Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Динамические характеристики дрейфовых диодов с резким восстановлением на основе 4H-SiC
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 22 апреля 2015 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2015 г.
Экспериментально исследованы динамические характеристики 4H-SiC p+-p-n0-n+-диодов в импульсных режимах, характерных для работы дрейфовых диодов с резким восстановлением (ДДРВ). Детально изучен эффект субнаносекундного обрыва обратного тока, поддерживаемого электронно-дырочной плазмой, предварительно накачанной импульсом прямого тока. Показано и объяснено влияние на ДДРВ-эффект амплитуды импульсов обратного напряжения, амплитуды и длительности импульсов прямого тока, временной задержки обратного импульса относительно прямого.
- И.В. Грехов, Г.А. Месяц. УФН, 175, 735 (2005)
- И.В. Грехов, П.А. Иванов, А.О. Константинов, Т.П. Самсонова. Письма ЖТФ, 28, 24 (2002)
- I.V. Grekhov, P.A. Ivanov, D.V. Khristyuk, A.O. Konstantinov, S.V. Korotkov, T.P. Samsonova. Sol. St. Electron., 47, 1769 (2003)
- A.V. Afanasyev, B.V. Ivanov, V.A. Ilyin, A.V. Kardo-Sysoev, M.A. Kuznetsova, V.V. Luchinin. Mat. Sci. Forum., 740-- 742, 1010 (2013)
- П.А. Иванов, И.В. Грехов. ФТП, 46, 544 (2012)
- П.А. Иванов, И.В. Грехов. ЖТФ, 85, 111 (2015)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
