Вышедшие номера
Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-ITO/p-GaTe
Катеринчук В.Н.1, Кудринский З.Р.1, Ковалюк З.Д.1
1Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина
Поступила в редакцию: 12 августа 2014 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2015 г.

Исследованы фотоэлектрические свойства анизотипных гетеропереходов n-ITO/p-GaTe, изготовленных путем пульверизации спиртового раствора хлорида индия на нагретые подложки GaTe. Результаты исследований температурных зависимостей вольт-амперных характеристик полученных гетеропереходов позволили определить механизмы токопрохождения через барьер. Построены энергетические зонные диаграммы гетероперехода. Установлено, что гетеропереход n-ITO/p-GaTe обладает фоточувствительностью в диапазоне 0.35-0.73 мкм.