Вышедшие номера
Влияние непараболичности энергетического спектра электронов и легких дырок на оптические свойства гетероструктур с глубокими квантовыми ямами AlSb/ InAs0.86Sb0.14/AlSb
Павлов Н.В.1, Зегря Г.Г.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 15 сентября 2014 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2015 г.

Исследованы оптические характеристики гетероструктур с глубокими квантовыми ямами на примере структуры состава AlSb/InAs0.86Sb0.14/AlSb с учетом непараболичности энергетического спектра носителей заряда в рамках четырехзонной модели Кейна. Показано, что учет непараболичности приводит к увеличению количества уровней размерного квантования в зоне проводимости. При ширине квантовой ямы 100 Angstrem в исследуемой гетероструктуре имеются 3 уровня размерного квантования в рамках параболической модели и 6 уровней в рамках четырехзонной модели Кейна. Причина этого заключается в том, что высокоэнергетичные электроны оказываются в несколько раз тяжелее, чем электроны на дне зоны проводимости. Также показано, что учет эффекта непараболичности слабо влияет на интеграл перекрытия между s- и p-состояниями, однако приводит к значительному увеличению плотности состояний в зоне проводимости, что становится причиной существенного роста коэффициента поглощения излучения.
  1. G.G. Zegrya. In: Antimonide-Related Strained-Layer Heterostructures, ed. by M.O. Manasreh (Gordon and Breach Science Publishers, Amsterdam, 1997) p. 273
  2. M.P. Mikhailova, L.V. Danilov, K.V. Kalinina, E.V. Ivanov, N.D. Stoyanov, G.G. Zegrya, Y.P. Yakovlev, A. Hospodkova, J. Pangrac, M. Zikova, E. Hulicius. In: The Wonder of Nanotechnology: Quantum Optoelectronic Devices and Applications, ed. by M. Razeghi, L. Esaki, K. von Klitzing (SPIE Press, Bellingham, WA, 2013) p. 105
  3. I. Vurgaftman, J.R. Meyer, L.R. Ram-Mohan. J. Appl. Phys., 89, 5815 (2001)
  4. S.A. Cripps, T.J.C. Hosea, A. Krier, V. Smirnov, P.J. Batty, Q.D. Zhuang, H.H. Lin, Po-Wei Liu, G. Tsai. Appl. Phys. Lett., 90, 172 106 (2007)
  5. L.V. Asryan, N.A. Gun'ko, A.S. Polkovnikov, G.G. Zegrya, R.A. Suris, P.-K. Lau, T. Makino. Semicond. Sci. Technol., 15, 1132 (2000)
  6. Л.В. Данилов, Г.Г. Зегря. ФТП, 42, 573 (2007)
  7. В.Н. Абакумов, В.И. Перель, И.Н. Яссиевич. Безызлучательная рекомбинация в полупроводниках (СПб., Изд-во ПИЯФ, 1997)
  8. Г.Г. Зегря, А.С. Полковников. ЖЭТФ, 113, 1491 (1998)
  9. Л.В. Данилов, Г.Г. Зегря. ФТП, 42, 566 (2008)
  10. Л.Е. Воробьев, С.Н. Данилов, Г.Г. Зегря, Д.А. Фирсов, В.А. Шалыгин, И.Н. Яссиевич, Е.В. Берегулин. Фотоэлектрические явления в полупроводниках и размерно-квантованных структурах (СПб., Наука, 2001).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.