Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2015, выпуск 4 » Статья стр. 550
<<<>>>
Облучение тяжелыми ионами 4H-SiC детекторов ультрафиолетового излучения
Калинина Е.В.1, Лебедев А.А.1, Богданова Е.1, Berenquier B.2, Ottaviani L.2, Виолина Г.Н.3, Скуратов В.А.4
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2IM2NP, CNRS UMR, Aix Marselle Universite, OPTO-PV, France
3Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
4Объединенный институт ядерных исследований, Дубна, Россия
Поступила в редакцию: 23 сентября 2014 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2015 г.
PDF версия
Ультрафиолетовые фотодетекторы на основе барьеров Шоттки к 4H-SiC формировались на слаболегированных эпитаксиальных слоях, выращенных методом газотранспортной эпитаксии на промышленных подложках. Диодные структуры облучались при температуре 25oC тяжелыми ионами Хе массой 131 а.е.м. с энергией 167 МэВ флюенсом 6·109 см-2. Проводились сравнительные оптические и электрические исследования исходных и облученных структур в температурном интервале 23-180oC. Особенности изменений фоточувствительности и электрических характеристик детекторных структур объясняются захватом фотоносителей в ловушки, обусловленные флуктуациями дна зоны проводимости и потолка валентной зоны, с последующей термодиссоциацией.
  1. L.R. Koller. Ultraviolet Radiation ( N.Y., Willey, 1965)
  2. Р.Г. Веренчикова, Ю.А. Водаков , Д.П. Литвин, Е.Н. Мохов, А.Д. Роенков, В.И. Санкин. ФТП, 26, 1008 (1992)
  3. D.M. Brown, E.T. Downey, M. Ghezzo, J.W. Kretchmer, R.J. Saia, Y.S. Liu, J.A. Edmond, G. Gati, J.M. Pimbley, W.E. Schneider. IEEE Trans. Electron Dev., 40, 327 (1993)
  4. E. Monroy, F. Omnes, F. Calle. Semicond. Sci. Technol., 18, R33 (2003)
  5. А. Полищук. Современная электроника, 4, 20 (2006)
  6. Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг. ФТП, 37, 1025 (2003)
  7. Sglux --- www.sglux.com
  8. EOC Inc. --- www.eoc-inc.com
  9. Y. Feng, X. Xiaobin, S. Aslam, Z. Yuegang, D. Franz, J.H. Zhao, M. Weiner. IEEE J. Quant. Electron., 40, 1315 (2004)
  10. И. Артюков. Фотоника, 5, 26 (2008)
  11. J.F. Seely, B. Kjornrattanawanich, G.E. Holland. Optics Lett., 30, 3120 (2005)
  12. Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг, Е.В. Калинина, О.В. Константинов. ЖТФ, 78 (1), 86 (2008)
  13. J.A. Edmond, H.S. Kong, C.H. Carter, jr. Physica B, 185, 453 (1993)
  14. N. Watanabe, T. Kimoto, J. Suda. Appl. Phys. Express, 5 (9), 094 101 (2012)
  15. B. Berenguier, L. Ottaviani, S. Biondo, M. Lazar, F. Milesi, O. Palais, F. Torregrosa, A. Lyoussi, E. Kalinina, A. Lebedev. MRS Symp. Proc., 1693 (2014)
  16. Е. Калинина. ФТП, 41, 769 (2007)
  17. F.H. Ruddy, A.R. Dulloo, J.G. Seidel, M.K. Das, S-H. Ryu, A.R. Agarwal. IEEE Trans. Nucl. Sci., 7, 4575 (2004)
  18. D. Prasai, W. John, L. Weixelbaum, O. Kruger, G. Wagner, P. Sperfeld, S. Nowy, D. Friedrich, S. Winter, T. Weiss. J. Mater. Res., 28 (1), 33 (2013)
  19. F. Nava, E. Vittone, P. Vanni, G. Verzellesi, P. G. Fuochi, C. Lanzieri, M. Glaser. Nucl. Instrum. Meth. A, 505, 645 (2003)
  20. S. Sciortino, F. Hartjes, S. Lagomarsino, F. Nava, M. Brianzi, V. Cindro, C. Lanzieri, M. Moll, P. Vanni. Nucl. Instrum. Meth. A, 552, 138 (2005)
  21. A. Castaldini, A. Cavallini, L. Rigutti, F. Nava. Appl. Phys. Lett., 85, 3780 (2004)
  22. А.И. Гирка, А.Ю. Дидык, А.Д. Мокрушин, Е.Н. Мохов, С.В. Свирида, А.В. Шишкин, В.Г. Шмаровоз. Письма ЖТФ, 15, 12 (1989)
  23. I. Lhermitte-Sebire, J.L. Chermant, M. Levalois, E. Paumier J. Vicens. Rad. Eff. Def. Sol., 126, 173 (1993)
  24. W.J. Weber, L.M. Wang, N.Yu. Nucl. Instrum. Meth. B, 116, 322 (1996)
  25. S.J. Zinkle, J.W. Jones, V.A. Skuratov. MRS Symp. Proc., 650, R3.19.1 (2001)
  26. Е.В. Калинина, Г.Ф. Холуянов, Г.А. Онушкин, Д.В. Давыдов, А.М. Стрельчук, А.О. Константинов, А.Hallen, А.Ю. Никифоров, В.А. Скуратов, K. Havancsak. ФТП, 38, 1187 (2004)
  27. Е.В. Калинина, В.А. Скуратов, А.А. Ситникова, Е.И. Колесникова, А.С. Трегубова, М.П. Щеглов. ФТП, 41, 392 (2007)
  28. Е.В. Калинина, Н.А. Чучвага, Е.В. Богданова, А.М. Стрельчук, Д.Б. Шустов, М.В. Заморянская, В.А. Скуратов. ФТП, 48, 167 (2014)
  29. C.М. Рывкин. Фотоэлектрические явления в полупроводниках (М., Гос. изд.-во. физ.-мат. лит., 1965) гл. 15
  30. T.V. Blank, Yu.A. Goldberg, O.V. Konstantinov. Nucl. Instrum. Meth. A, 509, 109 (2003)
  31. T.V. Blank, Yu.A. Goldberg, E.V. Kalinina, O.V. Konstantinov, A.O. Konstantinov, A. Hallen. Semicond. Sci. Technol., 20, 710 (2005)
  32. Г.Н. Виолина, Т.С. Крутилева. ФТП, 5, 1130 (1971)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme