Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Жидкофазная эпитаксия твердого раствора замещения (Si2)1-x-y(Ge2)x(GaAs)y (0≤ x≤ 0.91, 0≤ y≤ 0.94) и некоторые электрофизические свойства
1Физико-технический институт им. С.В. Стародубцева Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан 
Поступила в редакцию: 5 мая 2014 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2015 г.
Методом жидкофазной эпитаксии из раствора-расплава на основе Pb на Si-подложках с кристаллографической ориентацией (111) выращены твердые растворы замещения (Si2)1-x-y(Ge2)x(GaAs)y (0≤ x≤ 0.91, 0≤ y≤ 0.94). Рентгеновским микрозондовым анализом исследован химический состав эпитаксиальных пленок и определен профиль распределения компонентов твердого раствора. Исследованы спектральные зависимости фоточувствительности и фотолюминесценция гетероструктур n-Si-p(Si2)1-x-y(Ge2)x(GaAs)y при комнатной и азотной температурах. В спектре фотолюминесценций пленок (Si2)1-x-y(Ge2)x(GaAs)y (0≤ x≤ 0.91, 0≤ y≤ 0.94) на фоне широкого спектра излучения обнаружены два максимума. Основной максимум с энергией 1.45 эВ обусловлен зона-зонной рекомбинацией носителей заряда твердого раствора, дополнительный, с энергией 1.33 эВ, - рекомбинацией носителей заряда с участием примесных уровней связи Si-Si (Si2 находится в ковалентной связи с тетраэдрической решеткой матрицы твердого раствора).
- Regina Ragan, Kyu S. Min, Harry A. Atwater. Mater. Sci. Engin. B, 87, 204 (2001)
- M.F. Fyhn, J. Lundsgaard Hansen, J. Chevallier, A. Nylandsted Larsen. Appl. Phys. A, 68, 259 (1999).
- А.С. Саидов, Ш.Н. Усмонов, М.У. Каланов, А.Н. Курмантаев, А.Н. Бахтибаев. ФТТ, 55 (1), 36 (2013)
- А.С. Саидов, Ш.Н. Усмонов, У.П. Асатова. ФТП, 46 (8), 1111 (2012)
- А.С. Саидов, М.С. Саидов, Ш.Н. Усмонов, А.Ю. Лейдерман, М.У. Каланов, К.Г. Гаимназаров, А.Н. Курмантаев. ФТТ, 53 (10), 1910 (2011)
- А.С. Саидов, М.С. Саидов, Ш.Н. Усмонов, У.П. Асатова. ФТП, 44 (7), 970 (2010)
- Ш.Н. Усмонов, А.С. Саидов, А.Ю. Лейдерман, Д. Сапаров, К.Т. Холиков. ФТП, 43 (8), 1131 (2009)
- А.С. Саидов, Ш.Н. Усмонов, К.Т. Холиков, Д. Сапаров. Письма ЖТФ, 33 (20), 5 (2007)
- А.Н. Баранов, Б.Е. Джуртанов, А.Н. Именков, А.А. Рогачев, Ю.М. Шерняков, Ю.П. Яковлев. ФТП, 20 (12), 2217 (1986)
- G. Bougnot, F. De Lannoy. J. Electrochem. Soc., 135, 783 (1988)
- С.П. Козырев. ФТП, 43 (7), 943 (2009)
- K. Chilukuri, M.J. Mori, C.L. Dohrman, E.A. Fitzgerald. Semicond. Sci. Technol., 22, 29 (2007)
- R. Ginige, B. Corbett, M. Modreanu, C. Barrett, J. Hilgarth, G. Isella, D. Chrastina, H. von Koenel. Semicond. Sci. Technol., 21, 775 (2006)
- М. Хансен, К. Андерко. Структуры двойных сплавов (М., Металлургиздат, 1962) т. II [Пер. с англ.: M. Hansen, K. Anderko. Constitution of binary alloys (Toronto--London--N.Y., 1958) v. II]
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
