"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Природа оранжевой (2 эВ) фотолюминесценции в пленках SiO2, имплантированных большими дозами ионов Si+
Тысченко И.Е.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 17 февраля 2015 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2015 г.

Изучены спектры фотолюминесценции и спектры возбуждения фотолюминесценции в пленках SiO2, имплантированных большими дозами ионов Si+ (3 ат%), в зависимости от температуры последующего отжига. Показано, что в спектрах доминируют две полосы фотолюминесценции с максимумом 2.7 и 2 эВ, соотношение интенсивностей которых с ростом температуры отжига изменяется в пользу первой. Обе полосы фотолюминесценции имеют основной максимум возбуждения с энергией 5.1 эВ. В спектре возбуждения полосы ~2 эВ присутствуют также пики 3.8 и 4.6 эВ. Сделано заключение, что природа оранжевой полосы фотолюминесценции в имплантированных пленках SiO2 обусловлена излучательными переходами между уровнями центров, связанных с дефицитом кислорода (=Si-Si= или =Si:), и уровнями немостикового кислорода (=Si-Oo).
  1. M.-y. Hao, H. Hwang, J.C. Lee. Appl. Phys. Lett., 62, 1530 (1993)
  2. S-H. Choi, R.G. Elliman. Appl. Phys. Lett., 75, 968 (1999)
  3. B. Mrstik, H.L. Hughes, P.J. McMarr, R.K. Lawrence, D.I. Ma, I.P. Isaacson, R.A. Walker. IEEE Trans. Nucl. Sci., 47, 2189 (2000)
  4. T. Gebel, L. Rebohle, W. Skorupa, A.N. Nazarov, I.N. Osiyuk, V.S. Lysenko. Appl. Phys. Lett., 81, 2575 (2002)
  5. T. Shimizu-Iwajama, S. Nakao, K. Saitoh. Appl. Phys. Lett., 65, 1814 (1994)
  6. P. Mutti, G. Ghislotti, S. Bertoni, L. Bonoldi, G.F. Cerofolini, L. Meda, E. Grilli, M. Guzzi. Appl. Phys. Lett., 66, 851 (1995)
  7. W. Skorupa, R.A. Yankov, I.E. Tyschenko, H. Frob, T. Bohme, K. Leo. Appl. Phys. Lett., 68, 2410 (1996)
  8. L. Rebohle, J. von Borany, R.A. Yankov, W. Skorupa, I.E. Tyschenko, H. Frob, K. Leo. Appl.Phys. Lett., 71, 2809 (1997)
  9. T. Shimizu-Iwajama, T. Terao, A. Kamiya, M. Takeds, S. Nakao, K. Saitoh. Nanostruct. Mater., 5, 307 (1995)
  10. V. Gritsenko, H. Wong. Crit. Rev. Solid State Mat. Sci., 36, 129 (2011)
  11. В.А. Гриценко. Строение и электронная структура аморфных диэлектриков в кремниевых МДП структурах (Новосибирск, Наука, Сиб. отд-ние, 1993) гл. 6, с. 200
  12. E.P. O'Reilly, J. Robertson. Phys. Rev. B, 27, 3780 (1983)
  13. G.W. Arnold. IEEE Trans. Nucl. Sci., NS-20, 220 (1973)
  14. E.M. Dianov, V.O. Sokolov, V.B. Sulimov. J. Non-Cryst. Solids. 149, 5 (1992)
  15. L. Rebohle, J. von Borany, H. Frob, W. Skorupa. Appl. Phys. B, 71, 131 (2000)
  16. Y. Sakurai. J. Appl. Phys., 87, 755 (2000)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.