"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Температурная зависимость времени жизни носителей заряда в узкощелевых твердых растворах CdxHg1-xTe: учет излучательной рекомбинации
Баженов Н.Л.1, Мынбаев К.Д.1,2, Зегря Г.Г.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики (Университет ИТМО), Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 19 февраля 2015 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2015 г.

Анализируется вероятность излучательной рекомбинации носителей заряда в узкощелевых полупроводниках на примере твердых растворов CdxHg1-xTe. Получены выражения для мнимой части диэлектрической проницаемости и вероятности излучательной рекомбинации в рамках трехзонной модели Кейна с учетом непараболической зависимости энергии носителей от волнового вектора. Показано, что учет такой непараболичности энергетического спектра носителей приводит к модификации зависимости мнимой части диэлектрической проницаемости от частоты. Проведено сравнение выражений для вероятности излучательной рекомбинации, полученных в рамках простой параболической модели и модели Кейна с учетом и без учета эффекта непараболичности. Показано, что вклады в рекомбинацию переходов электронов в зоны тяжелых и легких дырок близки и при вычислении вероятности излучательной рекомбинации пренебрегать вкладом легких дырок нельзя.
  1. S.V. Morozov, V.V. Rumyantsev, A.V. Antonov, A.M. Kadykov, K.V. Maremyanin, K.E. Kudryavtsev, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretskii, V.I. Gavrilenko. Appl. Phys. Lett., 105, 022 102 (2014)
  2. S.V. Morozov, V.V. Rumyantsev, A.V. Antonov, K.V. Maremyanin, K.E. Kudryavtsev, L.V. Krasilnikova, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretskii, V.I. Gavrilenko. Appl. Phys. Lett., 104, 072 102 (2014)
  3. В.В. Румянцев, А.В. Иконников, А.В. Антонов, С.В. Морозов, М.С. Жолудев, К.Е. Спирин, В.И. Гавриленко, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов. ФТП, 47, 1446 (2013)
  4. К.Д. Мынбаев, Н.Л. Баженов, А.В. Шиляев, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов, М.В. Якушев, В.Г. Ремесник, В.С. Варавин. ЖТФ, 83 (10), 147 (2013)
  5. I.C. Robin, M. Taupin, R. Derone, P. Ballet, A. Lusson. J. Electron. Mater., 39, 868, (2010)
  6. X. Zhang, J. Shao, L. Chen, X. Lu, S. Guo, L. He, J. Chu. J. Appl. Phys., 110, 043 503 (2011)
  7. Н.Л. Баженов, К.Д. Мынбаев, Г.Г. Зегря. ФТП, 49, 444, (2015)
  8. R.N. Hall. Proc. IEE. Pt B, 106(17), 923 (1959)
  9. S.E. Schacham, E. Finkman. J. Appl. Phys., 57, 2001 (1985)
  10. S. Krishnamurthy, M.A. Berding, Z.G. Yu. J. Electron. Mater., 35, 1369 (2006)
  11. Yong Chang, C.H. Grein, J. Zhao, S. Sivanathan, C.Z. Wang, T. Aoki, David J. Smith, P.S. Wijewarnasuriya, V. Nathan. J. Appl. Phys., 100, 114 316 (2006)
  12. G.Y. Qiu, Y.F. Wei, Q.Zh. Sun, J.R. Yang. Proc. SPIE, 8419, 84191J (2012)
  13. Б.Л. Гельмонт, Г.Г. Зегря. ФТП, 25, 2019 (1991)
  14. Ч. Киттель. Квантовая теория твердых тел (М., Наука, 1967)
  15. Б.Л. Гельмонт. ЖЭТФ, 75 [2(8)], 536 (1978)
  16. W.W. Anderson. Infr. Phys., 20, 363 (1980)
  17. Н.С. Барышев, Б.Л. Гельмонт, М.И. Ибрагимова. ФТП, 24, 209 (1990)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.