. Friedman. Superlat. Microstruct., 14, 189 (1993)
  6. O. Gurdal, P. Desjardins, J.R.A. Carlsson, N. Taylor, H.H. Radamson, J.-E. Sundgren, J.E. Greene. J. Appl. Phys., 83, 162 (1998)
  7. G. He, H.A. Atwater. Phys. Rev. Lett., 79, 1937 (1997)
  8. J. Mathews, R.T. Beeler, J. Tolle, C. Xu, R. Roucka, J. Kouvetakis, J. Menendez. Appl. Phys. Lett., 97, 221 912 (2010)
  9. Ю.Г. Садофьев, В.П. Мартовицкий, М.А. Базалевский, А.В. Клековкин, Д.В. Аверьянов, И.С. Васильевский. ФТП, 49, 129 (2015)
  10. Ю.Г. Садофьев. Письма ЖТФ, 19, 5 (1993)
  11. N. Herres, F. Fuchs, J. Schmitz, K.M. Pavlov, J. Wagner, J.D. Ralston, P. Koidl, C. Gadaleta, G. Scamarcio. Phys. Rev. B, 53, 15 688 (1996)
  12. В.П. Мартовицкий, В.И. Козловский, П.И. Кузнецов, Д.А. Санников. ЖЭТФ, 132, 1379 (2007)
  13. В.П. Мартовицкий, В.С. Кривобок. ЖЭТФ, 140, 330 (2011)
  14. J.E. Ayers. Heteroepitaxy of semiconductors (Taylor \& Francis Group, LLC, 2007)
  15. S.N.G. Chu, A.T. Macrander, K.E. Strege, W.D. Johnston. J. Appl. Phys., 57, 249 (1985)
  16. S. Orsila, A. Tukiainen, P. Uusimaa, J. Dekker, T. Leinonen, M. Pessa. J. Cryst. Growth, 227--228, 249 (2001).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.