"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
ОДП в структурах n-Si с несимметричными по площади контактами
Мусаев А.М.1
1Институт физики им. Х.И. Амирханова Дагестанского научного центра РАН, Махачкала, Россия
Поступила в редакцию: 20 мая 2014 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2015 г.

Рассмотрен физический механизм возникновения отрицательной дифференциальной проводимости в структурах кремния n-типа с сильно асимметричными по площади контактами. Показано, что эффект связан с формированием стационарной варизонной области вблизи точечного контакта структуры, обусловленным термоупругой деформацией кристалла, при неоднородном джоулевом разогреве.
  1. В.В. Дмитриев, А.П. Лысенко, Ю.А. Мома. Электрон. техн., сер. 2, Полупроводниковые приборы, 6, 38 (1974)
  2. В.Н. Добровольский, М.Н. Винославский, С.П. Павлюк, Н.Г. Коломицкий. ФТП, 23, 416 (1989)
  3. Г. Матаре. Электроника дефектов в полупроводниках (М., Мир, 1974) гл. 12--13, с. 469
  4. V.V. Kveder, Yu.A. Osipyan, W. Schroter, G. Zoth. Phys. Status Solidi A, 72, 701 (1982)
  5. А.Л. Полякова. Деформация полупроводников и полупроводниковых приборов (М., Энергия, 1979) гл. 3, с. 168
  6. Э. Мелан, Г. Паркус. Термоупругие напряжения вызываемые стационарными температурными полями (М., Физматлит, 1958) гл. 8, с. 111
  7. Г.Л. Бир, Г.Е. Пикус. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках (М., Наука, 1972) гл. 5, с. 374

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.