"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Радиационная стойкость диодов Шоттки на основе n-GaN
Лебедев А.А., Белов С.В., Мынбаева М.Г., Стрельчук А.М., Богданова Е.В., Макаров Ю.Н.1, Усиков А.С.2,3, Курин С.Ю.1, Бараш И.С.1, Роенков А.Д.1, Козловский В.В.4
1ГК "Нитридные кристаллы", Санкт-Петербург, Россия
2Nitride Crystals Inc., N.Y., USA
3Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
4Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 10 марта 2015 г.
Выставление онлайн: 20 сентября 2015 г.

Диоды Шоттки диаметром ~10 мкм изготовлены на основе эпитаксиальных пленок n-GaN, выращенных хлор-гидридной эпитаксией (HVPE) на сапфировых подложках. Исследованы изменения параметров диодов при облучении протонами с энергией 15 МэВ. Определена скорость удаления носителей, которая составила 130-145 см-1. Линейный характер зависимости N=f(D) (N --- концентрация носителей, D --- доза облучения) показывает, что компенсация связана с переходом электронов с мелких доноров на глубокие уровни, созданные первичными радиационными дефектами.
  • A.A. Lebedev. J. Wide Bandgap Mater., 8, 129 (2000)
  • Properties of Advanced Semiconductor Materials: GaN, AlN, InN, BN, SiC, SiGe, ed. by M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev and M.S. Shur (John Wiley \& Sons Inc., 2001)
  • T. Boles, C. Varmazis, D. Carlson, L. Xia, D. Jin, T. Palacios, G.W. Turner, R.J. Molnar. Proc CS MANTECH Conf. (New Orleans, Lousiana, 2013) p. 297
  • P. Roussel. Semiconductor Today, 2, 52 (2007)
  • I.C. Kizilyalli, A. Edwards, D. Bour, H. Shah, H. Nie, D. Disney. How2Power Today (March 2013). www.how2power.com
  • А.В. Соломонов, С.А. Тарасов, Е.А. Менькович, И.А. Ламкин, С.Ю. Курин, А.А. Aнтипов, И.С. Бараш, А.Д. Роенков, Х. Хелава, Ю.Н. Макаров. ФТП, 48, 259 (2014)
  • Lei Yong, Shi Hongbiao, Lu Hai, Chen Dunjun, Zhang Rong, Zheng Youdou. J. Semiconductors, 34, 054 007 (2012)
  • A.A. Lebedev, D.V. Davydov, A.I. Veinger, N.S. Savkina, А.M. Strel'chuk, V.V. Kozlovski. J. Appl. Phys., 88, 6265 (2000)
  • В.В. Козловский, А.Е. Васильев, В.В. Емцев, А.А. Лебедев. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, N 9, 101 (2014)
  • А.И. Титов, П.А. Карасев, С.О. Кучеев. ФТП, 38, 1215 (2004)
  • A.I. Titov, S.O. Kucheyev. J. Appl. Phys., 92, 5740 (2002)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.