Упругонапряженные метастабильные слои GeSn с мольной долей олова до 0.185 выращены на пластинах (001) Si и GaAs, покрытых буферным слоем германия. Использован набор пластин с величиной угла отклонения от точной ориентации, изменяющейся в пределах 0-10^o. Установлено, что кристаллическая решетка GeSn испытывает, в дополнение к тетрагональной, моноклинную деформацию с углом моноклинизации beta до 88^o. Разориентация поверхности подложки приводит к повышению эффективности встраивания адатомов олова в кристаллическую решетку GeSn. При постростовом отжиге структур процесс фазового распада твердого раствора начинается задолго до завершения пластической релаксации упругих гетероэпитаксиальных напряжений. Олово, освобожденное в результате фазового распада GeSn, преимущественно стремится к выходу на поверхность структуры. Обнаружены проявления хрупко-пластического механизма релаксации напряжений, приводящего к появлению микротрещин в приповерхностной области исследуемых структур.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.