Исследование влияния дизайна активной области монолитных многоцветных светодиодных гетероструктур на спектры и эффективность их излучения
Цацульников А.Ф.1,2, Лундин В.В.1,2, Сахаров А.В.1,2, Заварин Е.Е.1, Усов С.О.1,2, Николаев А.Е.1,2, Синицын М.А.1, Черкашин Н.А.3, Карпов С.Ю.4
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3CEMES-CNRS--Universite de Toulouse, Toulouse, France
4OOO "Софт-Импакт", Санкт-Петербург, Россия
Выставление онлайн: 20 октября 2015 г.
Исследованы конструктивные особенности светодиодных гетероструктур, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии, с монолитной InGaN/GaN активной областью, содержащей несколько квантовых ям InGaN, излучающих при различных длинах волн. Продемонстрирована возможность увеличения количества полос излучения до трех за счет увеличения числа осажденных InGaN квантовых ям с различным содержанием индия. Падение эффективности с увеличением числа КЯ в области высоких токов составляет приблизительно 30%. Изучены зависимости оптических свойств гетероструктур в зависимости от числа осажденных квантовых ям и типов барьеров между ними (слой GaN или короткопериодная InGaN/GaN сверхрешетка). Показано, что отношение интенсивностей линий излучения изменяется в широких пределах с изменением тока через структуру и сильно зависит от типа и толщины барьеров между квантовыми ямами.
- E.F. Schubert. Light-emitting diodes. (Cambridge University Press, N. Y., 2003)
- A. Zukauskas, M. Shur, R. Gaska. Introduction to Solid-State Lighting (J. Wiley \& Sons, N. Y., 2002)
- А.Ф. Цацульников, В.В. Лундин, А.В. Сахаров, Е.Е. Заварин, С.О. Усов, А.Е. Николаев, Н.В. Крыжановская, М.А. Синицын, В.С. Сизов, А.Л. Закгейм, М.Н. Мизеров. ФТП, 44, 837 (2010)
- А.Ф. Цацульников, В.В. Лундин, А.В. Сахаров, Е.Е. Заварин, С.О. Усов, А.Е. Николаев, Н.А. Черкашин, Б.Я. Бер, Д.Ю. Казанцев, М.Н. Мизеров, Hee Seok Park, M. Hytch, F. Hue. ФТП, 44, 96 (2010)
- W.V. Lundin, A.E. Nikolaev, A.V. Sakharov, E.E. Zavarin, G.A. Valkovskiy, M.A. Yagovkina, S.O. Usov, N.V. Kryzhanovskaya, V.S. Sizov, P.N. Brunkov, A.L. Zakgeim, A.E. Cherniakov, N.A. Cherkashin, M.J. Hytch, E.V. Yakovlev, D.S. Bazarevskiy, M.M. Rozhavskaya, A.F. Tsatsulnikov. JCG, 315, 267 (2011)
- Н.В. Крыжановская, В.В. Лундин, А.Е. Николаев, А.Ф. Цацульников, А.В. Сахаров, М.М.Павлов, Н.А. Черкашин, Г.А. Вальковский, М.А. Яговкина, С.О. Усов. ФТП, 44, 857 (2010)
- А.Ф. Цацульников, В.В. Лундин, Е.Е. Заварин, А.Е. Николаев, А.В. Сахаров, В.С. Сизов, С.О. Усов, Ю.Г. Мусихин, D. Gerthsen. ФТП, 45, 274 (2011)
- M.J. Hytch, E. Snoeck, R. Kilaas. Ultramicroscopy, 74, 131 (1998)
- Simulator for Light Emitters based on Nitride Semiconductors (SiLENSe)-software tool for light emitting diode bandgap engineering. http://www.softimpact.ru/silense.php
- K.A. Bulashevich, A.V. Kulik, S.Yu. Karpov. Phys. Status Solidi A, 1 (2014). DOI: 10.1002/pssa.201431576
- Shinji Saito, Rei Hashimoto, Jongil Hwang, Shinya Nunoue. Appl. Phys. Express, 6, 111 004 (2013)
- Jong-Il Hwang, Rei Hashimoto, Shinji Saito, Shinya Nunoue. Appl. Phys. Express, 7, 071 003 (2014)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
