"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
ОДП в структурах n-Si с несимметричными по площади контактами
Мусаев А.М.1
1Институт физики им. Х.И. Амирханова Дагестанского научного центра РАН, Махачкала, Россия
Поступила в редакцию: 20 мая 2014 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2015 г.

Рассмотрен физический механизм возникновения отрицательной дифференциальной проводимости в структурах кремния n-типа с сильно асимметричными по площади контактами. Показано, что эффект связан с формированием стационарной варизонной области вблизи точечного контакта структуры, обусловленным термоупругой деформацией кристалла, при неоднородном джоулевом разогреве.
  • В.В. Дмитриев, А.П. Лысенко, Ю.А. Мома. Электрон. техн., сер. 2, Полупроводниковые приборы, 6, 38 (1974)
  • В.Н. Добровольский, М.Н. Винославский, С.П. Павлюк, Н.Г. Коломицкий. ФТП, 23, 416 (1989)
  • Г. Матаре. Электроника дефектов в полупроводниках (М., Мир, 1974) гл. 12--13, с. 469
  • V.V. Kveder, Yu.A. Osipyan, W. Schroter, G. Zoth. Phys. Status Solidi A, 72, 701 (1982)
  • А.Л. Полякова. Деформация полупроводников и полупроводниковых приборов (М., Энергия, 1979) гл. 3, с. 168
  • Э. Мелан, Г. Паркус. Термоупругие напряжения вызываемые стационарными температурными полями (М., Физматлит, 1958) гл. 8, с. 111
  • Г.Л. Бир, Г.Е. Пикус. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках (М., Наука, 1972) гл. 5, с. 374
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.