"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Жидкофазная эпитаксия твердого раствора замещения (Si2)1-x-y(Ge2)x(GaAs)y (0≤ x≤ 0.91, 0≤ y≤ 0.94) и некоторые электрофизические свойства
Саидов А.С.1, Усмонов Ш.Н.1, Саидов М.С.1
1Физико-технический институт им. С.В. Стародубцева Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
Поступила в редакцию: 5 мая 2014 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2015 г.

Методом жидкофазной эпитаксии из раствора-расплава на основе Pb на Si-подложках с кристаллографической ориентацией (111) выращены твердые растворы замещения (Si2)1-x-y(Ge2)x(GaAs)y (0≤ x≤ 0.91, 0≤ y≤ 0.94). Рентгеновским микрозондовым анализом исследован химический состав эпитаксиальных пленок и определен профиль распределения компонентов твердого раствора. Исследованы спектральные зависимости фоточувствительности и фотолюминесценция гетероструктур n-Si-p(Si2)1-x-y(Ge2)x(GaAs)y при комнатной и азотной температурах. В спектре фотолюминесценций пленок (Si2)1-x-y(Ge2)x(GaAs)y (0≤ x≤ 0.91, 0≤ y≤ 0.94) на фоне широкого спектра излучения обнаружены два максимума. Основной максимум с энергией 1.45 эВ обусловлен зона-зонной рекомбинацией носителей заряда твердого раствора, дополнительный, с энергией 1.33 эВ, --- рекомбинацией носителей заряда с участием примесных уровней связи Si-Si (Si2 находится в ковалентной связи с тетраэдрической решеткой матрицы твердого раствора).
  1. Regina Ragan, Kyu S. Min, Harry A. Atwater. Mater. Sci. Engin. B, 87, 204 (2001)
  2. M.F. Fyhn, J. Lundsgaard Hansen, J. Chevallier, A. Nylandsted Larsen. Appl. Phys. A, 68, 259 (1999).
  3. А.С. Саидов, Ш.Н. Усмонов, М.У. Каланов, А.Н. Курмантаев, А.Н. Бахтибаев. ФТТ, 55 (1), 36 (2013)
  4. А.С. Саидов, Ш.Н. Усмонов, У.П. Асатова. ФТП, 46 (8), 1111 (2012)
  5. А.С. Саидов, М.С. Саидов, Ш.Н. Усмонов, А.Ю. Лейдерман, М.У. Каланов, К.Г. Гаимназаров, А.Н. Курмантаев. ФТТ, 53 (10), 1910 (2011)
  6. А.С. Саидов, М.С. Саидов, Ш.Н. Усмонов, У.П. Асатова. ФТП, 44 (7), 970 (2010)
  7. Ш.Н. Усмонов, А.С. Саидов, А.Ю. Лейдерман, Д. Сапаров, К.Т. Холиков. ФТП, 43 (8), 1131 (2009)
  8. А.С. Саидов, Ш.Н. Усмонов, К.Т. Холиков, Д. Сапаров. Письма ЖТФ, 33 (20), 5 (2007)
  9. А.Н. Баранов, Б.Е. Джуртанов, А.Н. Именков, А.А. Рогачев, Ю.М. Шерняков, Ю.П. Яковлев. ФТП, 20 (12), 2217 (1986)
  10. G. Bougnot, F. De Lannoy. J. Electrochem. Soc., 135, 783 (1988)
  11. С.П. Козырев. ФТП, 43 (7), 943 (2009)
  12. K. Chilukuri, M.J. Mori, C.L. Dohrman, E.A. Fitzgerald. Semicond. Sci. Technol., 22, 29 (2007)
  13. R. Ginige, B. Corbett, M. Modreanu, C. Barrett, J. Hilgarth, G. Isella, D. Chrastina, H. von Koenel. Semicond. Sci. Technol., 21, 775 (2006)
  14. М. Хансен, К. Андерко. Структуры двойных сплавов (М., Металлургиздат, 1962) т. II [Пер. с англ.: M. Hansen, K. Anderko. Constitution of binary alloys (Toronto--London--N.Y., 1958) v. II]

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.