"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Концепции создания монолитных метаморфных вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 1300-1550 нм
Егоров А.Ю.1,2,3, Карачинский Л.Я.1,2,3, Новиков И.И.1,2,3, Бабичев А.В.1,2,3, Неведомский В.Н.1, Бугров В.Е.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики (Университет ИТМО), Санкт-Петербург, Россия
3ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 29 апреля 2015 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2015 г.

Предложены возможные концепции реализации длинноволновых вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 1300-1550 нм на подложках GaAs. Показана возможность формирования методом молекулярно-пучковой эпитаксии метаморфной гетероструктуры GaAs-InGaAs с тонким буферным слоем, обеспечивающим быстрый переход от постоянной решетки подложки GaAs к постоянной решетки эпитаксиального метаморфного слоя InxGa1-xAs с долей индия x>0.3. Исследования методами просвечивающей электронной микроскопии показали эффективную локализацию дислокаций несоответствия в области тонкого буферного слоя и практически полное подавление проникновения дислокаций в вышележащий метаморфный слой InGaAs.
  • A.W. Naji, B.A. Hamida, X.S. Cheng, M.A. Mahdi, S. Harun, S. Khan, W.F. Al-Khateeb, A.A. Zaidan, B.B. Zaidan, H. Ahmad. Int. J. Phys. Sci., 6 (20), 4674 (2011)
  • M. Yano, H. Imai, M. Tukusagawa. J. Appl. Phys., 52, 3172 (1981)
  • H. Ishikawa, I. Suemune. IEEE Photon. Technol. Lett., 6, 344 (1994)
  • D. Pasquariello, E. Staffan Bjorlin, D. Lasaosa, Yi.-Jen Chiu, J. Piprek, John E. Bowers. J. Lightwave Technol., 24, 1470 (2006)
  • R. Shau, M. Ortsiefer, J. Rosskopf, G. Bohm, C. Lauer, M. Maute, M.-C. Amann. Proc. SPIE, 5364, 1 (2004)
  • E. Kapon, A. Sirbu. Nature Photon., 3, 27 (2009)
  • T. Kettler, L.Y. Karachinsky, N.N. Ledentsov, V.A. Shchukin, G. Fiol, M. Kuntz, A. Lochmann, O. Schulz, L. Reissmann, K. Posilovic, D. Bimberg, I.I. Novikov, Yu.M. Shernyakov, N.Yu. Gordeev, M.V. Maximov, N.V. Kryzhanovskaya, A.E. Zhukov, E.S. Semenova, A.P. Vasil'ev, V.M. Ustinov, A.R. Kovsh. Appl. Phys. Lett., 89 (4), 041113 (2006)
  • М.А. Бобров, С.А. Блохин, А.Г. Кузьменков, Н.А .Малеев, A.А. Блохин, Ю.М. Задиранов, Е.В. Никитина, В.М. Устинов. ФТП, 48 (12), 1697 (2014)
  • А.Ю. Егоров, Л.Я. Карачинский, И.И. Новиков, А.В. Бабичев, Т.Н. Березовская, В.Н. Неведомский. ФТП, 49, 1434 (2015)
  • R.L. Woo, W.D. Hong, S. Mesropian, M.S. Leite. 37th IEEE Photovoltaic Specialists Conf., PVSC (2011) p. 000295
  • H. Gebretsadik, K. Kamath, W.-D. Zhou, P. Bhattacharya, C. Caneau, R. Bhat. Appl. Phys. Lett., 72 (2), 135 (1998)
  • L.Ya. Karachinsky, S.A. Blokhin, I.I. Novikov, N.A. Maleev, A.G. Kuzmenkov, M.A. Bobrov, J.A. Lott, N.N. Ledentsov, V.A. Shchukin, J.-R. Kropp, D. Bimberg. Semicond. Sci. Technol., 28 (6), 065010 (2013)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.